公开(公告)号：FR2888404A1

公开(公告)日：2007-01-12

申请号：FR0507145

申请日：2005-07-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： LENOBLE DAMIEN ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8232

Abstract: Circuit intégré comprenant au moins une photodiode (PD) associée à un transistor de transfert (TG), ladite photodiode (PD) comportant une jonction PN supérieure et le transistor (TG) comportant un espaceur (ESP1) latéral situé du côté de la photodiode (PD). La couche supérieure (3) de la jonction PN supérieure comporte une extension surfacique latérale et s'étendant sous l'espaceur (ESP1).

公开(公告)号：FR2847383B1

公开(公告)日：2005-04-15

申请号：FR0214255

申请日：2002-11-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： LENOBLE DAMIEN

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: Procédé de fabrication d'un circuit intégré, comprenant un substrat S de silicium cristallin et une grille GR formée sur le substrat S, dans lequel on met en oeuvre une étape d'amorphisation d'une région du substrat S pour obtenir une région de silicium amorphe, on met en oeuvre une étape d'implantation d'une espèce dopante dans une sous-région sensiblement comprise dans ladite région du substrat pour former des extensions de drains et de sources LDD, et on met en oeuvre une étape de formation de source SO et drain DR à basse température.

公开(公告)号：FR2856842A1

公开(公告)日：2004-12-31

申请号：FR0350276

申请日：2003-06-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： LENOBLE DAMIEN

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/316