公开(公告)号：FR3062514A1

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：FR1750864

申请日：2017-02-02

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： NOURI LAMIA ,  LANDIS STEPHAN ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308

Abstract: La présente invention concerne un procédé de formation de reliefs sur une face (101) d'un substrat (100), caractérisé en ce qu'il comprend successivement : - une formation d'un écran de protection d'au moins une première zone (240) de la face (101) ; - une implantation configurée pour introduire au moins une espèce comprenant du carbone dans le substrat (100) depuis ladite face (101), la formation d'un écran et l'implantation étant configurées pour former dans le substrat (100) au moins une couche modifiée (230) carbonée présentant une concentration de carbone implanté supérieure ou égale à un seuil de gravure uniquement depuis une deuxième zone (221) de ladite face (101) non protégée par l'écran de protection; - un retrait de l'écran de protection ; - une gravure du substrat (100) depuis la première zone (240) sélectivement à la deuxième zone (221).

公开(公告)号：FR3051967A1

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：FR1654822

申请日：2016-05-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  LANDIS STEPHAN ,  NOURI LAMIA

IPC: H01L21/3065 ,  G02B3/02

Abstract: L'invention concerne notamment un procédé de réalisation de motifs dans une couche à graver (410), à partir d'un empilement comprenant au moins la couche à graver (410) et une couche de masquage (420) surmontant la couche à graver (410), la couche de masquage (420) présentant au moins un motif (421), le procédé comprenant au moins: a) une étape de modification d'au moins une première zone (411a) de la couche à graver (410) par implantation d'ions (500a) à travers la couche de masquage (420); b) au moins les étapes suivantes: b1) une étape de dépôt d'au moins une couche tampon (430a-430n ) b2) une étape de modification d'au moins une autre zone (411b- 41 1n) de la couche à graver (410), par implantation d'ions jusqu'à une profondeur (e500b-e500n) supérieure à la profondeur (e550a) d'implantation de l'étape précédente de modification ; c) au moins une étape de retrait de ladite au moins une couche tampon (430a-430n) ; d) une étape de retrait de la couche de masquage (420) ; e) une étape de retrait des zones modifiées (411a-411n) sélectivement aux zones non modifiées (412) de la couche à graver (410).

公开(公告)号：FR2893018B1

公开(公告)日：2008-03-14

申请号：FR0511401

申请日：2005-11-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LANDIS STEPHAN ,  GOUY JEAN PHILIPPE

IPC: B81C1/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: To manufacture a support made of at least one predetermined material and bearing features: a plurality of superposed layers is produced on a substrate that it is known how to remove, each of the layers being formed from zones of at least two different materials, the geometry of the zones and the constituent materials of these superposed layers being defined so as to form said features, on the reverse side of the substrate, these features being of 3D type, and some of these features differing in height among themselves and/or with other features; a layer of the predetermined material is produced on this multilayer stack; and at least the substrate is eliminated whereby, after inversion, said support with said features is obtained.

公开(公告)号：FR3030875A1

公开(公告)日：2016-06-24

申请号：FR1463145

申请日：2014-12-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LANDIS STEPHAN ,  POSSEME NICOLAS ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  DAVID THIBAUT

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/302

Abstract: L'invention porte notamment sur un procédé de réalisation de motifs ultérieurs dans une couche sous-jacente (120), le procédé comprenant au moins une étape de réalisation de motifs antérieurs dans une couche imprimable (110) surmontant la couche sous-jacente (120), la réalisation des motifs antérieurs comprenant une impression nanométrique de la couche imprimable (110) et laissent en place une couche continue formée par la couche imprimable (110) et recouvrant la couche sous-jacente (120), caractérisé en ce qu'il comprend l'étape suivante: au moins une étape de modification de la couche sous-jacente (120) par implantation (421) d'ions au sein de la couche sous-jacente (120), l'implantation (421) étant réalisée au travers de la couche imprimable (110) comprenant les motifs ultérieurs, les paramètres de l'implantation (421) étant choisis de manière à former dans la couche sous-jacente (120) des zones (122) implantées et des zones non implantées, les zones non implantées définissant les motifs ultérieurs et présentant une géométrie qui est fonction des motifs antérieurs.

公开(公告)号：FR2894671B1

公开(公告)日：2008-07-04

申请号：FR0512607

申请日：2005-12-13

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOUCHER JOHANN ,  LANDIS STEPHAN

IPC: G01Q30/00 ,  G01Q40/02

Abstract: The invention relates to an atomic force microscope tip characterization tool. An atomic force microscope uses a very fine exploration tip placed at the end of an elastic cantilever beam and an optical system for exploring movements of the beam in contact with a relief to be explored. The shape of the exploration tip must be known, and to this end a tool is used, placed in an atomic force microscope, the known shapes whereof are used to derive the shape of the tip. The tool of the invention includes a thin silicon beam (50) placed between two separated studs, formed on a support plate. The tip to be measured is moved between the studs remaining in contact with the beam and the measurement of the position of the tip during these movements enables the shape of the tip to be derived. The very small thickness (less than 5 nm) of the beam allows great accuracy and great reproducibility of measurement.

公开(公告)号：FR2864253A1

公开(公告)日：2005-06-24

申请号：FR0351134

申请日：2003-12-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： MOLLARD LAURENT ,  LANDIS STEPHAN

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13

Abstract: The method involves depositing a non-organic material e.g. aluminum fluoride, layer (2) presenting a chemical state, on a support surface. The layer and the surface are chosen such that an optical index of core of an optical guide is higher than an optical index of the material of the surface. The layer is processed locally to change its state into another chemical state, to form a definition pattern of the optical guide.

公开(公告)号：FR3030875B1

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：FR1463145

申请日：2014-12-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LANDIS STEPHAN ,  POSSEME NICOLAS ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  DAVID THIBAUT

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/302

公开(公告)号：FR3052294A1

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：FR1655090

申请日：2016-06-03

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LANDIS STEPHAN ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  DAVID THIBAUT ,  NOURI LAMIA ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/266

Abstract: L'invention porte notamment sur un procédé de formation de reliefs à la surface (101) d'un substrat (100), le procédé comprenant au moins les étapes suivantes: - une première implantation d'ions dans le substrat (100) selon une première direction (112) ; - une deuxième implantation d'ions dans le substrat (100) selon une deuxième direction (132) différente de la première direction (112); - au moins l'une des première et deuxième implantations est réalisée à travers au moins un masque (121, 221) présentant au moins un motif (120, 220); - une gravure de zones (106, 108, 208) du substrat (100) ayant reçu par implantation une dose supérieure ou égale à un seuil, sélectivement aux zones (107, 109) du substrat (100) n'ayant pas reçu par implantation une dose supérieure audit seuil ; les paramètres des première et deuxième implantations étant réglées de manière à ce que uniquement des zones (106, 108, 208) du substrat (100) ayant été implantées à la fois lors de la première implantation et lors de la deuxième implantation reçoivent une dose supérieure ou égale audit seuil.

公开(公告)号：FR3030876A1

公开(公告)日：2016-06-24

申请号：FR1463153

申请日：2014-12-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  LANDIS STEPHAN

IPC: H01L21/265 ,  G02B3/02 ,  H01L21/302

Abstract: L'invention concerne notamment un procédé de réalisation de motifs dans une couche à graver (410), à partir d'un empilement comprenant au moins la couche à graver (410) et une couche de masquage (420) surmontant la couche à graver (410), la couche de masquage (420) présentant au moins un motif (421), le procédé comprenant au moins: a) une étape de modification d'au moins une zone (411) de la couche à graver (410) par implantation d'ions (430) au droit de l'au moins un motif (421); b) au moins une séquence d'étapes comprenant : b1) une étape d'élargissement (440) de l'au moins un motif (421) selon un plan dans lequel s'étend principalement la couche à graver (410) ; b2) une étape de modification d'au moins une zone (411', 411") de la couche à graver (410) par implantation d'ions (430) au droit de l'au moins un motif (421) élargi, l'implantation étant effectuée sur une profondeur inférieure à la profondeur d'implantation de l'étape précédente de modification ; c) une étape de retrait (461, 462) des zones modifiées (411, 411', 411"), le retrait comprenant une étape de gravure des zones modifiées (411, 411', 411") sélectivement aux zones non modifiées (412) de la couche à graver (410).

公开(公告)号：FR3016700A1

公开(公告)日：2015-07-24

申请号：FR1450410

申请日：2014-01-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： REBOUD VINCENT ,  LANDIS STEPHAN ,  ROGNIN ETIENNE

IPC: G01N25/00 ,  B29C33/38 ,  B29C33/42 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G02B3/02 ,  G03F5/16 ,  G06F17/50

Abstract: Procédé de détermination d'un moins un paramètres de fluage permettant l'obtention d'une structure approximant une structure souhaitée (S1) par fluage d'une structure initiale (S2) différente de la structure souhaitée (S1), la structure initiale (S2) étant faite d'au moins un motif formé dans une couche thermo-déformable disposée sur un substrat, caractérisé en ce que la couche thermo-déformable forme une couche résiduelle entourant chaque motif et à partir de laquelle s'étend chaque motif de manière à ce que chaque motif présente uniquement une interface avec le milieu environnant et en ce que le procédé comprend au moins les étapes suivantes: - une étape de prédiction (1104) de l'évolution dans le temps de la géométrie de la structure initiale (200) (S2) soumise à un fluage, de manière à obtenir une pluralité de géométries de structures prédites (S3) associées chacune à des paramètres de fluage comprenant au moins un temps de fluage et une température de fluage; - une étape de calcul (1105) de valeurs de corrélation de la géométrie de chaque structure prédite (S3) par rapport à la structure souhaitée (S1) ; - une étape d'identification (1106, 1108) des paramètres de fluage permettant d'obtenir la structure prédite (S3) offrant la valeur de corrélation la plus élevée.