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    反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
    11.
    发明专利
    反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 审中-公开
    反射型掩模层，反射型掩模及其制造方法以及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：JP2016126319A

    公开(公告)日：2016-07-11

    申请号：JP2015180419

    申请日：2015-09-14

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 小坂井 弘文 ,  笑喜 勉 ,  淺川 竜男

    IPC: G03F1/86 ,  G03F1/24

    Abstract: 【課題】電子線によるマスク欠陥検査時のチャージアップを防止するとともに、平滑性の高い多層反射膜を持つ低欠陥なEUV用反射型マスクブランク、及び反射型マスクとその製造方法を提供する。 【解決手段】基板1上に導電性下地膜4と、露光光を反射する多層反射膜5と、露光光を吸収する吸収体膜7が積層され、導電性下地膜4は、多層反射膜5と隣接して設けられた膜厚が1nm以上10nm以下のタンタル系材料の単層膜、あるいは多層反射膜5と隣接して設けられた膜厚が1nm以上10nm以下のタンタル系材料層と該タンタル系材料層と前記基板との間に設けられた導電性材料層とを含む積層膜からなる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于通过电子束检查掩模缺陷时防止充电的小缺陷的EUV的反射型掩模板，并且具有高度平滑的多层反射膜，以及反射型掩模和生产方法 相同。解决方案：导电基膜4，反射曝光的多层反射膜5和吸收曝光光的吸收体膜7层叠在基板1上。导电性基膜4由单层膜 或者与多层反射膜5相邻设置的厚度不小于1nm且不大于10nm的钽材料，或包括厚度不小于1nm且不大于10的钽材料层的层压膜 设置在多层反射膜5附近的导电材料层和设置在钽材料层和基板之间的导电材料层。 G：图1

    マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
    12.
    发明专利
    マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 有权
    用于掩模空白的基板，具有多层反射膜的基板，透射掩模层，反射掩模层，透射掩模，反射掩模和用于制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：JP2016014898A

    公开(公告)日：2016-01-28

    申请号：JP2015202958

    申请日：2015-10-14

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 浜本 和宏 ,  折原 敏彦 ,  小坂井 弘文 ,  臼井 洋一 ,  笑喜 勉 ,  堀川 順一

    IPC: C03C19/00 ,  C03C15/02 ,  G03F1/60

    CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F1/50 ,  G03F1/60 ,  G03F7/2004 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0334

    Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能なマスクブランク用基板を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって、前記基板の転写パターンが形成される側の主表面における1μm×1μmの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、ベアリングエリア30%をBA 30 、ベアリングエリア70%をBA 70 、ベアリングエリア30%及び70%に対応するベアリング深さをそれぞれBD 30 及びBD 70 と定義したときに、前記基板の主表面が、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )≧350(%/nm)の関係式を満足し、かつ最大高さ(Rmax)≦1.2nmとした構成としてある。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于掩模坯料的基板，其能够通过防止由于基板和膜上的表面粗糙度而在检测到的缺陷检查中的缺陷检查中容易地检测诸如异物和瑕疵的关键缺陷 使用高灵敏度缺陷检查装置。解决方案：用于光刻的掩模板的基板被配置为使得通过用原子测量获得的轴承面积（％）和轴承深度（nm）之间的关系， 如果承载面积为30％的轴承面积定义为BA，轴承面积为70％，轴承深度相应为1×1μm的区域，则在其上形成有转印图案的基板的主表面上 作为BD和BD的轴承面积分别为30％和70％，基材的主表面满足关系式（BA-BA）/（BD-BD）≥350（％/ nm），最大高度为（ Rmax）≤1.2nm。

    多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
    13.
    发明专利
    多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 审中-公开
    使用多层反射膜制造基板的方法，制造反射掩模层的方法和制造反射掩模的方法

    公开(公告)号：JP2015088592A

    公开(公告)日：2015-05-07

    申请号：JP2013225277

    申请日：2013-10-30

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 笑喜 勉 ,  池邊 洋平 ,  浜本 和宏 ,  小坂井 弘文

    IPC: G03F1/24 ,  G03F1/84 ,  C23C14/34 ,  H01L21/027

    Abstract: 【課題】 多層反射膜の成膜の際、転写パターン形成領域内の欠陥数が0個となる収率を、より高くすることができる、多層反射膜付き基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記多層反射膜の一部を成膜する部分成膜工程と、成膜した前記多層反射膜の欠陥検査をする欠陥検査工程と、欠陥検査の結果を評価して、所定の欠陥が所定の欠陥数以下である前記多層反射膜付き基板を選択する基板選択工程とをこの順で含む多層反射膜一部形成工程を含み、前記多層反射膜一部形成工程を、少なくとも2回繰り返すことにより、前記多層反射膜を形成し、前記基板選択工程で選択された前記多層反射膜付き基板に対してのみ、次の前記多層反射膜一部形成工程を実施することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法である。 【選択図】 図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造具有多层反射膜的基板的方法，其能够在形成多层反射膜时能够使转印图案形成区域的缺陷数为0的产品的成品率提高。 解决方案：制造具有反射曝光光的多层反射膜的基板的方法包括多层反射膜部分形成步骤，其中依次包括形成多层反射膜的一部分的部分成膜步骤，缺陷检查步骤 检查形成的多层反射膜的缺陷的基板选择步骤，以及具有规定缺陷数等于或小于规定数量的多层反射膜选择基板的缺陷检查结果的基板选择步骤。 多层反射膜部分形成步骤重复至少两次以形成多层反射膜，并且仅在基板选择步骤中选择的多层反射膜的基板经受下一次多层反射膜部分形成步骤。

    多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
    15.
    发明专利
    多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020166249A

    公开(公告)日：2020-10-08

    申请号：JP2020042971

    申请日：2020-03-12

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 中川 真徳 ,  小坂井 弘文

    IPC: G03F7/20 ,  G03F1/24

    Abstract: 【課題】 露光光に対する反射率が高く、かつ欠陥検査の際のバックグラウンドレベルが低い多層反射膜を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクを製造するために用いられる多層反射膜付き基板を提供する。 【解決手段】 基板の上に低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた多層膜からなり、露光光を反射するための多層反射膜を備える多層反射膜付き基板であって、前記多層反射膜が、モリブデン(Mo)と、窒素(N)、ホウ素(B)、炭素(C)、ジルコニウム(Zr)、酸素(O)、水素(H)及び重水素(D)から選択される少なくとも1つの添加元素とを含み、X線回折によるMo(110)の回折ピークから算出される前記多層反射膜の結晶子サイズが2.5nm以下であることを特徴とする多層反射膜付き基板である。 【選択図】 図1

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