公开(公告)号：FR3057350A1

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：FR1659698

申请日：2016-10-07

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  CABANES BENJAMIN ,  MAITRE CHRISTOPHE ,  BOISSEAU SEBASTIEN

IPC: G01D3/08 ,  G01R31/36 ,  G08C17/02 ,  H04Q9/00

Abstract: L'invention concerne un système comportant un ou plusieurs modules de mesure (101) comprenant chacun : - un générateur électrique (201) à récupération d'énergie ambiante ; - un élément capacitif (211) de stockage de l'énergie électrique produite par le générateur ; et - un circuit actif (221) adapté à émettre un signal radio d'indication d'évènement à chaque fois que la tension aux bornes de l'élément capacitif (211) dépasse un seuil, le système comprenant en outre une unité de réception adaptée à recevoir les signaux d'indication d'évènement émis par chaque module (101), et adaptée à mesurer une grandeur temporelle représentative de la cadence d'émission des signaux d'indication d'évènement par le module (101).

公开(公告)号：FR3010830B1

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：FR1358934

申请日：2013-09-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  LHOSTIS SANDRINE ,  MAITRE CHRISTOPHE ,  KOKSHAGINA OLGA ,  CORONEL PHILIPPE

IPC: H01L23/473

公开(公告)号：FR3010830A1

公开(公告)日：2015-03-20

申请号：FR1358934

申请日：2013-09-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  LHOSTIS SANDRINE ,  MAITRE CHRISTOPHE ,  KOKSHAGINA OLGA ,  CORONEL PHILIPPE

IPC: H01L23/473

Abstract: L'invention concerne un dispositif (200) de refroidissement d'une puce (IC) de circuit intégré, comportant un réseau de micro-canalisations (209, 211, 213, 215) dans lequel des portions de canalisations sont reliées par des vannes (218) comportant chacune au moins une lamelle (221) bicouche.

公开(公告)号：FR3009907A1

公开(公告)日：2015-02-27

申请号：FR1358072

申请日：2013-08-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  MAITRE CHRISTOPHE ,  KOKSHAGINA OLGA ,  SKOTNICKI THOMAS ,  SOUPREMANIEN ULRICH

IPC: H02N2/18 ,  H01L37/00

Abstract: L'invention concerne un dispositif (400) de conversion d'énergie, comprenant une enceinte (430) contenant des gouttes d'un liquide (427) et un transducteur capacitif à électret (417, 419, 421) couplé à cette enceinte.

公开(公告)号：FR2982424B1

公开(公告)日：2014-01-10

申请号：FR1160209

申请日：2011-11-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  SAVELLI GUILLAUME ,  SKOTNICKI THOMAS ,  CORONEL PHILIPPE ,  GAILLARD FREDERIC

IPC: H01L37/00

Abstract: Système de conversion d'énergie thermique en énergie électrique (S1) destiné à être disposé entre une source chaude (SC) et une source froide (SF) , comportant des moyens de conversion de l'énergie thermique en énergie mécanique (6) et un matériau piézoélectrique, les moyens de conversion de l'énergie thermique en énergie mécanique (6) comportant des groupes (G1, G2 ) de au moins trois bilames (9, 11, 13) reliés mécaniquement entre eux par leur extrémités longitudinales et suspendus au-dessus d'un substrat (12), chaque bilame (9, 11, 13) comportant deux états stables dans lesquels il présente dans chacun des états une courbure, deux bilames directement adjacentes (9, 11, 13) présentant pour une température donnée des courbures opposées, le passage d'un état à stable des bilames (9, 11, 13) à l'autre provoquant la déformation d'un matériau piézoélectrique.

公开(公告)号：JP2015061076A

公开(公告)日：2015-03-30

申请号：JP2014188882

申请日：2014-09-17

Applicant: コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ ,  Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives ,  コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ ,  エス テ マイクロエレクトロニクス エス アー ,  St Microelectronics Sa ,  エス テ マイクロエレクトロニクス エス アー ,  エス テ マイクロエレクトロニクス クロル 2 エス アー エス ,  Stmicroelectronics Crolles 2 Sas ,  エス テ マイクロエレクトロニクス クロル 2 エス アー エス

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  SANDRINE LHOSTIS ,  CHRISTOPHE MAITRE ,  OLGA KOKSHAGINA ,  PHILIPPE CORONEL

IPC: H01L23/34

CPC classification number: H05K1/0203 ,  F28D9/0062 ,  F28F27/02 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】局所的に冷却能力を向上させることができる冷却装置を提供する。【解決手段】集積回路チップを冷却する冷却装置は、第1基板201と、熱膨張率の異なる物質からなる層205及び207の積層体を介して、前記第1基板201に積層された第2基板203と、前記第1基板201に形成された複数の溝209が互いに接続されてなる第1ネットワーク、及び前記第2基板203に形成された複数の溝211が互いに接続されてなる第2ネットワークを有するマイクロパイプネットワークと、2層構造の弁体221を有するバルブ218とを備え、前記マイクロパイプネットワークの一部は、前記バルブ218を介して接続先に接続されている。【選択図】図2D

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够局部地提高其冷却性能的冷却装置。解决方案：用于冷却集成电路芯片的冷却装置包括：第一基板201; 通过由具有不同热膨胀系数的材料构成的层205和207堆叠在第一基板201上的第二基板203; 具有第一网络的微管网络，其中形成在第一基板201中的多个槽209彼此连接，第二网络中形成有第二基板203中的多个槽211彼此连接; 以及具有两层结构的阀元件221的阀门218。 微管网络的一部分通过阀218连接到连接目的地。

公开(公告)号：JP2007258715A

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：JP2007070062

申请日：2007-03-19

Applicant: St Microelectronics Sa ,  Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas ,  エスティマイクロエレクトロニクス エスエー ,  エスティマイクロエレクトロニクス(クロル 2)エスエーエスSTMicroelectronics (Crolles 2)SAS

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS ,  DUTARTRE DIDIER ,  TALBOT ALEXANDRE

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78684 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a transistor with a germanium-rich channel and fully-depleted type architecture that can be easily manufactured on an arbitrary substrate and that can easily control the formation of the channel.
SOLUTION: The manufacturing method for a MOS transistor comprises (a) a step to form a half-conductive interlayer 6 containing alloy of silicon and germanium on a substrate 2, (b) step to manufacture the source region, drain region and insulating gate regions 11, 12 and 9 of the transistor on the interlayer 6, and (c) step to oxidize the interlayer 6 starting with the bottom surface of the interlayer 6 to raise the concentration of germanium within the channel of the transistor.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有富锗的通道和全耗尽型结构的晶体管的制造方法，其可以容易地在任意的衬底上制造并且可以容易地控制通道的形成。 解决方案：MOS晶体管的制造方法包括（a）在衬底2上形成含有硅和锗的合金的半导体中间层6的步骤，（b）制造源极区，漏极区和 在中间层6上的晶体管的绝缘栅极区域11,12和9，以及（c）从中间层6的底面开始氧化中间层6的步骤，以提高锗在晶体管的沟道内的浓度。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：FR2977983B1

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：FR1156280

申请日：2011-07-11

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SAVELLI GUILLAUME ,  CORONEL PHILIPPE ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L35/02

公开(公告)号：FR3009653B1

公开(公告)日：2015-08-07

申请号：FR1357913

申请日：2013-08-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  ARNAUD ARTHUR ,  SKOTNICKI THOMAS ,  PUSCASU ONORIU ,  BOISSEAU SEBASTIEN

IPC: H01L27/16 ,  H01L27/142 ,  H01L35/02

公开(公告)号：FR2986908A1

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：FR1251368

申请日：2012-02-14

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： OLLIER EMMANUEL ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS ,  SOUPREMANIEN ULRICH

IPC: H01L37/00 ,  H01L23/34

Abstract: Dispositif de conversion d'énergie thermique en énergie électrique comportant des cellules (C1, C2) comprenant : - une cavité (2) dont une paroi (2.1) est destinée à être en contact avec une source de chaleur (SC) , - une cavité (4) dont une paroi (4.1) est destinée à être en contact avec une source froide (SF) , - un canal primaire (6) entre la cavité (2) et la cavité (4) transportant un fluide sous forme de gouttes liquides, le canal primaire comportant des moyens assurant le transport de gouttes de fluide liquide de la cavité (4) vers la cavité (2), - au moins un canal secondaire (8) entre la cavité (2) et la cavité (4) transportant le fluide sous forme de gaz, - un matériau piézoélectrique (10) disposé dans l'une des (2) et (4) cavités, - un fluide sous forme liquide et gazeuse confiné dans la cellule.