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公开(公告)号：KR100327106B1
公开(公告)日：2002-05-10
申请号：KR1019970064107
申请日：1997-11-28
IPC: H01S5/10
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser module is provided to reduce manufacturing costs and the degree of difficulty needed for a package process by simplifying and miniaturizing an optical couple structure of a semiconductor laser and a monitor photo diode. CONSTITUTION: A semiconductor laser(1) is mounted by an active alignment manner, and a driver circuit drives the semiconductor laser. An optical system transfers an optical signal from the semiconductor laser. A monitor photo diode(2) is provided at a rear part of the semiconductor laser diode. A reflection body is disposed at a rear part of the semiconductor laser so as to be spaced apart from each other, and reflects an optical output from a wave guide(9a) of the semiconductor laser to transfer the reflected signal to the monitor photo diode.
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公开(公告)号：KR1019990052190A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071639
申请日：1997-12-22
IPC: H01L21/20
Abstract: 광 송신용 평면 매립형 반도체 레이저 다이오드와 광 수신용 광검출기를 수직 방향으로 집적한 구조의 반도체 소자를 제조함에 있어서, 집적된 구조의 아랫 부분에 제작되는 레이저 다이오드의 에피를 평탄화 하여 광검출기용 에피가 평탄화된 레이저 다이오드위에 성장되게 하여 비평면 구조위에 성장될 때의 성장 특성 변화를 제거함으로써 고품질의 에피 특성을 얻으며, 나아가 고 품질의 광수광소자를 구현하는 반도체 소자의 평탄화 방법이 개시된다. 본 발명은 매립형 레이저 다이오드의 제작과정에서 발생하는 전류 차단층 표면의 요철을 제거하는 방법으로, 상기한 반도체 레이저 다이오드의 제작 과정에서 전류 차단층의 에피를 성장 한 후 요철을 포함하는 부분을 건식 식각으로 식각하여 요철의 높이보다 큰 단차를 형성하고 경사면에서의 성장 속도가 수평면인 (100)면에 비해 빨라지는 온도에서 이원조성 화합물 반도체를 성장 함으로써 단차에서부터 옆으로 진행하는 에피 성장이 단차의 골짜기 부분을 메우도록 함으로써 평탄화 된 기판을 얻는다.
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公开(公告)号：KR1019990043106A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064092
申请日：1997-11-28
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 각각 다른 파장의 송신 및 수신용 빛을 사용하여 한 가닥의 광섬유를 통하여 동시에 신호를 전송하는 파장 분할 다중화 양방향 광통신에 있어서, 별도의 광도파로 형태의 파장 분할 다중화 소자 없이 짧은 파장의 빛을 내는 광송신용 반도체 레이저와 긴 파장의 빛을 받는 광수신용 광검출기 소자를 동일한 반도체 기판 위에 수직 집적시켜 반도체 레이저의 활성층과 광검출기의 광흡수층을 매우 근접하여 위치시키므로써 동일한 광섬유와의 광결합이 상기 두 가지 소자에 대하여 모두 용이하게 이루어지도록 하는 한편, 적층된 반도체 레이저와 광검출기의 p형 반도체층은 동일한 층을 서로 공유하여 수직으로 NPN 구조를 이루도록 하며 이때 반도체 레이저 및 광검출기 소자가 공통으로 사용하는 p형 반도체층과 상부에 위치한 광검출기의 N형 반도체층은 반도체 레이저에서 나오는 짧은 파장의 송신용 빛은 흡수하고 광검출기에 흡수되는 긴 파장의 수신용 빛은 통과시키는 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 구성하여 파장 분할 필터 역할을 하도록 하는 파장 분할 다중화 소자의 구조 및 제조 공정에 관한것이다. 따라서 이와 같이 단일칩 집적에 의한 반도체 레이저와 광검출기가 집적된 파장 분할 다중화 소자를 사용하므로써 파장 분할 양방향 광통신용 모듈의 제작시 광부품 수 저감 및 광패키징 공정 간략화에 따른 모듈의 소형화, 제작 원가 절감 및 특성 개선 등의 효과를 거둘 수 있다.
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公开(公告)号：KR100150020B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019940019497
申请日：1994-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/24
Abstract: 각종 광소자에 외부 광통신 시스템과의 접속을 위한 광섬유를 정렬 및 고정시키는 장치에 관한 본 발명은 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판에 형성된 소정 폭의 광섬유 정렬용 V-홈과, 광소자의 도파로 중심축과 공간적으로 정렬되도록 상기 광섬유 정렬용 V-홈에 설치되고 일측에 절단면을 갖는 광섬유와, 상기 광섬유를 개재하여 상기 실리콘 기판의 주요 표면을 덮도록 실리콘 기판과 플립-칩 본딩되는 실리콘 뚜껑을 구비하며, 상기 실리콘 기판의 광섬유 정렬용 V-홈과 대향되도록 실리콘 뚜껑에 형성된 광섬유 지지용 V-홈; 에폭시의 광섬유 절단면 방향으로의 번짐을 방지하기 위하여, 상기 광섬유 정렬용 V-홈과 수직 방향으로 광섬유 절단면 방향의 실리콘 기판에 형성된 에폭시 번짐 방지용 V-홈; 및 상기 에폭시에 의한 광섬유 고정 효과를 극대화하기 위하여, 상기 광섬유 정렬용 V-홈과 수직 방향으로 광섬유 절단면 반대 방향의 실리콘 기판에 형성된 에폭시 결합력 강화용 V-홈으로 구성된다.
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公开(公告)号：KR1019980035957A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960054415
申请日：1996-11-15
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 광소자와 광섬유 사이의 광결합 효율울 증대시킬 수 있는 광결합 장치와 그의 제조방법 및 광소자와 광섬유의 광결합방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광결합장치는, 실리콘 기판(11) 상의 일측에 V-홈(12)이 형성되고, 상기한 V-홈(12)에는 상기한 V-홈(12)보다 폭이 좁고 상기한 V-홈(12)보다 폭이 좁고 상기한 V-홈(12)으로부터 소정간격 상향으로 위치하며 광섬유(16)의 정렬시 광섬유(16)가 상하좌우로 움직일 수 있는 중심축으로서의 기능을 수행하는 V-홈(19)이 형성된 피벗 지지부(18)가 돌출 설치되고, 상기한 실리콘 기판(11) 상의 타측에는 상기한 실리콘 기판(11)의 V-홈(12)에 설치된 광섬유(16)의 코어(17)와 일치하도록 사전에 정해진 소정 위치의 플립칩 본딩패드(15) 상에 반도체 레이저(13)가 플립칩 본딩되고, 상기한 광섬유(16)는 능동 정렬방식에 의해 정렬된 후 상기한 실리콘 기판(11)의 V-홈(12)에 고정된 것을 특징으로 한다. 본 발명은 실리콘 기판 위에 형성된 V-홈과 광소자 플립칩 본딩을 이용한 수동 정렬방식의 광결합장치에 있어서 가장 큰 단점인, 정렬오차에 따른 광결합 효율의 감소문제를 피벗 지지부을 구비한 새로운 구조의 V-홈 실리콘 기판과 V-홈 내에서의 능동 정렬방식을 사용하여 해결함으로써, 최적의 광결합 효율을 얻을 수 있는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019960002902A
公开(公告)日：1996-01-26
申请号：KR1019940014062
申请日：1994-06-21
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 평면형 광검출기의 제조방법에 관한 것으로서, 종래의 p형 금속전극의 칩의 전면에, n형 전극은 칩의 뒷면에 형성되어서 와이어 본딩에 의한 패키지반을 사용할 수 밖에 없는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 MOCVD에 의한 에피층 성장공정 (a)과, 제l실리콘 질화막(43)을 마스크로 한 아연 확산공정(b)과, 인듐인 표면층(42)의 선택적 습식식각 공정(c)과, 인듐인 표면층(42)의 선택적 습식식각 공정(e)과, p형 및 n형 금속전극(46p, 46n) 형성공정 (f)과, p형 인늄칼륨비소층(41p)의 선택적 습식식각 공정(g)과, 무반사막 및 패시베이션용 제3실리콘 질화막(45) 증착후 플립 칩 본딩영역 식각공정(h)을 제공함으로써 본딩용 와이어가 없는 플립 칩 본딩 패키지에 적용할 수 있어 광검출기 모듈의 특성을 향상시킬 수 있을 뿐 아니라 대량생산에 유리하고, 고속동작에 유리한 특성을 갖는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019920005128B1
公开(公告)日：1992-06-26
申请号：KR1019890019572
申请日：1989-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/28587 , Y10S438/944
Abstract: 내용 없음.
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