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公开(公告)号：KR100358354B1
公开(公告)日：2002-10-25
申请号：KR1019990062442
申请日：1999-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/20
Abstract: 본발명은파장분할다중방식의광통신시스템에서필요로하는여러파장의빛을방출하는단일칩다파장반도체레이저어레이광원모듈및 그제작방법에관한것이다. 이러한파장분할다중화방식의광 통신시스템에서필요로하는여러파장의빛을방출하는다파장반도체레이저어레이는, 모듈기판에정렬되어파장별광 출력의세기가일정하고발산각이작은광을방출하는다수의반도체광 증폭기와, 상기반도체광 증폭기에서방출되는출력광에서원하는파장을선별하여궤환시키는다수의브래그광섬유를포함한다. 반도체광 증폭기의빛이도파되는활성층의횡방향폭은활성층의후방면에서부터출사면으로갈수록점점좁아지게형성되며, 활성층의후방면에는고반사막이형성되고, 활성층의출사면에는무반사막이형성된다.
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公开(公告)号：KR1020010058227A
公开(公告)日：2001-07-05
申请号：KR1019990062443
申请日：1999-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/026
Abstract: PURPOSE: A multi-wavelength optical detector array and manufacturing method are provided to detect several wavelength at same wafer by making a single chip integration a multi-wavelength detector using selective MOCVD crystal growing method. CONSTITUTION: A n-InP substrate(22) and a n-InP buffer layer(23) and an absorption layer(25) to absorb a several wavelength and p-InP layer(26) is laminated in turn. The absorption layer(25) absorbs the several wavelength. A semi-insulated InP sequestering layer(24) isolates the p-InP layer(26) by wavelength absorbed. The n-InP buffer layer(23) is formed on the n-InP substrate(22). The absorption layer(25) to absorb several wavelength is grown on the n-InP buffer layer(23). The p-InP layer(26) is grown on the absorption layer(25). The semi-insulated InP sequestering layer(24) is grown after etching from the p-InP layer(26) to the n-InP buffer layer(23), and then the absorption layer(25) and the p-InP layer(26) is isolated by wavelength. The non-reflective layer(27) and electrode(21,28) is formed at the result of above stage.
Abstract translation: 目的：提供多波长光学检测器阵列和制造方法，通过使用选择性MOCVD晶体生长方法将单波长检测器单芯片集成在同一晶片上，检测多个波长。 构成：依次层叠n-InP衬底（22）和n-InP缓冲层（23）和吸收几个波长和p-InP层（26）的吸收层（25）。 吸收层（25）吸收几个波长。 半绝缘InP隔离层（24）通过吸收的波长隔离p-InP层（26）。 n-InP缓冲层（23）形成在n-InP衬底（22）上。 在n-InP缓冲层（23）上生长吸收多个波长的吸收层（25）。 在吸收层（25）上生长p-InP层（26）。 半绝缘InP隔离层（24）在从p-InP层（26）蚀刻到n-InP缓冲层（23），然后吸收层（25）和p-InP层（26 ）被波长隔离。 在上述阶段的结果形成非反射层（27）和电极（21,28）。
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公开(公告)号：KR1020000020359A
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980038955
申请日：1998-09-21
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2068 , H01S5/2081 , H01S5/209
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating semiconductor laser is provided to suppress decrease of beam converting efficiency by light absorption in an ion implantation region and to prevent beam steering phenomena by suppressing oscillation of a high dimensional mode. CONSTITUTION: A fabrication method comprises forming a lower clad layer, an active layer, a first upper clad layer, an etch stopper, a second upper clad layer and an ohmic contact layer. A photoresist pattern is formed on the ohmic contact layer, opening a channel region and covering a ridge region between the adjacent channel regions. A channel is formed by removing the ohmic contact layer and the second upper clad layer by wet etch and at the same time a narrower ridge than the photoresist pattern. An ion implantation region is formed by implanting ions in the first upper clad layer and the active region.
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体激光器的方法，以通过离子注入区域中的光吸收来抑制光束转换效率的降低，并且通过抑制高尺寸模式的振荡来防止光束转向现象。 构成：制造方法包括形成下包层，有源层，第一上覆层，蚀刻停止层，第二上覆层和欧姆接触层。 在欧姆接触层上形成光致抗蚀剂图案，打开通道区域并覆盖相邻通道区域之间的脊区域。 通过湿蚀刻去除欧姆接触层和第二上覆层，同时形成比光致抗蚀剂图案更窄的脊，形成通道。 通过在第一上部包层和有源区域中注入离子形成离子注入区域。
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公开(公告)号：KR100246605B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970064100
申请日：1997-11-28
IPC: H01S5/30
Abstract: 0.98㎛ 파장대에서 발진하는 반도체 레이저는 에르비움(Er)이 도핑된 광섬유 증폭기의 여기 광원으로 사용되고 있다. RWG(ridge waveguide)형 0.98㎛ 반도체 레이저를 고출력화 할 때 구동 전류에 대해 광출력이 선형 비례하지 않고 굴곡하는 킹크(kink) 현상과 광출력의 방향이 휘는 빔 스티어링(beam steering) 현상이 불가피하게 수반되어 여기 광원으로서의 활용성을 극히 저하시킨다. 본 발명에서는 기존의 고출력 0.98㎛ 반도체 레이저에 발생하는 킹크와 빔 스티어링을 억제시킨 새로운 구조의 RWG형 0.98㎛ 반도체 레이저 구조를 제공하고자 하며, 이를 달성하기 위한 본 발명의 0.98um 반도체 레이저는 종래의 RWG형 반도체 레이저가 20㎛ 정도의 폭을 가진 채널(channel) 사이에 형성된 3㎛∼5㎛ 폭의 단일 RWG로 구성되는데 반해, 1∼3㎛ 폭을 가진 다수의 좁은 채널과 공진기가 구비된 주 RWG 외에 고차 횡모드 결합용 부 RWG가 부가된 구조를 가진다. 즉, 주 RWG 공진기에서 발진하려는 고차 횡모드를 부 RWG 공진기로 결합시켜 소멸시킴으로써 주 RWG 공진기에 대해 킹크와 빔 스티어링의 원인이 되는 고차 횡모드 발진을 배제하여 광섬유가 부착된 여기 모듈로 제작되었을 때 모듈의 활용성을 높인다.
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公开(公告)号：KR100243417B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970049766
申请日：1997-09-29
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/16 , H01S5/10 , H01S5/1064 , H01S5/2231
Abstract: 본 발명은 기존의 0.98μm 반도체 레이저에서 발생하는 COD(catastrophic optical damage)에 의한 수명단축 현상을 없앤 새로운 RWG(ridge waveguide) 구조의 0.98μm 반도체 레이저에 대한 것이다. 0.98μm 반도체 레이저에서 발생하는 COD의 원인이 되는 광 출력면에서의 온도상승을 억제하기위해 출력면 부근의 RWG 영역을 형성시키지 않음으로써 광 출력 분포를 확대시켜주기 위하여, 공진기 길이 방향으로 출력면 끝을 기준하여 30μm 위치에서 스트라이프가 정지 되도록 소정 폭과 소정 길이의 리지(ridge)를 형성시켜, 공진기 양쪽 끝 부분은 도파로가 없는(non waveguide) 영역이 형성된 레이저 구조를 제공한다. 이에따라 공진기 내에서 발생한 빛이 양쪽 출력면 부근에서는 증폭되지 않고 단순히 유효 굴절률이 다른 물질을 통과하도록 하여주어 횡 방향으로 광 출력 분포가 넓어지도록 하여 출력면에서의 열을 감소시킴으로써 고출력으로 오랜 시간 동작하여도 특성이 열화 되지 않는 반도체 레이저를 제공할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000000664A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980020411
申请日：1998-06-02
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser and method thereof are provided to achieve a high performance optical output property by using a planer buried semiconductor laser structure. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: defining an active region(302) using a mesa etching; regrowing current blocking layers(304,305,306) of p-n-p structure in order to inject currents into the active region; regrowing a p-InP cladding layer(306) and a p-InGaAs ohmic contact layer(307) on the active region(302); and regrowing a semi-insulating InP current blocking layer(309) in order to increase a modulation speed at both sides of the p-n-p current blocking layers.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体激光器及其方法，以通过使用平面掩埋半导体激光器结构实现高性能的光输出特性。 构成：该方法包括以下步骤：使用台面蚀刻来限定有源区域（302）; 重新生长p-n-p结构的电流阻挡层（304,305,306），以便将电流注入到有源区域中; 在有源区（302）上重新生长p-InP包覆层（306）和p-InGaAs欧姆接触层（307）; 并重新生长半绝缘InP电流阻挡层（309），以便增加p-n-p电流阻挡层两侧的调制速度。
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公开(公告)号：KR1019990042553A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063395
申请日：1997-11-27
Abstract: 본 발명은 광소자 제조 방법에 관한 것으로 특히, 집적형 광소자 제조에 필수적인 선택결정성장(Selective Area Growth)법에 있어서 선택결정성장층의 면 방향특성을 고려한 절연막 패턴을 이용하는 선택결정성장법에 관한 것으로, 선택결정성장층의 전기적 광학적 특성의 저하를 방지하기 위하여 절연막 패턴의 경계면에서의 결정성장의 면 방향 특성을 고려하여 결함의 발생을 억제할 수 있는 절연막 패턴을 이용한 선택결정성장법으로 결정성장을 한다. 그 실시예로서, 직사각형 모양으로 이루어지되, 연속된 직각이등변삼각형의 빗변이 상기 직사각형의 두변을 이루어 길이 방향으로 가장자리에 산과 골이 반복되는 톱니모양을 갖는 두 절연막 패턴을 이용한 선택결정성장을 실시한다.
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公开(公告)号：KR1019980044611A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062713
申请日：1996-12-07
IPC: H01S3/0941
Abstract: 본 발명은 기존의 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은 띠에 의한 광출력의 방사 중심축 굴절 현상을 없앤 이온 주입 공정을 이용한 0.98㎛ 반도체 레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은 띠의 제거는 반도체 레이저의 공진기를 따라 주기적으로 이득 변화를 주면 된다. 즉, 공진기 내에서의 밝은 띠 발생의 원인인 이득 분포를 다른 형태로 바꿈으로써 가능하게 된다. 본 발명에서는 활성층 위에 이온주입 공정을 통한 절연층을 형성시켜 활성층으로 주입되는 전하 밀도를 조절함으로써 공진기 길이 방향으로의 빛의 불균형 분포를 상쇄시키는 방법에 관하여 기술하였다.
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公开(公告)号：KR1019980044007A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960061998
申请日：1996-12-05
IPC: H01S3/0947
Abstract: 본 발명은 고출력에서도 고차 모드의 발진을 억제하여 기본 모드로 동작 하므로서 안정된 광출력을 내는 고출력 반도체 레이저에 관한 것이다.
고출력화는 반도체 레이저 자체의 고출력화와 모듈로 제작 시 반도체 레이저와 부착 광섬유 사이의 광결합 효율을 높이는 문제로 나누어 생각 할 수 있다. 현재 반도체 레이저의 고출력화와 일반 반도체 레이저와 광섬유 사이의 광력합의 고 효율화는 크게 진전되어 있으나 양자를 결합하여 반도체 레이저 모듈을 제작할 때에는 반도체 레이저로부터 방사되는 광출력의 형태(방사 패턴)가 반도체 레이저의 동작조건에 따라 변함으로써 결과적으로 반도체 레이저 모듈의 성능을 나쁘게 하고 있다. 이와같은 광출력의 형태는 기본모드가 아닌 고차모드로 동작시 광결합 효율은 나빠지게 되므로 고출력 반도체 레이저에 있어서 고차모드의 발생 억제가 필수적이다. 따라서 본 발명은 고출력 동작시 고차모드의 발생을 억제하기 위하여 RWG 반도체 레이저의 Channel 부분에 Zn, Be, Si 등의 원소를 확산 또는 Implant 공정을 통하여 channel 부분과 Ridge 부분의 경계부를 일부 흔정화 시키므로서 급준한 유효굴절율 변화를 완화 시켜 고출력 동작시에도 고차모드 동작을 억제 시켜 고출력에서도 광결합 효율이 좋은 기본모드로 동작 하게 하는 구조의 제작에 있다.-
公开(公告)号：KR1019970054969A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950052687
申请日：1995-12-20
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성되어 공진기로 이용되는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층보다 광굴절률이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2광도파로층과, 상기 제2광도파로층의 상부에 상기 형성된 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상술한 구조의 상기 활성층의 공진기의 길이 방향 양측면에 광의 출력을 높히기 위한 각각 형성된 무반사막 및 고반사막과, 상기 반도체기판의 하부 표면과 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 상기 공긴기의 길이 방향과 수직인 방향으로 소정 폭으로 형성된 분리층에 의해 분리되고 소정의 저항 차이를 갖는 제1 및 제2P형 전극을 구비한다.
따라서, 공진기 내부의 전하 밀도와 이득 분포가 무반사막 및 고반사막 영역에 균일하게 분포시켜 공간 홀버닝 현상 및 다모드 발진을 방지하여 광출력을 향상시킬 수 있다.
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