公开(公告)号：KR1020000033986A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980051081

申请日：1998-11-26

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 이형종 ,  이명현 ,  오민철 ,  안주헌 ,  한선규 ,  홍소연

IPC: C08G65/38

CPC classification number: C08G65/38 ,  C08G65/3236 ,  C08G2650/48

Abstract: PURPOSE: A fluorine substituted polyarylene ether-based polymer and a wave guide-type polymer light element used the same as a core layer are provided which have a low light advance loss and improved chemical resistance and thermal stability. CONSTITUTION: A fluorine substituted polyarylene ether-based polymer containing an amine group in its side chain and a wave guide-type polymer light element used the same as a core layer are provided, wherein the polymer is prepared by thermal poly condensing decaflurobiphenyl with aromatic diol with amine groups to give amine-containing polyarylene ether and subjecting to the introduction of halogen-containing aromatic anhydride to a side chain of the polymer by polymerization reaction. The polymer has a low light advance loss by eliminating the peculiar light absorption of a material according to a molecular vibration and is used for a light element core and a cladding material such as a thermal light switch, a beam separator, a polarization and wave length filter, and a thermal grid of wave guides.

Abstract translation: 目的：提供一种氟取代聚亚芳基醚类聚合物和使用与芯层相同的波导型聚合物轻质元素，其具有低光提前损失和改善的耐化学性和热稳定性。 构成：提供在其侧链含有胺基的氟取代聚亚芳基醚系聚合物和使用与其相同的波导型聚合物轻质元素作为核心层，其中，所述聚合物通过热聚缩醛十二溴联苯与芳香族二醇 与胺基反应，得到含胺聚亚芳基醚，并通过聚合反应将含卤芳族酸酐引入聚合物的侧链。 聚合物通过消除根据分子振动的材料的特有光吸收而具有低光提前损失，并且用于光元件芯和诸如热光开关，光束分离器，偏振和波长的包层材料 滤波器和波导的热网格。

公开(公告)号：KR100243406B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970059540

申请日：1997-11-12

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 이형종 ,  이은미 ,  안주헌 ,  이명현 ,  한선규

IPC: C08G65/48 ,  C08G65/34 ,  C08G65/38

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 (1)로 표시되는 아크릴기 혹은 시나밀기를 가진 불소 치환 폴리아릴렌 에테르, 그 제조방법 및 그 불소 치환 폴리아릴렌 에테르를 사용한 광도파로형 광소자에 관한 것이다. 불소 치환 폴리아릴렌 에테르 유도체는 데카풀루오로바이페닐 혹은 데카풀루오로벤조페논과 아로마틱 디올의 열축중합에 의하여 얻어지며, 이들 고분자에 아크릴기 혹은 시나밀기를 도입하여 본 발명의 광도파로 소자용 고분자를 제조한다. 상기 고분자는 주쇄 구조에서 높은 불소 치환으로 분자 진동에 의한 물질 고유의 광통신 영역에서의 광흡수를 배제하여 고분자 광소자의 가장 큰 문제점인 광진행 손실이 아주 낮다. 또한 고분자 말단이나 고분자 측쇄에 광경화성 아크릴기 혹은 시나밀기를 도입 함으로서 고분자 매트릭스의 광가교를 통한 내화학성을 향상 시켜 다층 막박 공정이 가능하며, 300℃이상에서도 열적으로 분해와 승화되지 않는 열안정성이 뛰어난 우수한 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.
[화학식 1]

상기식에서 X는 없거나, -C=0- 또는 -SO
2 -이다. R
1 은 H, 광가교성 아크릴레이트, 메타크릴레이트 또는 시나메이트이다. R
2 은 광가교성 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 또는 시나메이트이다. n은 중합도로 1~100의 자연수이다.

公开(公告)号：KR100226443B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019970054782

申请日：1997-10-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이형종 ,  이은미 ,  안주헌 ,  원용협 ,  이명현 ,  한선규

IPC: C08G65/48 ,  C08G65/34 ,  G02F1/35

Abstract: 본 발명은 하기 화학식(1)의 비선형 광학 색소를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌 에테르계 고분자, 그의 제조방법 및 그를 사용한 광도파로형 능동 광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 고분자는 주쇄 구조에서 높은 불소 치환으로 분자 진동에 의한 물질 고유의 광통신 영역에서의 광흡수를 배제하여 고분자 광소자의 가장 큰 문제점인 광진행 손실이 아주 낮다. 또한 고분자 주쇄에 비선형 광학 색소의 밀도가 높아 전기광학특성이 우수하고 주쇄의 유리전이온도가 높아 150℃ 이상에서도 쌍극자의 완화가 일어나지 않아서 뛰어난 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.
(화학식 1)

식 중, n은 유연기(고분자 주쇄와 측쇄를 연결하는 그룹)의 수로서
2 ~ 10의 자연수, D는 전자 주게기로 O, NH, 알킬아민, 또는 페닐아민,
B는 연결기로서 CH=CH 또는 N=N,
A는 전자 받게기로 CN, 트리시아노비닐, 니트로, 설폰기임.

公开(公告)号：KR100194584B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950042600

申请日：1995-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  안주헌

IPC: H01L27/14

Abstract: 본 발명은 반도체 격자 도파로 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 광결합 손실을 작게 하는 반도체 격자 도파로 제조방법은, 기판 위에 코어층과 클레드층을 결정 성장시킨다. 이 결과물 위에 SiN
x 또는 SiO
2 유전체를 전면에 증착한 후 리소그래피 공정으로 격자 형성 부위를 개구한다. 이 개구된 부위에 도파로 진행방향과 평행하게 격자 패턴을 형성시킨 후, 그 격자 형성 부위의 상기 클레드층과 상기 코어층을 식각한다. 이후에 상부 클레드층을 결정성장시켜 제작을 완료한다. 따라서, 본 발명은 다양한 구조의 광집적화 회로에 적용이 수월하고 높은 광결합 효율을 얻을 수 있어 저가격의 광모듈을 제작할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990040306A

公开(公告)日：1999-06-05

申请号：KR1019970060636

申请日：1997-11-17

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 황월연 ,  한선규 ,  박혁 ,  원용협 ,  오민철 ,  안주헌

IPC: G02B26/06

Abstract: 본 발명은 광섬유 편광 분리기와 위상 변조기가 결합된 2 x 2도파로형 모드 분리기를 이용한 편광 조절기에 관한 것으로, 종래의 전기 광학 효과를 이용한 편광조절기는 속도는 빠르나 제작비용이 많이 들고, 액정을 이용한 편광조절기는 제작비용은 낮으나 속도면에서 빠르지 못한 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 일측의 편광유지 광섬유 출력단에 대하여 90

°

뒤틀린 타측 편광유지 광섬유 출력단을 구비하여 임의의 편광을 갖는 입력광을 동일한 선편광 상태를 갖게 하는 두 개의 포트로 출력하는 광섬유 편광분리수단과; 상기 편광분리수단의 두 출력을 모두 TE 또는 TM 모드로 입력받아 상기 두 입력광의 위상차를 90

°

로 유지하여 모드분리시켜 상기 입력광의 편광상태에 무관하게 출력광의 파워가 입력광의 50%가 되도록 편광을 조절하는 도파로형 2×2 모드 분리기와; 상기 도파로형 2×2 모드 분리기의 두 출력광의 세기를 검출하여 그 차이만큼 차동증폭하여 상기 도파로형 2×2 모드 분리기에 입력되는 입력광의 위상을 조절하게 하여 입력광의 편광에 무관하게 안정된 출력 파워를 얻을 수 있게 하는 위상정합용 궤환수단으로 구성하여 종래보다 제작이 용이하면서도 속도면에서 개선된 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019960009244A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019940019494

申请日：1994-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  안주헌 ,  김홍만

IPC: H01L31/14

Abstract: 본 발명은 광스위치의 광도파로와 반도체 광증폭기를 최적화시키는 반도체 광증폭기의 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 n형의 화합물 반도체 기판(15)상에 형성되는 도핑되지 않은 화합물 반도체 도파로층(14)과, 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)이 홈모양으로 선택식각되는 도파로(3)영역과, 상기 홈모양의 도파로(3)영역상에 형성된 홈모양의 광증폭기(1)영역의 도핑되지 않은 반도체 화합물 활성층(11) 및 반도체 화합물 클래드층(10), 화합물 반도체 캡층(9)과, 상기 홈모양의 측면에 형성된 전류차단층을 포함하는 구조를 이루고 있다.
또한 본 발명의 제조방법은 도파로층 도핑되지 않은 InGaAsP(14)과 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)을 1차 결정 성장시키는 단계와, 선택식각액으로 증폭기(1)영역의 도파로층 InGaAsP(14)과 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)을 홈모양으로 선택식각하는 단계와, 증폭기의 도핑되지 않은 활성층 InGaAsP(11), 클래드층 p-InP(12) 및 p+-InGaAs(9)을 제 2 차 결정시키는 단계와, 도파로를 식각하고 전극을 증착하는 단계로 이루어진다.
상기한 바와같이 본 발명은 2회의 결정 성장만으로도 제작이 가능하며 전류를 차단시킬 수 있으며, 옴저항을 최소화 할 수 있으며 일정 부분에 반송자의 집속시켜 입력광에 대한 효과적인 이득을 얻어 일정한 광이득을 얻기 위한 동작전류를 최소화 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010016728A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990031781

申请日：1999-08-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안주헌 ,  황월연 ,  이명현 ,  이형종 ,  오민철 ,  한선규 ,  김해근

IPC: G02B6/10

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of polymer arrayed waveguide wavelength multiplexing/demultiplexing optical element is provided to be simplify in its process by using polymer material and utilize a silicon nitride thin film as a dry etching mask, thereby reducing the insertion loss and cross talk rate of the elements. CONSTITUTION: A polymer waveguide lower clad layer(22) and a polymer waveguide core layer(24) are sequentially coated on a semiconductor substrate(20). Then, an insulation film pattern for an etching mask is formed on the resultant. Next, a portion of the polymer core layer(24) is etched to form a polymer waveguide pattern by using the insulation film pattern as a dry etching mask. Finally, a polymer waveguide upper clad layer(28) is formed on the resultant(20).

Abstract translation: 目的：提供聚合物阵列波导复用/解复用光学元件的制造方法，通过使用聚合物材料简化其工艺过程，并利用氮化硅薄膜作为干蚀刻掩模，从而降低插入损耗和串扰率 元素。 构成：聚合物波导下包层（22）和聚合物波导芯层（24）依次涂覆在半导体衬底（20）上。 然后，在所得物上形成用于蚀刻掩模的绝缘膜图案。 接下来，通过使用绝缘膜图案作为干蚀刻掩模来蚀刻聚合物芯层（24）的一部分以形成聚合物波导图案。 最后，在所得的（20）上形成聚合物波导上包层（28）。

公开(公告)号：KR1020010010639A

公开(公告)日：2001-02-15

申请号：KR1019990029628

申请日：1999-07-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안주헌 ,  황월연 ,  이명현 ,  이형종 ,  오민철 ,  한선규 ,  김해근

IPC: G02B6/28

Abstract: PURPOSE: A polymer waveguide grating wavelength division optical device using a GaAs board and a fabrication method thereof are provided to improve the property of the device, and to achieve the integration with the other active device. CONSTITUTION: A n-GaAs lower clad layer(2), an i-lnGaAs absorption layer(3), a p-GaAs upper clad layer(4), and a p-lnGaAs layer(5) are formed on a n-GaAs substrate using a semiconductor thin film deposition equipment for forming an optical detector device. A waveguide of the optical detector device is patterned using an optical etching method. The area around the pattern is coated using a polyimide, thereby limiting the electric property of the optical detector device. A p-ohmic metal layer is formed on the optical detector device, and a n-ohmic metal layer(8) is formed under the optical detector device. A SiNx thin film is deposited on the whole GaAs substrate. A polymer optical waveguide lower clad layer(9), a polymer optical waveguide core layer(10), and a polymer optical waveguide upper clad layer(12) are successively formed using a spin coating method. The polymer material deposited on the optical detector device and the SiNx thin film are removed using a BOE etching solution. A cross section for input and output of a light wave is formed using a cleaving method and a polishing method. In this way, the fabrication of the optical detector device is completed.

Abstract translation: 目的：提供一种使用GaAs板的聚合物波导光栅波长分割光学器件及其制造方法，以提高器件的性能，并实现与其他有源器件的集成。 构成：在n-GaAs上形成n-GaAs下包层（2），i-InGaAs吸收层（3），p-GaAs上覆层（4）和p-InGaAs层（5） 使用用于形成光学检测器装置的半导体薄膜沉积设备的衬底。 使用光学蚀刻方法对光学检测器件的波导进行构图。 使用聚酰亚胺涂覆图案周围的区域，从而限制光学检测器装置的电性能。 在该光学检测器件上形成一个欧姆金属层，在该光学检测器件下方形成一个n-欧姆金属层（8）。 在整个GaAs衬底上沉积SiNx薄膜。 使用旋涂法连续形成聚合物光波导下包层（9），聚合物光波导芯层（10）和聚合物光波导上包层（12）。 使用BOE蚀刻溶液除去沉积在光学检测器件和SiNx薄膜上的聚合物材料。 使用切割方法和抛光方法形成光波的输入和输出的横截面。 以这种方式，完成了光学检测器装置的制造。

公开(公告)号：KR100226442B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019970054781

申请日：1997-10-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이명현 ,  한선규 ,  이형종 ,  안주헌 ,  원용협

IPC: C08G65/48 ,  C08G65/34

Abstract: 본 발명은 하기 화학식(1)을 갖는 에티닐기를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌 에테르계 고분자, 그의 제조방법 및 이를 사용하는 통상의 방법으로 광도파로형 광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 고분자는 주쇄 구조에서의 높은 불소 치환으로 분자 진동에 의한 물질 고유의 광통신 영역에서의 광흡수를 배제할 수 있으므로 고분자 광소자의 가장 큰 문제점인 광진행 손실을 크게 낮출 수 있다. 또한 고분자 말단에 열경화성 에티닐기가 도입됨으로 인해 고분자 매트릭스의 열가교를 통한 내화학성이 향상되어 다층 박막 공정이 가능하며, 500℃ 이상에서도 열적으로 분해 및 승화되지 않는 열안정성이 뛰어난 우수한 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.
(화학식 1)

公开(公告)号：KR1019990050539A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970069671

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 한선규 ,  이혁재 ,  이명현 ,  안주헌 ,  이형종 ,  강석열

IPC: H04L12/52

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 공간 병렬형 광 페이지의 시간 분할 교환 장치 및 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은, 화상 정보를 비트 단위로 처리하지 않고 그대로 전송 및 교환하여, 대용량의 광신호 처리를 저속의 제어 시스템으로도 가능토록 하고, 대용량의 광 정보를 기존의 전자 교환 장치로 용이하게 처리토록 하는 공간 병렬형 광 페이지의 시간 분할 교환 장치 및 방법을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 화상 신호를 시간축 상에 일직선으로 늘어 놓는 형태로 시간 다중화를 하는 시간 다중화 수단과, 다중화된 신호를 전송받아 교환하고자 하는 채널간에 각 시간 슬럿을 바꿔 치기하는 시간 슬럿 교환 수단, 및 시간 슬럿 교환 수단으로부터 위치가 바꾸어진 화상 신호를 전송받아 채널별 신호로 분리 시키는 시간 역다중화 수단을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 광 전송 및 교환 시스템에 이용됨.