公开(公告)号：FR3067517B1

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：FR1755314

申请日：2017-06-13

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LAMY YANN ,  BENAISSA LAMINE ,  NAVARRO ETIENNE

IPC: H01L21/763 ,  H01L21/74

Abstract: Substrat (100) de type semi-conducteur sur isolant, comportant au moins : - une couche support (102) ; - une couche superficielle (104) de semi-conducteur ; - une couche diélectrique enterrée (106) disposée entre la couche support et la couche superficielle ; - une couche (108) de piégeage de charges électriques disposée entre la couche diélectrique enterrée et la couche support, et comprenant au moins un matériau semi-conducteur polycristallin et/ou un matériau à changement de phase ; dans lequel la couche de piégeage de charges électriques comporte au moins une première région (110) et au moins une deuxième région (112) disposées l'une à côté de l'autre dans le plan de la couche de piégeage de charges électriques, le matériau de la première région étant dans un état au moins partiellement recristallisé et ayant une résistivité électrique inférieure à celle du matériau de la deuxième région.

公开(公告)号：FR3030903B1

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：FR1462719

申请日：2014-12-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： EL BOUAYADI OSSAMA ,  GOUBAULT DE BRUGIERE BAPTISTE ,  LAMY YANN

IPC: H01Q1/36 ,  H01Q15/14

公开(公告)号：FR3031836B1

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：FR1550329

申请日：2015-01-15

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LAMY YANN ,  PERNIOLA LUCA

IPC: H01L23/58 ,  G06F21/70 ,  H01L21/20 ,  H01L45/00

公开(公告)号：FR3032556B1

公开(公告)日：2017-03-17

申请号：FR1551121

申请日：2015-02-11

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LAMY YANN ,  DUSSOPT LAURENT ,  EL BOUAYADI OSSAMA ,  MOKNACHE AMAZIR

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/498 ,  H01Q1/38 ,  H01Q19/185

Abstract: Dispositif de transmission RF (100) comprenant au moins : - un substrat (102) comportant des première et deuxième faces (104, 106) opposées l'une de l'autre ; - un premier circuit électronique de transmission RF (108) disposé sur et/ou dans le substrat ; - une première antenne (112a) disposée du côté de la première face du substrat, espacée de la première face du substrat et reliée électriquement au premier circuit électronique de transmission RF ; - un premier réflecteur d'ondes électromagnétiques couplé à la première antenne et comprenant : - une première surface à haute impédance (114a) comportant au moins plusieurs premiers éléments électriquement conducteurs (118) formant une première structure périodique et disposés sur la première face du substrat en regard de la première antenne ; - un premier plan de masse électriquement conducteur (116a) disposé au moins partiellement en regard de la première antenne.

公开(公告)号：FR2985088B1

公开(公告)日：2015-04-17

申请号：FR1162372

申请日：2011-12-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LAMY YANN

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

公开(公告)号：FR2985088A1

公开(公告)日：2013-06-28

申请号：FR1162372

申请日：2011-12-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LAMY YANN

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: La présente demande concerne la mise en oeuvre d'un structure de via TSV comprenant une partie supérieure réalisée du côté de la face avant d'un substrat où se trouvent des composants électroniques et une partie inférieure de hauteur et de section transversale plus faibles que celles de la partie supérieure, l'agencement de l'élément de connexion dans le substrat étant tel qu'il permet de libérer des contraintes générées par les différents matériaux de ladite structure (figure 1).

公开(公告)号：FR3012237A1

公开(公告)日：2015-04-24

申请号：FR1360292

申请日：2013-10-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LAMY YANN ,  MERLE ALAIN ,  PARAT GUY-MICHEL ,  TRIA ASSIA

IPC: G06K19/073

Abstract: Puce électronique (100) comportant : - un circuit électronique (108) disposé au niveau d'une face avant (104) d'un substrat (102) ; - un élément capacitif (115) disposé au niveau d'une face arrière (106) du substrat et en regard du circuit électronique, et relié électriquement au circuit électronique par une première (116, 118a) et une deuxième (102, 118b) liaisons électriques, la première liaison électrique comprenant un premier via électriquement conducteur (116) traversant le substrat, le circuit électronique étant apte à mesurer la valeur de la capacité électrique de l'élément capacitif entre la première et la deuxième liaisons électriques, et/ou - au moins un deuxième via ou une tranchée (110) traversant la face arrière du substrat et une partie de l'épaisseur du substrat, et disposé en regard du circuit électronique tel qu'une paroi de fond du deuxième via ou de la tranchée soit espacée du circuit électronique d'une distance non nulle.

公开(公告)号：FR2886465A1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：FR0505346

申请日：2005-05-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： MICHEL JEAN PHILIPPE ,  LAMY YANN ,  ROYET ANNE SOPHIE ,  VIALA BERNARD

IPC: H01P1/215 ,  H01L23/66 ,  H03H9/46

Abstract: Le composant microélectronique intégré comporte un conducteur électrique (3), constituant un élément de ligne de transmission pour une onde électromagnétique radiofréquence. Ce conducteur électrique est entouré au moins partiellement par un circuit magnétique (6), de préférence fermé, formé au moins par la superposition d'une couche en matériau ferromagnétique ayant une valeur d'aimantation à saturation (Ms) supérieure ou égale à 800kA/m et d'une couche en matériau magnétique. La couche en matériau magnétique génère alors dans la couche ferromagnétique adjacente une anisotropie magnétique uniaxiale. Il est ainsi possible de combiner une aimantation élevée et une forte anisotropie, permettant ainsi un fonctionnement dans des plages de fréquence élevées, par exemple de l'ordre de 5 à 20GHz.