公开(公告)号：KR1019970031123A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950042601

申请日：1995-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  장동훈 ,  이중기 ,  박철순 ,  조호성

IPC: H01S5/10

Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 상부 및 하부 표면을 갖는 제 1 도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성된 제 1 도전형의 제 1 클래드층과, 상기 제 1 클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제 1 광도파로층과, 상기 제 1 광도파로드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제 1 광도파로층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절률이 작은 상기 제 1 광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제 2 클래드층과, 상기 제 2 광도파로층 상부에 소정 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성되며 광굴절률이 제 2 광도파로 보다 작은 서브 릿지와, 상기 서브 릿지의 상부에 서브 릿지 보다 좁은 폭을 갖고 길이 방향으로 게 형성된 제 2 도전형의 제 2 클래드층과, 상기 제 2 클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제 2 도전형의 오믹접촉층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면과 상기 릿지의 오믹접촉층에 형성된 제 1 및 제 2 도전형 전극을 포함한다. 따라서, 고출력 동작시 공진기 내의 광출력 밀도를 낮게하여 고차 모드 발생에 의한 방사 패턴의 변화를 방지하여 레이저 다이오드 모듈에서 출력되는 광량과 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960014732B1

公开(公告)日：1996-10-19

申请号：KR1019920025018

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  유지범 ,  박경현 ,  김홍만 ,  장동훈 ,  이중기

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2081

Abstract: an active layer(32) of a strained quantum well structure and a waveguide layer(33) formed on an InP substrate(31); a p-electrode metal stripe(38) having a width of "r" formed on a ridge comprising a cladding layer(34) and an ohmic contact layer(35); and a dielectric material(39) having an ohmic contact window stripe of "w" where, "w" is smaller than "r", and a p-side bonding pad metal(40) formed on the p-electrode metal stripe(38) in sequence.

Abstract translation: 应变量子阱结构的有源层（32）和形成在InP衬底（31）上的波导层（33）; 在包括覆层（34）和欧姆接触层（35）的脊上形成宽度“r”的p电极金属条（38）; 以及电介质材料（39），其中“w”小于“r”的欧姆接触窗条“w”，以及形成在p电极金属条（38）上的p侧接合焊盘金属 ） 按顺序。

公开(公告)号：KR1019960006752B1

公开(公告)日：1996-05-23

申请号：KR1019920024463

申请日：1992-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  이중기 ,  박경현 ,  김홍만

IPC: H01L33/00

Abstract: The integrated optical source of an optical converter includes a first conductivity type first isolation layer(2) formed on a semiconductor substrate(1), a first undoped multi-quantum well layer(3) having an energy gap narrower than that of the first isolation layer(2), formed on the first isolation layer(2), a first conductivity type second isolation layer(4) formed of the same material as the first isolation layer(2) on the first multi-quantum well layer(3), a second undoped multi-quantum well layer(5) having an energy gap narrower than that of the first multi-quantum well layer(3), formed on the second isolation region(4), a first conductivity type third isolation layer(6) formed on the second multi-quantum well layer(5), a second conductivity type clad layer(9) having an energy gap wider than those of the first, second and third isolation layers(2,4,6), formed on the third isolation layer(6), a heavily doped second conductivity type cap layer(10) formed on the clad layer(9), first and second electrodes(12) formed on a semiconductor laser region and optical converter region on the cap layer(10) and a common electrode(13) formed on the bottom of the substrate(1).

Abstract translation: 光转换器的集成光源包括形成在半导体衬底（1）上的第一导电类型的第一隔离层（2），具有比第一隔离窄的能隙的第一未掺杂多量子阱层（3） 形成在第一隔离层（2）上的由第一多量子阱层（3）与第一隔离层（2）相同的材料形成的第一导电类型的第二隔离层（4） 形成在第二隔离区域（4）上的具有比第一多量子阱层（3）的能隙窄的能隙的第二未掺杂多量子阱层（5），第一导电型第三隔离层（6） 形成在所述第二多量子阱层（5）上的第二导电型覆盖层（9），其具有比所述第一，第二和第三隔离层（2,4,6）的间隙宽的能隙， 隔离层（6），首先形成在覆盖层（9）上的重掺杂的第二导电型覆盖层（10） 以及形成在半导体激光器区域上的第二电极（12）和在盖层（10）上的光转换器区域和形成在基板（1）的底部上的公共电极（13）。

公开(公告)号：KR100540891B1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：KR1019990062443

申请日：1999-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  이중기 ,  장동훈

IPC: H01S5/026

Abstract: 본 발명은 파장분할 다중화방식의 광통신시스템에서 사용되는 다파장 어레이 레이저모듈에서 광출력을 검지할 목적으로 탑재되는 모니터 광검출기를 선택적 MOCVD 결정 성장법을 이용하여 간단하게 제작하는 방법에 관한 것이다. 광검출기 어레이는 다파장 어레이 광원에서 각 파장의 세기를 독립적으로 검지하고 각 파장의 흔들림을 광 출력의 변화로써 검지하여 그 결과를 반도체 레이저의 구동부 및 온도 제어부로 궤환시켜 파장 안정화의 기능을 갖게 한다. 발명에서는 각 파장의 출력을 독립적으로 검출할 수 있는 여러 개의 단위 검출기를 단 한 번의 선택적 MOCVD 결정 성장법을 이용하여 단일 칩 집적화할 수 있다. 즉 동일 웨이퍼 평면에 여러 개의 독립 흡수 파장을 갖는 InGaAsP/InGaAsP 다중 양자우물 흡수층이 성장되는 선택적 MOCVD 결정 성장법을 이용하여 여러 파장을 독립적으로 검출할 수 있는 광검출기 어레이를 제작한다.

公开(公告)号：KR1020010054750A

公开(公告)日：2001-07-02

申请号：KR1019990055705

申请日：1999-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  이중기 ,  장동훈

IPC: H01S5/20

Abstract: PURPOSE: A single wavelength semiconductor laser having plural integrated monitor photodetector which has different absorption wavelength band is provided to be used as the photoelectric source of a WDMA system. CONSTITUTION: In the method of manufacturing a single wavelength semiconductor laser, a diffraction grating layer(3) is formed on an n-InP substrate(2) through holographic or exposure method. In turn, layers of multiple quantum well activation layer(4), a photoelectric Ga layer(5), a p-InP clad layer(6) and a p-InGaAs layer(7) are formed. And a monitor PIN photoelectric detector is formed after etching. An InGaAsP/InGaAs layer(12) is formed on the exposed part of the n-InP substrate(2) and a p-InGaAsP layer(17) is formed making a first photoelectric detector along with the InGaAsP/InGaAs layer(18). Then a second photoelectric detector is formed with a semi-insulating InP layer(15), an n-InGaAs layer(14), an InGaAsP/InGaAs layer(12), a p-InP clad layer(11) and a p-InGaAs layer(10). A separating layer(9) is formed by inserting semi-insulating InP in to a trench formed by etching separating area for layer and photoelectric detection. Finally, a pair of electrodes are connected to the device.

Abstract translation: 目的：提供具有不同吸收波长带的多个集成监视器光电检测器的单波长半导体激光器作为WDMA系统的光电源。 构成：在制造单波长半导体激光器的方法中，通过全息或曝光方法在n-InP基板（2）上形成衍射光栅层（3）。 反过来，形成多量子阱激活层（4），光电Ga层（5），p-InP包覆层（6）和p-InGaAs层（7）的层。 并且在蚀刻之后形成监视器PIN光电检测器。 在n-InP衬底（2）的暴露部分上形成InGaAsP / InGaAs层（12），并且形成与InGaAsP / InGaAs层（18）一起形成第一光电检测器的p-InGaAsP层（17）。 然后，第二光电检测器形成有半绝缘InP层（15），n-InGaAs层（14），InGaAsP / InGaAs层（12），p-InP包层（11）和p-InGaAs 层（10）。 通过将半绝缘InP插入到通过蚀刻用于层的分离区域和光电检测形成的沟槽中来形成分离层（9）。 最后，一对电极连接到设备。

公开(公告)号：KR100277719B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019980054710

申请日：1998-12-12

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  남은수 ,  장동훈

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 발진 파장 선택성 반도체 레이저소자에 관한 것으로, 본 발명은 공진기 길이방향으로 개별 p-전극과 활성층으로 구성된 4개의 영역과, 상기 4개의 영역 중 하나를 구성하며 광도파로에 연속회절격자가 형성된 구조의 제1반사영역과, 상기 4개의 영역 중 하나를 구성하며 주기성 회절격자가 형성된 구조의 제2반사영역과, 상기 4개의 영역 중 하나를 구성하며 상기 제1 및 제2반사영역 사이에 형성되는 광이득 영역과, 상기 4개의 영역 중 나머지 하나를 구성하며 상기 제1 및 제2반사영역 사이에 형성되는 위상 보정 영역을 구비하여, 발진 파장 선택성 LD는 하나의 광소자 칩에서 임의의 WDM 광파장을 출력할 수 있어 상기 기존 광원을 대체하고, 기존의 다수의 LD와 광결합기로 구성된 광원이 가지는 고가격, 구성의 복잡성을 해소한다.

公开(公告)号：KR100275520B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980026477

申请日：1998-07-01

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 방사각 조절 평면 매립형 반도체 레이저 장치에 관한 것으로, 반도체 레이저의 활성영역을 형성하기 위하여 에피 결정성장 후 방사각 조절영역의 광흡수 억제를 위한 식각 및 결정성장 없이 활성층 영역을 정의하기 위한 메사식각 공정에서 방사각 조절 광도파로를 제작함으로써 방사각 조절 광도파로를 통하여 작은 방사각을 얻어 광섬유와의 높은 광결합 효율을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100274155B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019970037477

申请日：1997-08-06

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A high power semiconductor laser having a ridge wave guide structure and a manufacturing method thereof are provided to suppress occurrence of higher order modes during a high power operation and obtain a stable basic mode operation characteristics even at high power by reducing a change in an effective refractive index in edge portions of the semiconductor laser. CONSTITUTION: A multiple quantum well structure of a buffer layer(5), a clad layer(6), an active layer(8), a clad layer(10), and an ohmic contact layer(12) is grown on a substrate(4) by a MOCVD or other growing method. Then, a semiconductor laser having a ridge wave guide structure having a ridge portion(16) and a channel portion(17) is produced by processes of photo-resist masking, and coating an insulating layer and electrodes. After etching the ridge portion, boundary regions with the channel portion are ion-implanted with a predetermined dopant material using a photo-resist mask or an oxide-mask so as to have alleviated bandgap and effective refractive index. After masking the ion-implanted regions, new regions in the vicinity of the ion-implanted regions are ion-implanted with a new dopant material using a photo-resist mask or an oxide-mask. The ion-implantations are repeated by the number of kinds of dopant materials to be implanted. The ion-implantations are repeated with dopant materials having bandgaps different from the bandgap or with different effective refractive indices according to depth of ion-implantation and dose of dopants. The resultant structure are subjected to an annealing process to produce a high power semiconductor laser having a ridge wave guide structure.

Abstract translation: 目的：提供具有脊波导引结构的高功率半导体激光器及其制造方法，以抑制高功率操作期间的高阶模式的发生，即使在高功率下也能够通过减少高功率的变化而获得稳定的基本模式操作特性 在半导体激光器的边缘部分的有效折射率。 构成：在衬底上生长缓冲层（5），包覆层（6），有源层（8），包覆层（10）和欧姆接触层（12）的多量子阱结构（ 4）通过MOCVD或其他生长方法。 然后，通过光刻胶掩模和涂覆绝缘层和电极的工艺制造具有脊部分（16）和沟道部分（17）的脊波导构造的半导体激光器。 在蚀刻脊部之后，使用光刻胶掩模或氧化物掩模，用预定的掺杂剂材料离子注入具有沟道部分的边界区域，以便减小带隙和有效折射率。 在掩蔽离子注入区域之后，使用光致抗蚀剂掩模或氧化物掩模，用离子注入区域附近的新的掺杂剂材料离子注入离子注入区域。 通过待植入的掺杂剂材料的种类数来重复离子注入。 用离子注入深度和掺杂剂剂量的带隙不同于带隙或不同有效折射率的掺杂剂材料重复离子注入。 对所得结构进行退火处理，以制造具有脊波导构造的高功率半导体激光器。

公开(公告)号：KR100243686B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970022975

申请日：1997-06-03

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  이중기 ,  장동훈

IPC: H01S5/227

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 레이저 제조 분야
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 부가 공정 없이 고출력을 얻을 수 있으며, 동시에 광섬유와 광결합 효율을 증가시키기 위하여 출력광의 크기를 증가시킬 수 있는 평면 매립형 반도체 레이저 장치를 제공하고자 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 전면으로부터 후면을 향하여 그 폭이 선형적으로 증가하는 제1 영역과, 상기 선형 영역의 끝단의 폭을 상기 후면까지 연장한 제2 영역을 포함하는 활성층을 제안 하였다.
4. 발명의 중요한 용도
광통신, 특히 광송신기에 이용됨.

公开(公告)号：KR100243659B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970015138

申请日：1997-04-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01L31/12

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광소자 및 그 제조 방법
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
기존의 광소자는 발광 또는 수광의 단일 기능을 가지는 개별 소자로 제조됨으로써 한 개의 소자가 하나의 기능만을 수행할 뿐 동시에 여러 기능을 함께 수행하는 것이 불가능하여 단일 기능을 가지는 기존의 광소자 여러 개로 이루어지는 광통신 단말기는 구성이 복잡하고 가격이 높은 단점이 있다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
광 신호 송신, 수신 및 검출 기능을 수행하는 개별 레이저 다이오드, 포토다이오드 및 광출력 검출을 위한 모니터 포토다이오드 광소자가 하나의 소자 내에 구성되어 광통신 단말기를 이루는 복합 기능 광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
광소자 및 그 제조 방법에 이용됨