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11.发明授权
公开(公告)号：KR100706612B1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：KR1020050123772
申请日：2005-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01C10/06
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 박막저항의 저항값 보정 기능을 가진 50 오옴 단락 장치 및 그를 이용한 무선주파수 회로용 가변 저항 장치에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 박막저항의 특성상 얇은 평면구조 때문에 공정에 의해 필연적으로 발생하는 박막저항값의 오차를 줄이기 위해서 박막저항 공정 중에 추가적인 공정없이 와이어 본딩의 연결 상태에 따라 저항값이 결정되어 오차 값을 보상할 수 있는 50 오옴 단락 장치와 간단한 구조의 박막저항 회로를 이용하여 수백 가지의 저항값을 본딩의 연결 상태에 따라 변화시킬 수 있는 RF 회로용 가변저항 장치를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 박막저항의 저항값 보정 기능을 가진 50 오옴 단락 장치에 있어서, 접지와 연결하여 소정값의 저항을 배치하여 제1 노드와 연결하고, 상기 제1 노드와 직렬로 소정값의 저항을, 병렬로 소정값의 저항 2개를 배치하고, 상기 병렬 연결된 저항 2개 각각의 끝 부분에 차후 상호 연결을 위한 제1 패드를 배치하며, 상기 직렬 연결된 소정값의 저항 끝 부분의 제2 노드에서 상기 제1 노드와 마찬가지로 직렬 저항과 병렬 저항 2개를 배치하고, 각각의 끝 부분을 제2 패드로 구성되는 것을 특징으로 함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 고주파 통신 부품 등에 이용됨.
50 오옴 단락, 박막저항, 와이어 본딩, 가변 저항-
公开(公告)号：KR100611107B1
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020050053565
申请日：2005-06-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K17/00
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 고전력 고격리도 특성을 갖는 흡수형 RF 스위치에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 다수의 트랜지스터를 병렬 접지 형태로 연결하고 상기 트랜지스터 사이에 공진기를 삽입함으로써 고전력, 고격리도, 입출력 임피던스 정합 특성을 동시에 만족시키는 RF 스위치를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, RF 스위치로서, RF(Radio Frequency) 전송선로에 병렬 접지로 연결된 다수의 트랜지스터; 및 상기 다수의 트랜지스터 사이에 연결되어 상기 트랜지스터가 단락될 때 입출력 단자 간에 개방회로를 형성하여 삽입 손실을 증가시키는 다수의 공진기를 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 초고주파 및 마이크로파 대역의 통신 장치 등에 이용됨.
RF 스위치, 고전력, 고격리도, 트랜지스터, 공진기Abstract translation: 1.权利要求书中描述的发明所属的技术领域
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公开(公告)号：KR100572691B1
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：KR1020030077294
申请日：2003-11-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P5/10
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 브랜치라인 및 링 하이브리드를 이용한 더블밸런스드 믹서에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 더블밸런스드 믹서를 구성하는 LO 발룬과 RF 발룬을 각각 브랜치라인 마이크로스트립 하이브리드와 링 하이브리드를 이용하여 형성함으로써 구현의 용이성을 증대시킴과 아울러 광대역 특성을 갖게 하는, 브랜치 라인 및 링 하이브리드를 이용한 더블밸런스드 믹서를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 국부발진(LO: Local Oscillation) 발룬(Balun)과 무선신호(RF: Radio Frequency) 발룬을 포함하여 이루어지는 더블밸런스드 믹서에 있어서, 상기 LO 발룬은 브랜치라인 마이크로스트립 하이브리드를 이용하여 형성되고, 상기 RF 발룬은 링 하이브리드를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 함.
4, 발명의 중요한 용도
본 발명은 통신 중계 시스템 등에 이용됨.
더블밸런스드 믹서, 브랜치라인, 링 하이브리드, LO 발룬, RF 발룬, 초고주파, 광대역Abstract translation: 1.权利要求书中描述的发明所属的技术领域
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公开(公告)号：KR1020170036282A
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150135245
申请日：2015-09-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03H11/26
CPC classification number: H03K5/134 , H03K2005/00195
Abstract: 전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor)나유사반도체소자를이용하여초고주파대역에서이득을가지면서시간지연을발생시키는능동형시간지연장치가제공된다. 상기능동형시간지연장치는분산형증폭기구조로연결된적어도하나의전계효과트랜지스터(FET) 소자를이용하여입력신호를소정시간만큼지연시키는지연부, 및상기지연된신호를출력하는출력부를포함하며, 상기지연부는입력부및 상기출력부사이의전송선로상에배치될수 있다.
Abstract translation: 提供了一种有源时间延迟装置，其通过使用场效应晶体管或类似的半导体装置在具有非常高的频带中获得增益的同时产生时间延迟。 该有源时间延迟装置包括延迟单元和输出单元，该延迟单元使用连接在分布式放大器结构中的至少一个场效应晶体管（FET）元件将输入信号延迟预定时间，该输出单元输出延迟的信号， 该部件可以放置在输入线路和输出部件的传输线路上。
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公开(公告)号：KR1020150129087A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：KR1020120071849
申请日：2012-07-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04B1/0475 , H03D7/1408 , H03D2200/009
Abstract: 실시예에따른주파수혼합기는 E-대역과같이 70 GHz 이상의높은주파수를이용하는통신시스템용송신기에서로컬오실레이터에생성된 LO 신호의누설전력(Leakage)를최소화시킬수 있도록, 실시예는 LO 신호를출력하는발진부, 입력된 IF 신호를서로다른제1, 2 IF 신호로변환하는제1 변환기, 상기제1 IF 신호및 상기 LO 신호가혼합된제1 RF 신호및 제1 누설신호를출력하는제1 혼합기, 상기제2 IF 신호및 상기 LO 신호가혼합된제2 RF 신호및 제2 누설신호를출력하는제2 혼합기및 상기제1, 2 누설신호를혼합감쇄하며, 상기제1, 2 RF 신호가혼합된 RF 신호를출력하는제2 변환기를포함하는주파수혼합기를제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的本发明涉及一种混频器，其使得使用70GHz或更高频带（例如频带E）的通信系统的接收机处的本地振荡器中产生的LO信号的泄漏电流最小化。 本发明的实施例包括：输出LO信号的振荡单元; 将输入的IF信号转换为不同的第一和第二IF信号的第一转换器; 输出第一IF信号的第一混频器，与LO信号混合的第一RF信号和第一泄漏信号; 输出第二IF信号的第二混频器，与LO信号混合的第二RF信号和第二泄漏信号; 以及第二转换器，其混合和衰减第一和第二泄漏信号并输出与第一和第二RF信号混合的RF信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101066548B1
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：KR1020080115176
申请日：2008-11-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P1/20
Abstract: 본 발명은 저역 통과 여파기와 그 설계 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 통신 시스템에서 목적으로 하는 주파수 이외의 주파수 성분인 불요파(Spurious)를 제거할 수 있는 저역 통과 여파기(Low Pass Filter)와 그 설계 방법에 관한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 저역 통과 여파기는, 평판 기판 상의 입력단과 출력단 사이에 미리 정해진 임계치 이상의 선폭을 가지며, 입력 신호에 포함된 불요파가 제거된 출력 신호를 출력하는 전송 선로와, 전송 선로와 직각으로 연결되며, 불요파의 대역에서 감쇠극을 형성하여 불요파를 제거하는 개방 스터브를 포함하며, 개방 스터브는 제 1 선로와 제 1 선로보다 넓은 폭을 가지는 제 2 선로를 포함하며, 제 1 선로는 상기 임계값 이상의 선폭을 가지고 전송 선로와 직접 연결된다.
여파기(Filter), 저역 통과 여파기(Low Pass Filter), 불요파(Spurious), 고조파(Harmonic)-
17.发明公开박막저항의 저항값 보정 기능을 가진 50 오옴 단락 장치 및 그를 이용한 무선주파수 회로용 가변 저항 장치 失效50欧姆，并使用相同的射频电路，用于具有薄膜电阻器的校正函数的电阻值的可变电阻器件的短路装置
公开(公告)号：KR1020070021880A
公开(公告)日：2007-02-23
申请号：KR1020050123772
申请日：2005-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01C10/06
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 박막저항의 저항값 보정 기능을 가진 50오옴 단락 장치 및 그를 이용한 무선주파수 회로용 가변 저항 장치에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 박막저항의 특성상 얇은 평면구조 때문에 공정에 의해 필연적으로 발생하는 박막저항값의 오차를 줄이기 위해서 박막저항 공정 중에 추가적인 공정없이 와이어 본딩의 연결 상태에 따라 저항값이 결정되어 오차 값을 보상할 수 있는 50ohm 단락 장치와 간단한 구조의 박막저항 회로를 이용하여 수백 가지의 저항값을 본딩의 연결 상태에 따라 변화시킬 수 있는 RF 회로용 가변저항 장치를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 박막저항의 저항값 보정 기능을 가진 50오옴 단락 장치에 있어서, 접지와 연결하여 소정값의 저항을 배치하여 제1 노드와 연결하고, 상기 제1 노드와 직렬로 소정값의 저항을, 병렬로 소정값의 저항 2개를 배치하고, 상기 병렬 연결된 저항 2개 각각의 끝 부분에 차후 상호 연결을 위한 제1 패드를 배치하며, 상기 직렬 연결된 소정값의 저항 끝 부분의 제2 노드에서 상기 제1 노드와 마찬가지로 직렬 저항과 병렬 저항 2개를 배치하고, 각각의 끝 부분을 제2 패드로 구성되는 것을 특징으로 함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 고주파 통신 부품 등에 이용됨.
50ohm 단락, 박막저항, 와이어 본딩, 가변 저항Abstract translation: 1.权利要求书中描述的发明所属的技术领域
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公开(公告)号：KR100648833B1
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020050085903
申请日：2005-09-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/18
Abstract: A digital attenuating device having a super wideband characteristic and an excellent attenuation characteristic is provided to newly insert transmission lines to an existing switched T attenuator structure, and to optimize circuit integers, then to optimize resistance values of attenuation resistance elements to realize super wideband operating frequency bands, consequently excellent attenuation accuracy is implemented. An RF(Radio Frequency) input unit(16) inputs an RF signal. The first transmission unit(21) interfaces input in connection with the input end(16) in serial. The second transmission unit(22) is serially connected with the first transmission unit(21). The first switching unit(14) is switched by being controlled according to the second power(26) from the outside. The third transmission unit(23) interfaces output in connection with the first switching unit(14) in serial. The first resistance element(11) is connected to the first transmission unit(21). The second resistance element(12) is connected to the third transmission unit(23). The fourth transmission unit(24) is connected to the first and second resistance elements(11,12). The second switching unit(15) is switched by being controlled according to control power from the outside, which operates in opposition to the second power(26). The fifth transmission unit(25) is serially connected to the second switching unit(15). The third resistance element(13) is serially connected to the fifth transmission unit(25), and is shorted by a ground.
Abstract translation: 提供具有超宽带特性和优异的衰减特性的数字衰减装置，以将传输线新插入到现有的开关T衰减器结构中，并优化电路整数，然后优化衰减电阻元件的电阻值以实现超宽带工作频率 因此实现了优异的衰减精度。 RF（射频）输入单元（16）输入RF信号。 第一传输单元（21）与输入端（16）串联连接输入。 第二传输单元（22）与第一传输单元（21）串联连接。 第一开关单元（14）通过根据来自外部的第二电力（26）进行控制而被切换。 第三传输单元（23）与第一切换单元（14）串联连接输出。 第一电阻元件（11）连接到第一传输单元（21）。 第二电阻元件（12）连接到第三传输单元（23）。 第四传输单元（24）连接到第一和第二电阻元件（11,12）。 第二开关单元（15）通过根据来自与第二电源（26）相反地操作的外部的控制电力进行控制而被切换。 第五传输单元（25）串联连接到第二切换单元（15）。 第三电阻元件（13）串联连接到第五传输单元（25），并且被地短路。
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公开(公告)号：KR100638740B1
公开(公告)日：2006-10-30
申请号：KR1020040051091
申请日：2004-07-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/00
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 고주파단일집적회로 증폭기의 DC 모델링 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 FET의 파라미터 중 일부 파라미터 값만을 변화시킴으로써, MMIC 증폭기의 한 동작점에서의 DC 특성과 일치하는 DC 소자를 모델링하기 위한, MMIC 증폭기의 DC 모델링 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 시뮬레이터(Simulator)를 이용한 고주파단일집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit;MMIC) 증폭기의 DC 모델링 방법으로서, MMIC 증폭기의 RF 성능을 최적화 시키는 MMIC 증폭기의 게이트 전압 및 드레인 전압을 측정하는 단계; 상기 게이트 전압은 유지하고 상기 드레인 전압을 변화시키며 드레인 전류 값을 측정하는 단계; 및 상기 측정 데이터에 근거하여, 게이트 전압의 변화에 따라 드레인 전류가 변하는 DC 모델의 파라미터를 상기 측정한 게이트 전압에 대한 드레인 전압/전류 특성에 근사하도록 조정하여 모델링하는 단계를 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 MMIC 증폭기의 DC 모델링에 이용됨.
MMIC 증폭기, DC 모델, FET, Beta, Lamda-
公开(公告)号：KR101342100B1
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：KR1020100034266
申请日：2010-04-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P5/10
Abstract: 본발명에따른머쳔더발룬장치는제 1 평형단자와접지단자사이에연결되는제 1 선로, 제 2 평형단자와접지단자사이에연결되는제 2 선로, 상기제 1 및제 2 선로와수평방향으로나란하게위치하며상기제 1 및제 2 선로와수평커패시턴스를형성하는제 3 선로, 상기제 1 및제 3 선로와수직방향으로나란하게위치하고상기제 1 선로또는상기제 3 선로와수직커패시턴스를형성하는제 1 결합선로, 및상기제 2 및제 3 선로와수직방향으로나란하게위치하고상기제 2 선로또는상기제 3 선로와수직커패시턴스를형성하는제 2 결합선로를포함한다. 본발명에의하면, 수평커패시턴스이외에수직커패시턴스를가짐으로전체적으로결합계수를증가시킬수 있다.
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