Abstract:
본 발명의 손동작 기반 사용자 인터랙션 방법은 사용자가 손동작 입력으로 3차원 사용자 인터페이스(UI)를 통해 컴퓨터 기반의 3차원 응용 시스템을 조작하는 손동작 기반 사용자 인터랙션 방법으로서, 적어도 하나의 메타포 템플릿들을 제공하는 단계, 사용자의 손동작 입력을 메타포 템플릿에 정의된 변환 규칙에 따라 UI 입력으로 변환하는 단계 및 UI 입력을 3차원 사용자 인터페이스를 통해 3차원 응용 시스템에 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A large area gas sensor and a manufacturing method thereof are provided to reduce the manufacturing costs of a substrate by using a plastic substrate instead of a high priced aluminum substrate. CONSTITUTION: A large area gas sensor comprises: a flexible substrate(200); a double damping layer(210) which is formed on the flexible substrate; a metal electrode(220) which comprises a probe part which is patterned on the double damping layer; and an oxide detection layer(230) which is formed on the metal electrode in which the probe part is excluded. The flexible substrate comprises polyimide, polyethylene, polyethersulfone and polycarbonate. The double damping layer comprises an amorphous silicon layer(211) and an inorganic insulation film layer(212) which are successively formed on the flexible substrate. The inorganic insulation film layer consists of one or more among a group of Al2O3, MgO, SrTiO, and SiO2.
Abstract:
본 발명은 2.4GHz 직접 열 확산방식을 이용하는 무선전송 방식을 개선한 것으로, 특히, 주변의 전파 잡음전력이 높아지는 현상을 수신기의 패리티 검사결과로 하고, 그에 따라 사전에 정해진 칩속도를 높여서, 직접 열 확산방식의 처리이득을 높이기 위한 것으로, 본 발명에 따른 직접 열 확산방식시스템에서의 적응형 칩속도 장치는 직접 열 확산방식시스템에서의 적응형 칩속도 장치로서, 수신되는 신호에 대한 패리티 검사를 수행한 후 그 결과를 근거로 주변 전파잡음 정도를 판단해서 그에 상응하는 칩속도 변경 제어신호를 출력하는 제어부; 제어부로부터의 칩속도 변경 제어신호에 근거하여 칩속도를 변경하는 칩속도 변경부; 및 칩속도 변경부에 의한 칩속도를 근거로 송수신되는 신호를 확산시키는 베이스밴드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 적응형 주파수 호핑 장치.;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 무선랜, 무선브릿지, 직접 열 확산방식, 전파간섭 완화
Abstract:
M-PSK(M-ary Phase Shift Keying) 시스템의 심볼 판별 장치 및 방법이 개시된다. 이 장치는 위상오차를 추정하는 위상오차 추정부; 수신 심볼쌍에 대해, 위상오차가 반영된 선형 변환을 적용하는 선형 변환부; 및 상기 선형 변환이 적용된 결과의 부호 값을 기초로, 상기 수신 심볼쌍에 해당되는 전송심볼을 판정하는 심볼 판정부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, MPSK 신호 복조시의 위상오차에 따른 심볼 오율 열화의 문제점을 개선할 수 있으며, 간단한 방법으로 위상오차를 추정할 수 있다.
Abstract:
An apparatus and a method for I/Q modulation are provided to reduce power consumption for obtaining SER(Symbol Error Rate) performance by deriving a high SER probability performance above 3dB in comparison with a conventional I/Q modulator. An apparatus for I/Q modulation includes an I/Q data generator(700), an oscillator(720), an I/Q sine wave signal generator(740), and a transmission signal generator(760). The I/Q data generator(700) generates I channel data and Q channel data by transforming a binary stream(S1) according to an I/Q modulation method. The oscillator(720) generates sine wave signals. The I/Q sine wave signal generator(740) generates a sine wave signal(S4) of an I channel and a sine wave signal(S5) of a Q channel by controlling a phase of the sine wave signals(S4,S5) based on the I and Q channel data. The transmitting signal generator(760) generates transmission signals(S7) for the I and Q channel data by reflecting the I and Q channel data respectively to I channel sine wave signal and the Q channel sine wave signal.
Abstract:
구적 오차가 있는 M-PSK(M-ary Phase Shift Keying) 시스템의 심볼 오율 성능 개선 장치 및 방법이 개시된다. 이 장치는 구적오차 및 적어도 하나의 제1 수신 심볼 쌍을 이용하여, 심볼 판별 영역을 변환하는 파라미터를 검출하는 변환 파라미터 검출부; 및 상기 검출된 변환 파라미터를 이용하여 제2 수신 심볼 쌍을 변환하고, 상기 변환된 심볼 쌍의 부호에 따라 전송 심볼을 판별하는 변환 및 판별부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, MPSK 신호 복조시의 구적 오차에 따른 심볼 오율 열화의 문제점을 개선할 수 있으며, 간단한 방법으로 구적 오차를 추정할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 QPSK 신호의 다운 컨버터로 인한 위상 오차를 판별하는 방법 및 그 장치를 개시한다. 본 발명에 의하면, 다운 컨버팅된 QPSK 신호의 I 채널과 Q 채널을 소정의 주기로 샘플링하고, I 채널과 Q 채널 신호의 평균을 각 채널별로 계산하여, I 채널의 샘플링 값들, I 채널 신호의 평균, Q 채널의 샘플링 값들 및 Q 채널 신호의 평균을 이용해서 소정의 통계량을 계산하고, 자유도를 갖는 T-분포에 따른 기준에 따라 통계적 검정을 하여 위상 오차의 유무를 판단하여, 본 발명을 통해 QPSK 무선 기기 수신부의 핵심 부품인 다운컨버팅을 평가할 수 있어, QPSK 신호를 수신하는 측정기기에 적용할 경우에 위상오차의 판별유무를 쉽게 제공할 수 있으며, 통계적인 가설검정 방법을 프로그램하여 신호 수신 측정기기에 적용할 경우에는 QPSK 신호의 위상오차 판별을 자동적으로 제공할 수 있는 장점이 있다.
Abstract:
본 발명은 환경유해가스 센서에 대한 것으로서, 이 센서는 절연 기판, 상기 절연 기판 상에 형성되어 있는 금속 전극, 그리고 상기 금속 전극 상에 형성되어 있으며, 산화물 반도체 La n+1 Ni n O 3n+1 (n=1,2,3) 나노섬유를 포함하는 감지층을 포함한다. 따라서 산화물 반도체 La n+1 Ni n O 3n+1 (n=1,2,3)는 ABO 3 형의 기본 결정구조를 가지므로 구조적으로 안정하며, 산소결함에 의한 비화학량론적인 조성을 갖는 대표적인 물질로서 표면에 많은 산소결함을 갖기 때문에 산화물 표면에서 반응 가스 흡착 및 산화/환원 반응에 의해 큰 전기저항의 변화를 가질 수 있다. 산화물 반도체, 나노섬유, 가스센서, 전기방사법