Abstract:
PURPOSE: A dielectric ceramic composition based on spinel is provided, which has high Q value and low dielectric constant for communication devices used in the microwave/millimeter wave frequency range. CONSTITUTION: The dielectric ceramic composition containing spinel(MgAl2O4) and Li2CO3 as main component and auxiliary component, respectively is expressed by a composition formula of MgAl2O4 + xLi2CO3, wherein, x is in the range of 0
Abstract translation:目的:提供一种基于尖晶石的介电陶瓷组合物,其对于微波/毫米波频率范围内使用的通信设备具有高Q值和低介电常数。 构成:含有尖晶石(MgAl 2 O 4)和Li 2 CO 3作为主要成分和辅助成分的介电陶瓷组合物分别由MgAl 2 O 4 + xL 2 CO 3的组成式表示,其中x在0
Abstract:
PURPOSE: A novel dielectric ceramic composition which dielectric constant and quality factor are high by sintering at 1250 to 1400°C, and coefficient of resonant frequency is easy to be controlled. CONSTITUTION: Additive which is one of compounds containing Ba and compounds containing Sr or mixture of the compounds is added into dielectric ceramic composition having 25 to 43 weight % of TiO2, 39 to 57 weight % of ZrO2, and 28 weight % of SnO2 as main compositions. 0.2 to 8.0 weight % of additives is added into main composition. The compounds containing Ba is one of BaCO3, BaTiO3 and BaZrO3. The Sr containing compound is one of SrCO3, SrTiO3 and SrZrO3. The mixture is calcined, formed and sintered to produce microwave dielectric ceramic having the above mentioned properties.
Abstract:
본 발명은 민생용 및 산업용 전자기기에 사용되는 마이크로파 대역 부품용 소재에 관한 것으로, 낮은 소결온도를 지니고 있으며 포화자화의 제어가 용이하고 낮은 강자성공명선폭과 양호한 큐리온도를 지닌 마이크로파 소자용 자성체 세라믹 조성물, 이를 이용한 마이크로파 소자용 자성체 세라믹 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 마이크로파 소자용 자성체 세라믹 조성물은, 산화이트륨, 산화철을 주성분으로 하고, 산화붕소, 산화비스무스, 산화아연, 산화구리, 산화아연과 산화붕소의 화합물, 산화구리와 산화붕소의 화합물을 부성분으로 하며, 하기 화학식 1로 표시되고, 본 발명에 따른 마이크로파 소자용 자성체 세라믹은, 하기 화학식 1에 따라, 산화이트륨, 산화철을 혼합하여 하소하고, 산화붕소, 산화비스무스, 산화아연, 산화구리, 산화아연과 산화붕소의 화합물, 산화구리와 산화붕소의 화합물을 재혼합한 후, 성형 및 소결하여 제조된 것으로, 상온에서 800∼1,800 G의 포화자화와 사용온도 20∼120℃에서 0.3 %/℃ 이하의 포화자화 온도계수 및 60 Oe 이하의 강자성공명선폭을 가지면서 소결조제를 첨가하여 1250℃이하로 소결온도를 낮추는 것을 특징으로 한다. (화학식 1) Y 3-x Fe 5+x O 12 이때, -0.2≤x≤0.2, 0 2 O 3 ≤5(wt%), 0 2 O 3 ≤5(wt%), 0 2 O 4 ≤5(wt%), 0 2 O 4 ≤5(wt%)이다.
Abstract:
A S/N enhancer using the magnetostatic wave signal. The S/N enhancer comprises a balun coupler for dividing an input signal into a first and second signals having the same power, the second signal having the phase difference of 180 degree with respect to the first signal; a saturation magnetostatic wave filter for receiving the first signal output from the balun coupler, converting that into a magnetostatic wave signal, and oppositely converting the magnetostatic wave signal, wherein the power of the magnetostatic wave signal is saturated if the first signal has the power of equal to and more than that of a noise signal; a delay line having the linearity to transmit the second signal output from the balun coupler; and a power synthesizer for synthesizing the respective signals output from the saturation magnetostatic wave filter and the delay line.
Abstract:
PURPOSE: Provided is a YIG magnetic body ceramic composition for microwaves, which has low magnetic loss and high density and can be used for communication parts for a microwave band. CONSTITUTION: The magnetic body ceramic composition comprises 95-99.95mol% of yttrium iron garnet(Y3Fe5O12) and 0.05-5mol% of silica(SiO2). The magnetic body ceramic composition is produced by a process comprising the steps of: mixing iron oxide(Fe2O3) and yttrium oxide(Y2O3) in the molar ratio of 5:3 and calcining at 1150-1250deg.C for 5-7 hours; adding 0.05-5mol% of the silica and mixing; molding and sintering the mixture at 1300-1450deg.C for 3-5 hours.
Abstract translation:目的:提供一种用于微波的YIG磁体陶瓷组合物,具有低磁损耗和高密度,可用于微波带的通信部件。 构成:磁体陶瓷组合物包含95-99.95mol%的钇铁石榴石(Y3Fe5O12)和0.05-5mol%的二氧化硅(SiO 2)。 磁体陶瓷组合物通过包括以下步骤的方法制备:将氧化铁(Fe 2 O 3)和氧化钇(Y 2 O 3)以5:3的摩尔比混合并在1150-1250℃下煅烧5-7小时; 加入0.05-5mol%二氧化硅并混合; 将混合物在1300-1450℃下成型和烧结3-5小时。
Abstract:
본 발명은 마이크로파 대역에서 사용되는 통신부품용 기본소재 그 중에서도 특히 유전체 세라믹 소재에 관한 것으로, 특히 낮은 소결온도와 높은 품질계수, 안정된 공진주파수 온도특성을 가지는 마이크로파 소자용 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 유전체 세라믹 제조방법에 관한 것으로서, 티탄산마그네슘과, 티탄산칼슘을 주성분으로 하고 탄산리튬 및 산화마그네슘을 부성분으로 하여 하기 마이크로파 소자용 유전체 세라믹 조성식에 의해서 출발물질인 산화마그네슘(MgO), 탄산칼슘(CaCO 3 ), 산화티타늄(TiO 2 ) 그리고 탄산리튬(Li 2 CO 3 )을 침량하여 탄산리튬과 산화마그네슘을 과잉으로 첨가한 후 혼합 및 분쇄를 하고, 900∼100℃의 온도에서 2시간 동안 하소하는 하소공정을 거쳐 선형과 1100∼1250℃의 온도에서 2∼4시간으로 소결하는 소결공정을 통하여 제조함으로써, 유전상수(ε r ) 19∼21, 품질계수(Q×f 0 ) 70,000∼90,000 그리고 공진주파수 온도계수(τ f )는 ± 5ppm/℃ 이내의 값을 가지는 우수한 특성의 유전체 세라믹을 비교적 저온소결(1100∼1250℃)을 통해서 얻을 수 있으며, 또한 마이크로파 주파수 대역에서 활용이 가능한 대역통과 필터, 듀플렉서 등의 통신용 수동부품의 기본소재로 사용할 수 있는 효과를 갖는다. 조성식 : {94 MgTiO 3 - 6 CaTiO 3 } + x Li 2 CO 3 + y MgO(mol %) 여기서, 0 < x (Li 2 CO 3 ) ≤ 0.8(mol %), 0 ≤ y (MgO) ≤ 6(mol %)
Abstract:
본 발명은 마이크로파 소자용 자성체 세라믹 조성물, 이를 이용한 마이크로파 소자용 자성체 세라믹 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 산화이트륨, 산화철, 산화알루미늄을 주성분으로 하고 여기에 산화붕소, 산화비스무스, 산화아연, 산화구리, 산화아연과 산화붕소의 화합물 그리고 산화구리와 산화붕소의 화합물 중에서 한가지를 선택하여 부성분으로 첨가하며, 하기 화학식 1으로 표시함으로써, 상온에서 100~1,800 G의 포화자화와 0.2 %/℃ 이내의 포화자화 온도계수 및 60 0e 이하의 페리자성공명반치폭을 갖는 적당한 포화자화와 평탄한 온도안정성 및 손실특성이 우수한 마이크로파 소자용 자성체 세라믹을 얻을 수 있고, 소결조제의 첨가로인해 적정소결온도를 낮추어줄 수 있으므로 본 발명의 자성체 세라믹을 마이크로파대 아이솔레이터, 서큘레� ��터 및 S/N 인핸서 등의 마이크로파 대역용 부품에 효과적으로 사용될 수 있고, 고가의 산화이트륨과 산화철에 저가의 산화알루미늄, 산화붕소, 산화비스무스, 산화아연, 산화구리, 산화아연과 산화붕소의 화합물, 산화구리와 산화붕소의 화합물을 원료로 사용하므로, 경제적으로 고품위의 마이크로파 소자용 자성체 세라믹을 제공할 수 있는 효과를 갖는다. (화학식 1 : Y 3 Fe 5-x Al x O 12 (여기서, 0≤x≤1.5, 0 2 O 3 ≤5(wt%), 0 2 O 3 ≤5(wt%), 0 2 O 4 ≤5(wt%), 0 2 O 4 ≤5(wt%)이다).
Abstract:
PURPOSE: A composition for a dielectric ceramic and a microwave dielectric ceramic are provided, to increase the dielectric constant and the quality factor of the dielectric ceramic and to allow the temperature coefficient of resonant frequency to be controlled easily. CONSTITUTION: A composition for a dielectric ceramic comprises 100 parts by weight of the main composition consisting of 25-43 wt% of TiO2, 39-57 wt% of ZrO2 and 7-28 wt% of SnO2; 0.2-8.0 parts by weight of the Ca-containing material selected from CaCO3, CaTiO3 and CaZrO3; and optionally 0.2-5.0 parts by weight of Nb2O5. The dielectric ceramic is prepared by sintering the composition for a dielectric ceramic at the temperature of 1,300-1,400°C, and has the dielectric constant being 30-45, the product of resonant frequency and quality factor (f0 X Q) being more than 30,000 GHz and the temperature coefficient of resonant frequency (tau_f) in the range of -15 ppm/°C to +35 ppm/°C.