公开(公告)号：KR1020120103340A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：KR1020110021557

申请日：2011-03-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최현미 ,  박형무 ,  전동석 ,  강승열

IPC: G06Q30/02

CPC classification number: G06Q30/0241 ,  G06F3/0488 ,  G06Q30/0601

Abstract: PURPOSE: An electronic advertisement device is provided to improve the satisfaction of electronic advertisement as an advertiser selects an advertisement type and supplies background information and product information used for an advertisement. CONSTITUTION: Information input devices(11) input product information and background information which is a background of the product information. Transparent display units(12) display an electronic advertisement by including touch screens and a wireless communication function. Information input/output units(13) input the product information and the background information from the Information input devices. The Information input/output units transmit the inputted information to an advertisement server(20). [Reference numerals] (13) Information input/output unit; (20) Advertisement server; (30) Advertisement production server; (40) Financial payment server; (50) Communication network

Abstract translation: 目的：提供一种电子广告设备，用于在广告主选择广告类型时提供电子广告的满意度，并提供用于广告的背景信息和产品信息。 规定：信息输入设备（11）输入作为产品信息背景的产品信息和背景信息。 透明显示单元（12）通过包括触摸屏和无线通信功能来显示电子广告。 信息输入/输出单元（13）从信息输入设备输入产品信息和背景信息。 信息输入/输出单元将输入的信息发送到广告服务器（20）。 （附图标记）（13）信息输入/输出单元; （20）广告服务器; （30）广告制作服务器; （40）财务支付服务器; （50）通讯网络

公开(公告)号：KR1020120049128A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：KR1020110109017

申请日：2011-10-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전동석 ,  강광용 ,  김성일 ,  백문철 ,  류한철 ,  곽민환 ,  강승범

IPC: H01S3/10 ,  H01Q19/06 ,  H01Q23/00

CPC classification number: H01S3/107 ,  H01Q19/09 ,  H01Q23/00 ,  H01S2302/02

Abstract: PURPOSE: An integrated antenna device module for generating terahertz continuous waves and a fabrication method thereof are provided to reduce the resolution limit of an optical lens by using an existing optical lens as a metamaterial lens. CONSTITUTION: A photoconductive antenna(10) of an integrated antenna device module for generating terahertz continuous waves comprises a photoconductive thin film pattern(11), a metal electrode(12), and a focusing meta material lens(13) for controlling three-dimensional images of an object using high resolution. A substrate is high resistant silicon or InP(Indium Phosphide). The metal electrode applies a DC bias voltage to the photoconductive thin film pattern. The photoconductive thin film pattern is deposited on a front surface of the substrate. The photoconductive thin film pattern irradiates tera-herts continuous waves according to the incidence of the femto second laser pulse having the pulse time of an ultrashort pulse.

Abstract translation: 目的：提供一种用于产生太赫兹连续波的集成天线装置模块及其制造方法，以通过使用现有的光学透镜作为超材料透镜来减小光学透镜的分辨率极限。 构成：用于产生太赫兹连续波的集成天线装置模块的光电导天线（10）包括光电导薄膜图案（11），金属电极（12）和用于控制三维 使用高分辨率的对象的图像。 衬底是高电阻硅或InP（磷化铟）。 金属电极向光导薄膜图案施加DC偏置电压。 光导薄膜图案沉积在基板的前表面上。 光电导薄膜图案根据具有超短脉冲脉冲时间的毫微微秒激光脉冲的入射照射太赫兹连续波。

公开(公告)号：KR1020100027726A

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：KR1020080086752

申请日：2008-09-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최광성 ,  문종태 ,  배현철 ,  전동석 ,  엄용성

IPC: H01L23/049 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A vertical connector, a semiconductor package including the same and a method for manufacturing the vertical connector and the semiconductor package are provided to effectively realize the semiconductor package by covering a solder pillar with a polymeric resin. CONSTITUTION: Metal plates are prepared. A mixture is provided between the metal plates. The mixture includes a solder ball and a polymeric resin. The solder ball is melted to form a conductive pillar(106) between the metal plates. The polymeric resin is hardened to form an insulation pillar(110) between the conductive pillars. The metal plates are removed.

Abstract translation: 目的：提供一种垂直连接器，包括其的半导体封装件和用于制造垂直连接器和半导体封装件的方法，以通过用聚合物树脂覆盖焊料柱来有效地实现半导体封装。 规定：准备金属板。 在金属板之间设置混合物。 混合物包括焊球和聚合物树脂。 焊球被熔化以在金属板之间形成导电柱（106）。 聚合物树脂被硬化以在导电柱之间形成绝缘柱（110）。 拆下金属板。

公开(公告)号：KR100687758B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020050120171

申请日：2005-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용원 ,  남은수 ,  김호영 ,  이상석 ,  전동석 ,  이홍열 ,  홍선의 ,  김동영 ,  임종원 ,  오명숙

IPC: H01L29/737

Abstract: A hetero junction bipolar transistor and a method for manufacturing the same are provided to decrease a parasitical capacitance between an emitter and a base by securing insulation between an emitter layer and a base electrode. A sub-collector layer(102) is formed on a semi-insulation compound substrate. A pair of collector electrodes(140) are spaced apart from each other at a predetermined interval on the sub-collector layer. A collector layer(106) and a base layer(108) are disposed between the collector electrodes. A pair of base electrodes(130) are spaced apart from each other at a predetermined interval on the base layer. A multi-layered emitter layer(110) is disposed between the base electrodes. An emitter electrode(125a) is formed on the emitter layer.

Abstract translation: 提供一种异质结双极晶体管及其制造方法，以通过确保发射极层与基极之间的绝缘来减小发射极与基极之间的寄生电容。 子集电极层（102）形成在半绝缘化合物基板上。 一对集电极（140）在副集电极层上以预定间隔彼此间隔开。 集电极层（106）和基极层（108）设置在集电极之间。 一对基底电极（130）在基底层上以预定间隔彼此间隔开。 多层发射极层（110）设置在基极之间。 发射极电极（125a）形成在发射极层上。

公开(公告)号：KR1020050058611A

公开(公告)日：2005-06-17

申请号：KR1020030090549

申请日：2003-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김동영 ,  이홍열 ,  전동석 ,  이상석

IPC: C04B35/20

CPC classification number: C04B35/20 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77

Abstract: 마이크로파 및 밀리미터파 대역에서 사용할 수 있는 통신 부품용 세라믹 유전체 소재로서, 매우 작은 값의 유전 손실을 가지는 고밀도의 마이크로파 및 밀리미터파용 포스테라이트계 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 유전체 세라믹 조성물은 포스테라이트(Mg
2 SiO
4 )를 주성분으로 하는 조성물로 이루어지고, 상기 포스테라이트를 구성하는 실리콘(Si)의 일부가 산화티탄(TiO
2 )으로 치환되어 있다. MgO 56 ~ 57wt%, SiO
2 33 ~ 42wt%, 및 TiO
2 1 ~ 11wt%의 조성으로 이루어진 포스테라이트를 기본으로 하고 여기에 소결 특성을 향상시키기 위한 소결 조제로서 Li 함유 첨가제를 첨가하여 새로운 조성의 유전체 세라믹 조성물이 얻어진다. 본 발명에 따른 유전체 세라믹 조성물은 MgO, SiO
2 , 및 TiO
2 를 각각 칭량하여 혼합하고 하소 단계를 거쳐 포스테라이트 상을 형성하고 여기에 소결 특성 향상을 위해서 Li 함유 첨가제, 예를 들면 탄산 리튬을 첨가하고, 성형 및 소결 공정을 거쳐 제조된다.

公开(公告)号：KR100311229B1

公开(公告)日：2001-11-15

申请号：KR1019980054892

申请日：1998-12-14

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 전동석 ,  이상석 ,  최태구

IPC: H01P1/32 ,  H03B7/06

Abstract: 본 발명은 저손실을 가진 비가역성 회로요소에 관한 것으로, 고리형 공진기, 공진기 내부원주에 형성된 스트립라인, 내부 자계벽, 외부 자계벽 그리고 공진기 외곽 원주의 형성된 불연속 스텝스트립라인으로 구성되어 있으며, 이들 회로요소는 직류(DC) 바이어스 자계세기에 의해 발생되는 고주파 자계의 회전각과 전기적인 아이솔레이션 조건을 고려하여 각 회로요소는 서로 다른 각도로 형성되어있는 형태로 외부자계세기와 재료 정수의 변화에 따른 위상변화를 정합하는 공진기 패턴으로 문제점을 개선한다.

公开(公告)号：KR1020010062974A

公开(公告)日：2001-07-09

申请号：KR1019990059762

申请日：1999-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김명수 ,  이창화 ,  전동석 ,  이상석

IPC: H01P3/00

CPC classification number: H03H2/001

Abstract: PURPOSE: A magnetostatic wave device for processing RF signals is provided to be suitable to shield energy transfer in frequency band outside the pass band by reducing the ripple within a transfer frequency band and the energy emission in non-magnetizing period. CONSTITUTION: I/O electrodes including energy conversion patterns(26b,27b) are formed on a dielectric substrate(21). A multi-layered magnetic structure(22) is formed on the dielectric substrate(21), and consists of magnetic active substrates laminated on both sides a magnetic passive substrate. An upper shield layer(28) is formed of conductor for preventing the coupling of the I/O electrodes. A lower shield layer(29) is formed by forming holes on the dielectric substrate(21) in the same direction as the lengthwise of the upper shield layer. Magnetostatic wave terminators are inserted into the dielectric substrate(21) to be positioned on both ends of the multi-layered magnetic structure(22). A magnetostatic wave reflector is formed of lines having variable width on the dielectric substrate(21).

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理RF信号的静磁波装置，适用于通过减少传输频带内的纹波和非磁化周期内的能量发射来屏蔽通带外的频带内的能量传递。 构成：在电介质基板（21）上形成包括能量转换图案（26b，27b）的I / O电极。 在电介质基板（21）上形成有多层磁性结构（22），由磁性有源基板构成，该基板层叠在磁性无源基板的两侧。 上部屏蔽层（28）由导体形成，用于防止I / O电极的耦合。 通过在电介质基板（21）上沿与上屏蔽层的纵向方向相同的方向形成孔来形成下屏蔽层（29）。 静电波终端器被插入电介质基片（21）中以定位在多层磁结构（22）的两端。 静电波反射器由电介质基板（21）上具有可变宽度的线形成。

公开(公告)号：KR100249836B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970055639

申请日：1997-10-28

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 이창화 ,  김명수 ,  이상석 ,  구본희 ,  전동석 ,  최태구

IPC: H01P1/213 ,  H01P1/205 ,  H01P7/10

CPC classification number: H01P1/2136

Abstract: 본 발명은 듀플렉서에 관한 것으로서, 특히 스텝 임피던스 공진기를 갖는 듀플렉서에 관한 것이다. 그 목적은 소형화가 가능하고 외부의 칩 캐패시터나 인덕터를 사용하지 않고 통과대역보다 높은 주파수나 낮은 주파수의 저지대역에서 감쇄특성이 우수한 필터를 제공하는 데에 있다. 그 특징은 송신단 필터부와 수신단 필터부와 임피던스 정합회로부를 형성하고 도전성 금속으로 도금한 유전체 블록으로 구성된 스텝 임피던스 공진기를 갖는 듀플렉서에 있어서, 상기 유전체 블록의 전면부에 상면부터 하면으로 관통하는 구멍을 도전체로 도금한 형태이며 상면에는 임의의 모양을 가지며 소정의 크기로 형성된 도금되지 않은 단락 방지용 간격이 형성되어 있는 다수의 개방방향 공진기들과, 상기 유전체 블록의 후면부에 상면부터 하면으로 관통하는 구멍을 도전체로 도금한 형태이며 상기 개방방향 공진기들과 같은 개수인 단락방향 공진기들과, 상기 유전체 블록의 상기 송신단 필터부의 상기 후면의 외벽에 형성되며 상기 공진기 사이의 결합량을 조절하기 위한 송신 결합량 조절용 홈들과, 상기 유전체 블록의 상기 수신단 필터부� �� 상기 전면의 외벽에 형성되며 상기 공진기 사이의 결합량을 조절하기 위한 수신 결합량 조절용 홈들 및 상기 유전체 블록의 하면에 상기 개방방향 공진기들 각각과 상기 해당 단락방향 공진기들을 연결하기 위하여 도전체로 도금한 공진기 홈들로 구성되는 데에 있다.

公开(公告)号：KR100233265B1

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：KR1019960064456

申请日：1996-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 구본희 ,  이창화 ,  김명수 ,  전동석 ,  이상석 ,  최태구

IPC: H03H9/46

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
향상된 내전력 특성을 갖는 링 공진기 필터
2 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
링 필터의 입출력 전극과 링 공진기를 구성하기 위한 홈을 갖는 유전체 블록을 유전체 금형 기법으로 형성하며, 상기 홈을 도금하여 입출력 전극과 링공진기를 구성함으로써, 종래의 PCB 기판을 이용한 필터의 경우, 향상된 내전압을 가지며, 제조 단가가 싸고 소형이며 대량생산에 유리한 공진기 필터를 제공하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
폐푸르 형상의 도체인 링 공진기; 상기 링 공진기의 외측에서 서로 직각으로 정렬되는 도체인 입출력 전극; 상기 링 공진기 및 입출력 전극이 배치되는 유전체 블록; 및 상기 링 공진기 및 입출력 전극이 배치되는 유전체 블록; 및 상기 링 공진기 및 입출력 전극을 접지하기 위해 유전체 블록의 하면에 부착된 도체면을 포함하며, 상기 유전체 블록은 상기 링 공진기 및 입????력 전극의 도체를 수용하기 위한 소정 깊이의 홈을 금형성형법을 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 링 공진기 필터를 제공함.
4. 발명의 중용한 용도
유전체 금형기법을 링 공진기 필터 제작에 적용하므로써, 대량생산이 가능하여 필터 제조 단가를 줄이고, 원하는 주파수에서 감쇠극이 형성될 수 있으몰 감쇠특성이 향상되고, 향상된 내전력 특성을 가질 수 있으므로 높은 내전력이 요구되는 필터에 적용 가능하며, 소형 경량의 저렴한 고주파 필터를 제공하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990030945A

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：KR1019970051436

申请日：1997-10-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 구본희 ,  전동석 ,  최태구 ,  이창화 ,  김명수 ,  이상석

IPC: H01P1/205

Abstract: 본 발명은 유전체를 이용한 고주파 필터에 관한 것으로 이동통신, 개인통신, 위성통신 및 IMT-2000과 같은 무선통신 시스템의 안테나 다음단의 고주파 회로에 사용되어 원하는 주파수의 신호를 통과시키고 원하지 않는 주파수의 신호를 제거하는 U자형 공진기를 갖는 고주파 필터에 관한 것이다.
통신 시스템 단말기의 소형화 추세에 따라 고주파 필터의 소형화도 더욱 요구되고 있으며, 주파수 효율을 향상시키기 위하여 송신과 수신 주파수를 근접하여 사용함에 따라 저지대역에서 우수한 감쇠특성의 고주파 필터가 요구되고 있다.
이에 본 발명은 유전체를 이용한 고주파 필터를 구현함에 있어서 공진기를 종래에는 일자형으로 형성되게 하던 것을 구부러지게 U자형으로 형성함으로써 소형화를 이룩하였으며, 공진기 사이의 결합을 조절하기 위하여 유전체 블럭에 홈을 형성하여 공진기 사이의 결합을 전계에 의한 결합이나 자계에 의한 결합으로 구현하여 필터의 통과 대역보다 높은 주파수나 낮은 주파수의 저지대역에서 감쇠특성을 향상시켰다.