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公开(公告)号：KR100289040B1
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：KR1019970071650
申请日：1997-12-22
IPC: G02B6/28
Abstract: PURPOSE: A bidirectional optical communication module is provided to couple a bidirectional optical device and an optical fiber effectively by integrating a receiver in a semiconductor laser for transmission as a single chip. CONSTITUTION: An integrated laser diode(10) is bonded to a substrate(31) made of a diamond or alumina material. An optical fiber core(23) and a waveguide(19) of a laser diode are aligned correspondingly so that the laser diode(10) is electrically driven and optical coupling is made maximumly. An optical fiber(20) is ground so as to be inclined, so that a pointed portion is directed to a receiver. A gap between an optical device and the optical fiber(20) is filled with medium(25) for adjusting a reflective index. A reflection matter(33) is formed perpendicularly to a waveguide direction toward a monitor photo diode(36). A received light from the optical fiber(20) is bent toward a receiver(10a) by a reflective difference between the optical fiber(20) and the optical coupling medium(25), absorbed in an optical absorption layer of the receiver(10a), and converted into a current. The current is detected by an external circuit through a p-type common electrode and an n-electrode of the receiver.
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公开(公告)号：KR100276082B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980011463
申请日：1998-04-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A structure of a bidirectional optical device operating with a single power supply and a manufacturing method thereof are provided to reduce the number of optical components, simplify optical packing processes, minimize an optical transceiving module, reduce production costs, improve the characteristics, etc. by integrating a semiconductor laser, a photo detector, and a p-n diode vertically on a single substrate. CONSTITUTION: A bidirectional optical device comprises an n-InP semiconductor substrate(4), a plane embedded heterogeneous junction semiconductor laser structure(1) formed on the substrate, and a photo detector(3) integrated vertically in a predetermined region on the semiconductor laser structure. The semiconductor laser structure comprises an active layer(6), current block layers(8,9,10) formed on both sides of the active layer, and a p-clad layer(11) and a p-ohmic contact layer(12) formed on the current block layers. The photo detector comprises an n-InP layer(16), a photo absorbing layer(14), and a p-ohmic contact layer(17). When an electric power is applied to the optical device, p-type layers of the p-clad layer and p-ohmic contact layer and an n-type layer of the n-InP layer are shared between the semiconductor laser structure and the photo detector, so that a p-n diode is formed by which the semiconductor laser structure is forward biased and the photo detector is reverse biased.
Abstract translation: 目的：提供使用单电源工作的双向光学装置的结构及其制造方法，以减少光学部件的数量，简化光学打包过程，使光收发模块最小化，降低生产成本，提高特性等 通过在单个衬底上垂直集成半导体激光器，光电检测器和pn二极管。 构成：双向光学器件包括n-InP半导体衬底（4），形成在衬底上的平面嵌入异质结半导体激光器结构（1）和在半导体激光器上的预定区域中垂直集成的光电检测器（3） 结构体。 半导体激光器结构包括有源层（6），形成在有源层的两侧上的电流阻挡层（8,9,10）和p覆盖层（11）和p-欧姆接触层（12） 形成在当前阻挡层上。 光检测器包括n-InP层（16），光吸收层（14）和p-欧姆接触层（17）。 当向光学器件施加电力时，p型覆盖层和p欧姆接触层的p型层和n-InP层的n型层在半导体激光器结构和光电检测器之间共享 ，从而形成pn二极管，半导体激光器结构被正向偏置并且光电检测器被反向偏置。
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公开(公告)号：KR100265858B1
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019970064092
申请日：1997-11-28
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A WDM(Wave Division Multiplexing) device for integrating semiconductor laser and photodetector on a single chip is provided to miniaturize the device and improve the transmittance by integrating on a single semiconductor laser for optical data transmission and a photodetector for optical data receiving. CONSTITUTION: The WDM device includes structures of a semiconductor laser(1) and a photodetector(2) both formed on an n-type lnP substrate(7). The semiconductor laser(1) includes an n-type lnP buffer layer(8), an undoped lnGaAsP active layer(99), a p-type lnP buffer layer(17), a p-type lnP clad layer(10), and a p-type lnGaAsP resistant contact layer(11). The photodetector(2) includes a p-type lnGaAsP resistant contact layer(11), an undoped lnP etching stop layer(12), an undoped lnGaAs photo-absorption layer(13) and an n-type lnGaAsP resistant contact layer(14). Here, the laser(1) and photodetector(2) shares a p-type lnGaAsP resistant layer(11) and forms an NPN structure with the n-type lnGaAsP resistant contact layer(14), the p-type lnGaAsP resistant contact layer(11) and the n-type substrate(7).
Abstract translation: 目的：提供一种用于将半导体激光器和光电检测器集成在单个芯片上的WDM（波分复用）器件，用于通过集成在单个半导体激光器上进行光学数据传输和光学数据接收的光电检测器，使器件小型化并提高透射率。 构成：WDM器件包括形成在n型衬底（7）上的半导体激光器（1）和光电检测器（2）的结构。 半导体激光器（1）包括n型lnP缓冲层（8），未掺杂的lnGaAsP有源层（99），p型lnP缓冲层（17），p型lnP覆盖层（10）和 p型lnGaAsP电阻接触层（11）。 光电检测器（2）包括p型lnGaAsP电阻接触层（11），未掺杂的lnP蚀刻停止层（12），未掺杂的lnGaAs光吸收层（13）和n型lnGaAsP电阻接触层（14） 。 这里，激光器（1）和光电检测器（2）共享p型lnGaAsP电阻层（11）并与n型lnGaAsP电阻接触层（14）形成NPN结构，p型lnGaAsP电阻接触层 11）和n型基板（7）。
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公开(公告)号：KR100211043B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019960069762
申请日：1996-12-21
IPC: G02B6/42
Abstract: 본 발명은 플립칩 본딩(Flip chip bonding)과 실리콘 V-홈을 이용한 광소자와 광섬유와의 광결합 장치에 있어서, 종래의 수동 정렬 방식에서 발생하는 정렬 오차에 따른 광결합 효율의 감소를 해결하고 최적의 광결합 효율을 얻기 위하여 광섬유가 위치하는 넓은 V-홈과 이 V-홈 내에 두 개의 광섬유 고정축을 두고 별도의 V-홈이 파진 실리콘 덮개로 두 고정축 사이의 소정의 위치에서 광섬유를 눌러 광섬유에 미소한 휨, 즉 마이크로 벤딩(micro-bending)을 유도하고 이로써 광섬유 끝단의 위치를 실리콘 덮개의 위치에 따라 조절하므로써 광소자와 광섬유와의 광결합 효율이 최대가 되는 위치를 찾아 광섬유를 고정시키는 광결합 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019990052201A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071650
申请日：1997-12-22
IPC: G02B6/28
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저에 수광소자가 집적된 양방향 광소자에 단면이 연마된 광섬유를 사용하여 광결합을 함으로써 수광소자에 대한 반도체 레이저에서 방출된 송신 광의 광섬유 단면 반사의 영향을 제거하고 송신광의 광결합 효율을 유지하면서도 수신광의 결합 효율을 극대화하며 광모듈의 구조를 단순화 및/또는 소형화하고 패키징 공정에 필요한 난이도를 줄여 제작 비용을 절감한 단일 광섬유를 이용한 양방향 광통신 모듈의 제작을 가능하게 하며, 더욱이 이 양방향 광소자에 모니터 포토다이오드를 집적하면 별도의 모니터 포토다이오드의 사용에 따른 비용의 증가를 최소화시키며 양방향 광소자와 모니터 포토다이오드의 광결합 구조를 단순화·극소형화하여 패키징 공정에 필요한 난이도를 줄이고 양방향 광소자 어레이의 패키징에 있어서 도 공정의 난이도와 패키지 구조의 변화가 없이 모니터 포토다이오드를 사용하는 할 수 있게 하는데 그 목적이 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990052167A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071616
申请日：1997-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09
Abstract: 본 발명은 반도체의 밴드갭 근처의 파장대역에서 입사 되는 파장에 따라 물질의 광흡수계수가 변화하는 성질을 이용하여 파장분할 다중화 광전송 시스템의 파장 안정화 장치 혹은 능동형 파장 검출기에 사용될 수 있는 새로운 광소자에 대한 것이다. 종래의 광검출기의 흡수층에 사용되던 InGaAs 대신 밴드갭이 1.55 μm부근인 InGaAsP 혼합물 혹은 InGaAsP/InGaAsP 다중양자우물 구조를 사용하면 파장다중 광통신에 사용되는 1.55 μm파장대에서 입사광의 파장에 따라 흡수계수가 달라져 광감응성이 입력광의 파장에 따라 달라지는 광검출기를 구현할 수 있다. 또 본 발명에서는 InGaAsP 흡수층 광검출기 구조 위에 InGaAs 흡수층의 광검출기와 수직으로 집적화하여 추가의 InGaAs 광검출기가 필요 없는 보다 사용이 편리한 광소자도 제안한다. 본 발명에서 제안한 파장의존성 광검출기는 파장분할 다중화 광통신 시스템에 사용되는 광원의 파장을 확인하거나 주어진 일정한 파장에 광원의 파장을 고정시키는 장치에서 사용될 수 있으며 종래의 부품에 비하여 간단하므로 이러한 장치에 본 발명에서 제안한 파장의존성 광검출기를 사용하면 광원의 파장 확인 장치 및 파장안정화 장치의 제작을 보다 소형이며 저렴한 가격으로 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990015379A
公开(公告)日：1999-03-05
申请号：KR1019970037484
申请日：1997-08-06
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 파장이 다른 빛에 각기 다른 데이터를 실어 한 개의 광섬유를 통하여 신호를 전달하는 파장분할 다중화 방식의 광통신에 있어서, 파장이 다른 빛을 분리해 내는 파장분할 다중화 소자와 분리된 파장의 빛을 각각의 전기신호로 변환하는 광검출기 소자의 기능을 하나의 소자로 구현한 파장분할 다중화 기능을 갖는 광검출기 소자의 구조 및 제조 공정에 관한 것이다.
이 광검출기 소자는 광 흡수 파장 대역이 서로 다른 두 개의 pin형 광검출기를 상하로 적층시켜 놓은 형태를 가지며, 이때 적층된 두 개의 pin형 광검출기 중 광섬유로부터 빛이 입사되는 쪽에 위치한 제 1의 광검출기의 광흡수층의 에너지갭 (energy gap)은 다중화된 파장의 빛 중에서 짧은 파장의 빛은 흡수할 수 있을 정도로 작아야 하며 긴 파장의 빛은 흡수하지 않고 통과시킬 수 있을 정도로 커야 한다. 그리고 상기 제 1의 광검출기와 함께 적층된 제 2의 광검출기의 광흡수층의 에너지갭은 다중화된 파장의 빛 중 긴 파장의 빛도 충분히 흡수할 수 있을 정도로 작도록 하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100150238B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019940016753
申请日：1994-07-12
IPC: G02B6/24
Abstract: 본 발명은 각종 광소자에 외부 광통신 시스템과의 접속을 위한 광섬유를 정렬 및 고정시키는 방법에 관한 것으로서, 특히 V-홈을 이용한 광섬유의 수동정렬 및 고정방법에 관한 것이다.
본 발명은 실리콘기판의 광섬유 정렬용 V-홈과 실리콘뚜껑의 광섬유 지지용 V-홈을 이용하여 플립-칩 본딩한 기판과 뚜껑 사이에 광섬유를 일시적으로 고정한 후에 에폭시를 사용하여 완전히 고착시킴으로써 종래 광섬유를 가공하고 금속막을 증착하는 등의 공정 없이도 신속, 정확하게 광섬유를 고정시킴과 동시에 에폭시 경화중 광섬유의 고정을 위한 특별한 지지기구 없이 경화를 할 수 있으므로 생산성을 증가시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970011524B1
公开(公告)日：1997-07-11
申请号：KR1019930027625
申请日：1993-12-14
IPC: G02B6/26
Abstract: A manufacturing method for the photo switch of the inner total reflection using the trench, comprising the steps of; generating the trench according to the growing and etching process of the ephi, generating the ohmic layer according to the re-growing process, and depositing the electrode.
Abstract translation: 一种使用沟槽进行内部全反射的光开关的制造方法，包括以下步骤： 根据ephi的生长和蚀刻工艺生成沟槽，根据再生长过程产生欧姆层，并沉积电极。
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