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公开(公告)号：KR101829298B1
公开(公告)日：2018-02-19
申请号：KR1020160148243
申请日：2016-11-08
IPC: A61N5/10
CPC classification number: A61N5/1077 , A61N5/1001 , A61N5/1042 , A61N5/1048 , A61N5/1079 , A61N5/1084 , A61N2005/1022 , A61N2005/105 , A61N2005/1088 , A61N2005/1089
Abstract: 본발명은레이저기반양성자빔과전자빔을집속하고조사하여인체내부암세포와주변조직을이중으로치료하는암치료장치에관한것으로, 하나의타겟으로변수를조절하면서양성자빔과전자빔을발생시킬수도있고, 혹은각각의타겟을이용한이중타겟기술을사용할수도있으며, 브래그피크(Bragg peak) 특성이뛰어난양상자를이용하여깊은위치에존재하는암의중심부를치료하고전자빔을이용하여주변부를치료하는복합치료가가능하다.
Abstract translation: 本发明可产生的质子束，并且，通过调节变量作为用于双治疗与人体癌细胞内部，并通过聚焦基于激光的质子束周围组织和电子束的癌症治疗设备的目标照射的电子束， 或者，可以使用使用单个靶标的双靶点，联合治疗可用于治疗深部癌症的中心部位，并用电子束治疗外周，使用优良的布拉格峰 我会的。
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公开(公告)号：KR1020160117712A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020150044497
申请日：2015-03-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: A61N5/10
CPC classification number: A61N5/10 , A61N5/1049 , A61N5/1075 , A61N2005/1072 , A61N2005/1074 , A61N2005/1088 , G21K5/04 , H05H6/00 , H05H2245/122
Abstract: 본원발명은하전입자생성용일체형타겟구조체에관한것이다. 본발명의실시예에의한일체형타겟구조체는레이저빔의조사에대응하여하전입자들을방출하는타겟층과, 상기레이저빔 및하전입자들중 적어도하나를제어하기위한광 부품과, 상기타겟층및 광부품을하나의구조물로지지하기위한지지체를구비한다.
Abstract translation: 本文提供了一种用于产生带电粒子的集成目标结构。 根据本公开的实施例的集成目标结构包括根据激光束的照射发射带电粒子的目标层，控制激光束和带电粒子中的至少一个的光学部件以及支撑体 目标层和使用一个结构的光学部件。
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公开(公告)号：KR1020160108811A
公开(公告)日：2016-09-20
申请号：KR1020160005586
申请日：2016-01-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 하전입자발생장치는집광부를통하여타겟에레이저빔을조사하는광원부, 타겟의변형을감지하는감지부, 타겟상에타겟의물질과동일한물질을적층하는타겟복원부, 및감지부가감지한타겟의변형에대한정보를이용하여, 타겟복원부가타겟의변형부분을복구하도록제어하는제어부를포함한다.
Abstract translation: 一种用于产生带电粒子的装置包括：用于通过冷凝单元用激光束照射靶的光源单元; 感测单元，用于感测目标的变形; 目标恢复单元，用于在目标上层压与目标材料相同的材料; 以及控制单元，用于通过使用由感测单元感测的目标的变形信息来控制目标恢复单元来恢复目标的变形部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160100819A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020160001021
申请日：2016-01-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: A61N5/1049 , A61N2005/1052 , A61N2005/1088
Abstract: 본발명의실시예들에따른치료장치는, 피진단체로이온화된원소들을주입하여상기피진단체내의종양을제거하는이온발생장치및 상기피진단체내의상기이온화된원소들의위치를측정하는영상촬영장치를포함하되, 상기이온발생장치는제 1 원소및 상기제 1 원소의방사성동위원소인제 1 동위원소를포함하는타깃및 상기타깃으로레이저빔을입사하여상기제 1 원소및 상기제 1 동위원소를이온화시키는레이저를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施方案，一种处理装置包括：离子产生装置，用于插入与被诊断对象物离子化的元件，并用于去除待诊断对象内的肿瘤; 以及用于测量待诊断对象内的电离元件的位置的图像成像装置。 离子产生装置包括：靶，其包括作为第一元素的放射性同位素的第一元素和第一同位素; 激光使激光束入射到目标物上并离子化第一元素和第一同位素。
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公开(公告)号：KR1020150128218A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020140055244
申请日：2014-05-09
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S3/1628 , A61B18/20 , A61B18/203 , A61B90/04 , A61B2017/00141 , A61B2017/00154 , A61B2018/00023 , A61B2018/00047 , A61B2018/00464 , A61B2018/00577 , A61B2018/00702 , A61B2018/2025 , A61B2018/204 , A61B2018/205 , A61B2090/049 , H01S3/094 , H01S3/105 , H01S3/1062 , H01S3/1623 , H01S3/1691
Abstract: 의료용 Cr2+ 이온이도핑된레이저장치및 레이저장치의동작방법이개시된다. 의료용 Cr2+ 이온이도핑된레이저장치는레이저를발생하는레이저발생부와, 상기발생된레이저의파장을설정된파장만큼변환하는변환부와, 상기변환된레이저를객체에조사하는조사부를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了用于医疗应用的Cr 2（2+）掺杂激光系统和用于操作激光系统的方法。 用于医疗应用的Cr ^（2 +）掺杂激光系统包括：激光产生部分产生激光; 将所生成的激光的波长转换为设定波长的转换部; 以及将转换的激光照射在物体上的辐射部。
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公开(公告)号：KR1020150114376A
公开(公告)日：2015-10-12
申请号：KR1020140157417
申请日：2014-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 광전달케이블은제 1 광섬유및 영상전달케이블을포함한다. 제 1 광섬유는광원으로부터전달받은레이저빔에의해고에너지입자를생성하여타겟으로전달한다. 영상전달케이블은타겟주위의영상을전달한다. 따라서, 종양의위치를확인하면서상대적으로저출력으로종양을치료할수 있다
Abstract translation: 本发明涉及一种光传输电缆及包括该光传输电缆的激光系统。 光传输电缆包括第一光纤和图像传输电缆。 第一光纤被配置为通过从光源传输的激光束产生高能粒子，并将高能粒子传输到靶。 图像传输电缆传输目标周围的图像。 因此，可以在确定肿瘤位置的同时，以相对较低的功率输出治疗肿瘤。
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公开(公告)号：KR1020150112790A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：KR1020150030742
申请日：2015-03-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: A61B18/22 , A61B1/07 , A61N5/0601 , A61N2005/067
Abstract: 광전달케이블은제 1 광섬유및 영상전달케이블을포함한다. 제 1 광섬유는광원으로부터전달받은레이저빔에의해고에너지입자를생성하여타겟으로전달한다. 영상전달케이블은타겟주위의영상을전달한다. 따라서, 종양의위치를확인하면서상대적으로저출력으로종양을치료할수 있다
Abstract translation: 光传输线缆包括第一光纤和视频传输线缆。 第一光纤对从光源发射的激光束产生发射能量粒子并将发射能量粒子发射到目标。 视频传输电缆在目标周围传播视频。 因此，可以在确认肿瘤位置的同时以较低的输出治疗肿瘤
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公开(公告)号：KR1020150039067A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：KR1020130168937
申请日：2013-12-31
Applicant: 한국전자통신연구원 , 아주대학교산학협력단
CPC classification number: G02B6/3554 , H01S3/0623 , H01S3/1118
Abstract: 높은파괴문턱값을가지는광 디바이스가제공된다. 광디바이스는기판및 광스위치를감싸도록코팅된코팅층을포함할수 있다. 여기서, 광스위치는탄소재료로형성되고, 기판의일면에위치할수 있다. 광디바이스는코팅층을통해파괴문턱값을크게증가시키고광 디바이스의특성을효과적으로조절할수 있다.
Abstract translation: 提供具有高击穿阈值的光学器件。 光学装置可以包括衬底和涂覆以包围光学开关的涂层。 这里，光开关由碳材料形成，并且可以位于基板的一个平面上。 光学器件通过涂层高度提高击穿阈值，可以有效调整光学元件的特性。
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