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公开(公告)号：KR100349661B1
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：KR1019990061160
申请日：1999-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/32
Abstract: 본발명에서는반도체레이저에미세다공진기구조의광필터를집적(Monolithic 또는 Hybrid 집적)시켜파장에따른투과광량을광검출기를통하여측정함으로서파장변화에따른광강도변화를측정하여광원에부착된온도조절기를통하여온도를조절함으로서미세한광파장변화를측정하고보정하여광원의파장을일정하게고정시킬수 있다. 이와같은특성을얻기위하여서는광필터역할을하는미세다공진기가집적화된반도체레이저가필수적이며, 일반적으로반도체와폴리이미드(Polyimide)(또는공기)의온도에따른굴절율변화는반대이므로폴리이미드의선택에따라온도에따른평균유효굴절율(effective refractive index)의변화가없도록제어할수 있으므로온도변화에무관한광파장필터의효과를얻을수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010063877A
公开(公告)日：2001-07-09
申请号：KR1019990061981
申请日：1999-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: PURPOSE: A horizontal resonance surface discharging type semiconductor laser using an electrooptic effect is provided to obtain stable output polarization by applying a voltage to a part of a resonator mirror, and effectively control a direction of the output polarization by changing the direction of the applied voltage. CONSTITUTION: The horizontal resonance surface discharging type semiconductor laser includes a compound semiconductor substrate(9). The first resonance mirror(3) is formed on the compound semiconductor substrate(9). The first clad layer is formed on the first resonance mirror(3). A gain medium layer(2) is formed on the first clad layer. The second clad layer is formed on the gain medium layer(2). A resistance material layer(7) is formed on the second clad layer. The second resonance mirror(1) is formed on the resistance material layer(7). An electrode(5) guide the electrooptic effect by closing to the second resonance mirror(1).
Abstract translation: 目的：提供使用电光效应的水平共振表面放电型半导体激光器，以通过向谐振镜的一部分施加电压来获得稳定的输出偏振，并且通过改变施加电压的方向来有效地控制输出偏振的方向 。 构成：水平共振表面放电型半导体激光器包括化合物半导体衬底（9）。 第一共振镜（3）形成在化合物半导体衬底（9）上。 第一包层形成在第一共振镜（3）上。 增益介质层（2）形成在第一覆层上。 第二包层形成在增益介质层（2）上。 电阻材料层（7）形成在第二覆盖层上。 第二共振镜（1）形成在电阻材料层（7）上。 电极（5）通过关闭第二共振反射镜（1）来引导电光效应。
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公开(公告)号：KR100289043B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019980016754
申请日：1998-05-11
Abstract: PURPOSE: A vertical fluorescent integrated circuit is provided to perform simultaneously a light emitting function and a light receiving function by forming a laser diode and a photo diode into one device. CONSTITUTION: A lower resonator(3) is installed on a semiconductor substrate(1) in order to transmit an optical signal having a wavelength of 1.3 micro meter and receive an optical signal having a wavelength of 1.55 micro meter. An upper resonator(5) is laminated on the lower resonator(3). The upper resonator(5) is used for coupling and detecting the optical signals of 1.55 micro meter when a backward bias is applied. An auxiliary optical waveguide(12) is installed between the lower resonator(3) and the upper resonator(5) in order to prevent transmission of the optical signal of 1.3 micro meter to the upper resonator(5) or couple efficiently the optical signals of 1.33 micro meter. Cathodes(10,9) are formed on the substrate(1) and a metal contact layer(7), respectively. A common anode is formed on the optical waveguide(12).
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公开(公告)号：KR100248431B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019960062714
申请日：1996-12-07
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 종래의 0.98㎛ 반도체 레이저가 고출력으로 동작할 때 발생하는 열을 효과적으로 발산시켜 반도체 레이저의 온도에 따른 발진파장 변화를 감소시키고 양자효율을 증가시켜 반도체 레이저의 특성을 향상시킨 새로운 0.98㎛ 반도체 레이저의 구조에 관한 것으로, 활성층 좌우의 빛이 유도되지 않는 영역을 식각한 다음 반도체 레이저 칩을 솔더를 이용하여 칩고정용기판에 접속하고, 칩고정용기판에 열발산을 위한 TEC를 접속한 구조를 갖는 반도체 레이저를 제조하였다.
이에 의해 본 발명의 반도체 레이저는 리지(ridge) 좌우의 활성층 영역을 식각하여 열 발생의 주된 원인인 활성층과 금속층간의 거리를 좁혀준 새로운 형태의 방열구조를 제공하는 것에 의해 반도체 레이저의 효율이 향상되었다.-
公开(公告)号：KR100238422B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970032813
申请日：1997-07-15
IPC: H01L31/153 , H01L27/14
Abstract: 본 발명은 단파장 발광, 장파장 수광 및 단파장 광출력의 감시 기능이 단일 칩(chip) 내에 복합된 다기능 광소자의 구조에 관한 것으로서, 반도체 레이저(LD)의 빛이 광검출기(PD) 영역으로 전파하는 것을 방지하기 위해 LD 공진기의 한쪽 거울면으로서의 효과를 가지는 회절격자를 LD 영역의 일부에 형성하고, 단파장 LD와 장파장 PD 사이에 LD의 광출력을 흡수하여 검출하면서 동시에 LD의 빛이 PD 쪽으로 전파하는 것을 차단하는 m-PD의 영역을 삽입한 것을 특징으로 하며, 복합 기능 광소자는 1.3㎛ 파장의 광 신호 송신, 1.55㎛ 파장의 광 신호 수신 및 1.3㎛ 파장의 광 신호 세기 검출 기능을 동시에 수행함으로써, 광소자 여러개를 사용할때의 광통신 단말기의 구성이 복잡해지고 가격이 높아지는 것을 해소하고, 광 가입자망에서 전화국의 단말기를 구성하는 개별 LD, PD 및 m-PD 광소자를 대체할 수 있는 효과를 가진다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990043118A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064104
申请日：1997-11-28
IPC: H01S5/30
Abstract: 0.98㎛ 파장대에서 발진하는 반도체 레이저는 에르비움(Er)이 도핑된 광섬유 증폭기의 여기 광원으로 사용되고 있다. RWG(ridge waveguide)형 0.98㎛ 반도체 레이저를 고출력화 할 때 구동 전류에 대해 광출력이 선형 비례하지 않고 굴곡하는 킹크(kink) 현상과 광출력의 방향이 휘는 빔 스티어링(beam steering) 현상이 불가피하게 수반되어 여기 광원으로서의 활용성을 극히 저하시킨다. 본 발명에서는 기존의 고출력 0.98㎛ 반도체 레이저에 발생하는 킹크와 빔 스티어링을 억제시킨 새로운 구조의 RWG형 0.98㎛ 반도체 레이저 구조를 제공하고자 하며, 이를 달성하기 위한 본 발명의 0.98㎛ 반도체 레이저는 종래의 반도체 레이저가 20㎛ 정도의 폭을 가진 채널 사이에 형성된 3㎛∼5㎛ 폭의 단일 RWG로 구성되는데 반해, 채널로부터 그 아래 활성층을 관통하는 영역에 걸쳐 광 흡수 효과를 가지는 이온 주입(ion implantation) 공정을 부가함으로써 고차 횡모드의 발진을 억제하는 기능을 가진다. 즉, RWG형 반도체 레이저의 공진기에서 발진하려는 고차 횡모드를 채널 하부의 이온 주입된 활성층에서 흡수, 소멸시킴으로써 고차 횡모드 발진에 수반되는 킹크(kink)와 빔 스티어링beam steering)의 발생을 배제하여 광섬유가 부착된 여기 모듈로 제작되었을 때 모듈의 활용성을 높인다.
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公开(公告)号：KR100155507B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940035492
申请日：1994-12-21
IPC: H01L31/12
Abstract: 본 발명은 광결합 효율을 높이기 위하여 집적광학형 광도파로를 적용한 광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법에 관한 것으로 반도체 발광 소자에 외부 광통신 시스템과의 접속을 위한 광섬유(pigtail fiber)를 부착한 형태로 패키징하여 제작되는 발광모듈의 패키징에 있어서 가장 어렵고 비용이 많이 드는 부분은 발광 소자와 부착 광섬유 사이의 광결합의 공정이다.
본 발명은 기존 발광모듈 제작시 발생하는 발광 소자와 단일 모드 광섬유 사이의 정렬오차에 의한 영향을 배제하면서 동시에 광출력-입력 면적 차이를 작게 함으로써 광결합 효율을 높이기 위한 광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법으로서 발광 소자에 광섬유를 부착하여 발광 모듈로 제작함에 있어 여러개의 역 깔때기형 코어가 배치된 집적 광학형 광도파로를 발광 소자와 단일 모드 광섬유 사이에 삽입하여 이루어짐을 특징으로 하는 것이다.-
公开(公告)号：KR100144789B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019950017305
申请日：1995-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 오믹접촉층 상부의 전극이 서로 소정 거리 이격되고 오믹접촉층의 길이 방향과 수직을 이루는 다수 개의 빗살을 갖는 빗의 형상으로 형성하여 활성층에서 광을 불연속적으로 발생시키거나, 또는, 리지형태인 제3클래드층과 오믹접촉층의 폭을 주기적으로 다르게하여 활성층에서 광을 공진기의 폭(W1)(W2)에 따라 서로 다른 횡모드 분포를 갖도록 발생시켜 공진기의 가장자리 부분에서 상대적으로 높은 이득에 의해 중심 부분 보다 밝게되는 광을 공진기의 길이 방향으로 짧은 길이를 갖도록 유도한다. 따라서, 높은 차수의 횡모드에 대응하는 밝은 띠가 짧게 무질서하게 형성되거나 발진자체를 억제하여 공진기의 기본 횡모드만 여기시킴으로써 출력되는 광의 방사 패턴의 중심 축이 굴절되는 것을 방지하여 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.
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