公开(公告)号：FR3041118B1

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：FR1558623

申请日：2015-09-15

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CONSTANCIAS CHRISTOPHE ,  LANDIS STEPHAN

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/02

公开(公告)号：FR2894346B1

公开(公告)日：2012-03-30

申请号：FR0512255

申请日：2005-12-02

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CONSTANCIAS CHRISTOPHE

IPC: G02B5/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01S3/101

公开(公告)号：FR2899697A1

公开(公告)日：2007-10-12

申请号：FR0603108

申请日：2006-04-07

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CONSTANCIAS CHRISTOPHE

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20

Abstract: L'invention concerne les masque de photolithographie en extrême ultraviolet, fonctionnant en réflexion.Ces masques comportent un miroir inférieur (22) recouvrant un substrat 20, et deux types de zones réfléchissantes Z1 et Z2 pour constituer un masque à décalage de phase. Une couche d'arrêt de gravure 23 est interposée entre le miroir inférieur (22) et une structure réfléchissante supérieure 24. Cette couche a une épaisseur telle qu'elle se comporte en cavité résonante réfléchissante encadrée par les structures réfléchissantes supérieure (24) et inférieure (22).

公开(公告)号：FR2994489B1

公开(公告)日：2015-07-31

申请号：FR1257711

申请日：2012-08-08

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： IMBERT JEAN-LOUIS ,  CONSTANCIAS CHRISTOPHE

IPC: G03F1/60 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

公开(公告)号：FR3151093A1

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：FR2307474

申请日：2023-07-12

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CONSTANCIAS CHRISTOPHE ,  DUBOIS MAXIME

IPC: G01N21/17

Abstract: Procédé de mesure photoacoustique avec accordage en longueur d’onde d’une source de lumière L’invention concerne un procédé de détection photoacoustique d’au moins un gaz, mettant en œuvre un capteur photoacoustique comportant au moins une cavité résonnante configurée pour recevoir le gaz et au moins une source de lumière cohérente alimentée par une source de courant, comportant les étapes consistant à générer un premier train d’impulsions ayant un premier rapport cyclique et alimentant la source de lumière, de sorte à émettre dans la cavité un rayonnement centré sur une première longueur d’onde, et à générer un deuxième train d’impulsions ayant un deuxième rapport cyclique et alimentant la source de lumière, de sorte à émettre dans la cavité un rayonnement centré sur une deuxième longueur d’onde différente de la première longueur d’onde. Le courant est modulé en intensité à une première fréquence de modulation f1 pour le premier train d’impulsions et à une deuxième fréquence de modulation f2 pour le deuxième train d’impulsions. Figure pour l’abrégé : Fig. 9

公开(公告)号：FR3052910A1

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：FR1655610

申请日：2016-06-16

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CONSTANCIAS CHRISTOPHE

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/317

Abstract: Procédé de projection d'un faisceau de particules sur un substrat, ledit procédé comprenant : - une étape de calcul d'une correction des effets de diffusion dudit faisceau au moyen d'une fonction d'étalement de point modélisant des effets de diffusion vers l'avant desdites particules ; - une étape de modification d'un profil de dose dudit faisceau mettant en œuvre la correction ainsi calculée ; et - une étape de projection du faisceau, dont le profil de dose a été modifié, sur ledit substrat, et étant caractérisé en ce que ladite fonction d'étalement de point est, ou comprend en tant que terme d'une combinaison linéaire, une double fonction sigmoïde bidimensionnelle (DSS2D). Application de ce procédé à la lithographie électronique.

公开(公告)号：FR3015162B1

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：FR1362587

申请日：2013-12-13

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BLEUET PIERRE ,  CONSTANCIAS CHRISTOPHE

IPC: H04N17/00 ,  H01L21/02

公开(公告)号：FR3015162A1

公开(公告)日：2015-06-19

申请号：FR1362587

申请日：2013-12-13

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BLEUET PIERRE ,  CONSTANCIAS CHRISTOPHE

IPC: H04N17/00 ,  H01L21/02

Abstract: L'invention concerne les mires de résolution pour l'analyse de la résolution de systèmes de tomographie par rayons X. La mire comprend un substrat portant des zones absorbantes pour les rayons X, dont les largeurs et les espacements sont choisis pour permettre une mesure de la résolution du système. Pour éviter des effets d'ombrage lorsque le faisceau d'illumination X est divergent et lorsque les zones absorbantes ont un rapport hauteur/largeur élevé (de 2 à 5 par exemple), les zones absorbantes dans les divers points du motif ont une forme dont une direction générale d'élévation par rapport à la surface du substrat est tournée vers un point de convergence (O) qui est le même pour toutes les zones absorbantes. La source de rayons X sera placée en ce point de convergence, ce qui élimine les effets d'ombrage. L'élévation oblique peut être obtenue par des étapes de gravure spécifiques ou par courbure du substrat après fabrication des motifs absorbants, ou encore par l'utilisation de deux mires partielles superposées.

公开(公告)号：FR3006499A1

公开(公告)日：2014-12-05

申请号：FR1354992

申请日：2013-05-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CONSTANCIAS CHRISTOPHE

IPC: H01J37/12

Abstract: L'invention concerne les lentilles électrostatiques destinées à la focalisation d'un faisceau de particules chargées, et notamment d'un faisceau d'électrons. Ces lentilles sont utilisées notamment dans les canons à électrons de microscopes électroniques ou d'appareils de lithographie par faisceau d'électrons. Un but de l'invention est d'améliorer les possibilités de focalisation du faisceau de particules, et notamment d'un faisceau d'électrons émis par une cathode. La lentille comporte au moins une électrode conductrice (EL2) percée d'au moins une ouverture de passage d'un faisceau d'électrons. Des champs électriques différents sont établis en amont et en aval de l'ouverture. L'ouverture de passage est fermée au moins partiellement par une membrane mince (M) de matériau isolant ou semiconducteur transparent aux électrons, plane ou bombée. Une structuration de la membrane (trous ou surépaisseurs ou électrodes déposées sur la membrane) permet de corriger des défauts d'aberration de la lentille.

公开(公告)号：FR2994489A1

公开(公告)日：2014-02-14

申请号：FR1257711

申请日：2012-08-08

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： IMBERT JEAN-LOUIS ,  CONSTANCIAS CHRISTOPHE

IPC: G03F1/60 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: L'invention concerne la lithographie par faisceau d'électrons à très haute énergie (50 keV ou plus). On prévoit selon l'invention que la couche à lithographier est portée par une structure de support qui comprend un substrat 10 (par exemple en silicium) et une couche intermédiaire 22 en matériau poreux de densité plus faible que celle du même matériau non poreux, ce matériau ayant un faible numéro atomique, inférieur à 32 et de préférence inférieur à 20, et notamment du silicium ou du carbone en nanotubes. Cette structure réduit l'influence des électrons rétrodiffusés sur les motifs lithographiés de haute résolution.