公开(公告)号：DE102013210624B4

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102013210624

申请日：2013-06-07

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FLACHOWSKY STEFAN ,  ILLGEN RALF ,  ZSCHÄTZSCH GERD ,  BOSCHKE ROMAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit: Implantieren von Ionen durch eine Öffnung in einer dielektrischen Struktur in ein Kanalgebiet eines aktiven Gebiets, wobei das aktive Gebiet in einem kristallinen Halbleitermaterial gebildet ist und ein Sourcegebiet, ein Draingebiet und das Kanalgebiet umfasst, die dielektrischen Struktur das Sourcegebiet und das Draingebiet bedeckt und zumindest ein Teil des Kanalgebiets durch die Implantation der Ionen amorphisiert wird; Füllen der Öffnung mit einem elastisch verspannten Material; und Rekristallisieren des Kanalgebiets in Anwesenheit des elastisch verspannten Materials in der Öffnung.

公开(公告)号：SG2014002539A

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：SG2014002539

申请日：2014-01-13

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BALDAUF TIM ,  FLACHOWSKY STEFAN ,  ILLGEN RALF ,  HERRMANN TOM

Abstract: A method comprises providing a semiconductor structure comprising a substrate and a nanowire above the substrate. The nanowire comprises a first semiconductor material and extends in a vertical direction of the substrate. A material layer is formed above the substrate. The material layer annularly encloses the nanowire. A first part of the nanowire is selectively removed relative to the material layer. A second part of the nanowire is not removed. A distal end of the second part of the nanowire distal from the substrate is closer to the substrate than a surface of the material layer so that the semiconductor structure has a recess at the location of the nanowire. The distal end of the nanowire is exposed at the bottom of the recess. The recess is filled with a second semiconductor material. The second semiconductor material is differently doped than the first semiconductor material.

公开(公告)号：DE102012214077A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：DE102012214077

申请日：2012-08-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BALDAUF TIM ,  HERRMANN TOM ,  FLACHOWSKY STEFAN ,  ILLGEN RALF

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L27/088

Abstract: Es werden Verfahren zum Bilden von integrierten Schaltungen und integrierte Schaltungen offenbart. Die integrierten Schaltungen umfassen Gatestrukturen, die über und quer zu einem oder mehreren Stegen angeordnet sind, die durch in einem Halbleitersubstrat gebildete Gräben begrenzt sind. Abstehende Bereiche sind in den Gräben zwischen den Gateelektrodenstrukturen auf freiliegenden Seitenwandoberflächen der einen oder mehreren Stege gebildet. Die Gräben sind zwischen den abstehenden Bereichen und den Gatestrukturen mit einem isolierenden Material gefüllt.