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12.发明专利
公开(公告)号：JP6195880B2
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：JP2015202956
申请日：2015-10-14
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/48 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C17/3435 , C03C17/3626 , C03C17/3636 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C23/0075 , C03C3/06 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F1/22 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/70733 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , C03C2201/42 , C03C2218/33
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13.发明专利EUVリソグラフィー用多層反射膜付き基板の製造方法及びEUVリソグラフィー用反射型マスクブランクの製造方法、EUVリソグラフィー用反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 有权用于产生EUV光刻多层反射膜包衣制剂和EUV光刻反射型掩模基板，所述EUV光刻反射型掩模的制造方法，以及一种制造半导体器件的方法的方法
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公开(公告)号：JP2016126319A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2015180419
申请日：2015-09-14
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】電子線によるマスク欠陥検査時のチャージアップを防止するとともに、平滑性の高い多層反射膜を持つ低欠陥なEUV用反射型マスクブランク、及び反射型マスクとその製造方法を提供する。 【解決手段】基板1上に導電性下地膜4と、露光光を反射する多層反射膜5と、露光光を吸収する吸収体膜7が積層され、導電性下地膜4は、多層反射膜5と隣接して設けられた膜厚が1nm以上10nm以下のタンタル系材料の単層膜、あるいは多層反射膜5と隣接して設けられた膜厚が1nm以上10nm以下のタンタル系材料層と該タンタル系材料層と前記基板との間に設けられた導電性材料層とを含む積層膜からなる。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于通过电子束检查掩模缺陷时防止充电的小缺陷的EUV的反射型掩模板，并且具有高度平滑的多层反射膜，以及反射型掩模和生产方法 相同。解决方案：导电基膜4，反射曝光的多层反射膜5和吸收曝光光的吸收体膜7层叠在基板1上。导电性基膜4由单层膜 或者与多层反射膜5相邻设置的厚度不小于1nm且不大于10nm的钽材料，或包括厚度不小于1nm且不大于10的钽材料层的层压膜 设置在多层反射膜5附近的导电材料层和设置在钽材料层和基板之间的导电材料层。 G：图1
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15.发明专利
公开(公告)号：JP2016072441A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：JP2014200661
申请日：2014-09-30
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】低欠陥で高平滑な基板を製造することのできる基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び、転写用マスクの製造方法を提供する。 【解決手段】酸化物を含む材料からなる基板に対して、処理流体を介在させた状態で、触媒物質の加工基準面と前記主表面を接触又は接近させ、前記主表面と前記加工基準面とを相対運動させることにより前記主表面を触媒基準エッチングする。処理流体は、有機アルカリ水溶液を含む。 【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造能够制造低缺陷和高平滑度的基板的基板的方法，并且提供一种制造具有多层反射膜的基板的方法，制造掩模坯料的方法和 制造转印掩模的方法。解决方案：对于由含有氧化物的材料构成的基板，催化剂材料的加工参考表面和主表面接触或接近，同时插入工艺流体，并且催化剂参考蚀刻 通过相对地移动主表面和处理参考表面来执行主表面。 工艺流体含有有机碱性水溶液。选择图：图4
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Patent Agency Ranking16.发明专利マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 有权用于掩模空白的基板，具有多层反射膜的基板，透射掩模层，反射掩模层，透射掩模，反射掩模和用于制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016014898A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2015202958
申请日：2015-10-14
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/60 , G03F7/2004 , H01L21/0332 , H01L21/0334
Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能なマスクブランク用基板を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって、前記基板の転写パターンが形成される側の主表面における1μm×1μmの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、ベアリングエリア30%をBA 30 、ベアリングエリア70%をBA 70 、ベアリングエリア30%及び70%に対応するベアリング深さをそれぞれBD 30 及びBD 70 と定義したときに、前記基板の主表面が、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )≧350(%/nm)の関係式を満足し、かつ最大高さ(Rmax)≦1.2nmとした構成としてある。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于掩模坯料的基板，其能够通过防止由于基板和膜上的表面粗糙度而在检测到的缺陷检查中的缺陷检查中容易地检测诸如异物和瑕疵的关键缺陷 使用高灵敏度缺陷检查装置。解决方案：用于光刻的掩模板的基板被配置为使得通过用原子测量获得的轴承面积（％）和轴承深度（nm）之间的关系， 如果承载面积为30％的轴承面积定义为BA，轴承面积为70％，轴承深度相应为1×1μm的区域，则在其上形成有转印图案的基板的主表面上 作为BD和BD的轴承面积分别为30％和70％，基材的主表面满足关系式（BA-BA）/（BD-BD）≥350（％/ nm），最大高度为（ Rmax）≤1.2nm。
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公开(公告)号：JP2015156494A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：JP2015052133
申请日：2015-03-16
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/24 , G03F1/84 , G03F7/20 , C23C14/06 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/24 , G03F1/84 , G03F7/2004
Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能な反射型マスクブランクを提供する。 【解決手段】マスクブランク用基板10の主表面の上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜21及び吸収体膜24を含むマスクブランク用多層膜26を有する反射型マスクブランク30であって、前記反射型マスクブランク30表面における1μm×1μmの領域を原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )≧60(%/nm)の関係を満たし、かつ最大高さ(Rmax)≦4.5nmである。 【選択図】図5
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公开(公告)号：JP2015088592A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013225277
申请日：2013-10-30
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/24 , G03F1/84 , C23C14/34 , H01L21/027
Abstract: 【課題】 多層反射膜の成膜の際、転写パターン形成領域内の欠陥数が0個となる収率を、より高くすることができる、多層反射膜付き基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記多層反射膜の一部を成膜する部分成膜工程と、成膜した前記多層反射膜の欠陥検査をする欠陥検査工程と、欠陥検査の結果を評価して、所定の欠陥が所定の欠陥数以下である前記多層反射膜付き基板を選択する基板選択工程とをこの順で含む多層反射膜一部形成工程を含み、前記多層反射膜一部形成工程を、少なくとも2回繰り返すことにより、前記多層反射膜を形成し、前記基板選択工程で選択された前記多層反射膜付き基板に対してのみ、次の前記多層反射膜一部形成工程を実施することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法である。 【選択図】 図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造具有多层反射膜的基板的方法，其能够在形成多层反射膜时能够使转印图案形成区域的缺陷数为0的产品的成品率提高。 解决方案：制造具有反射曝光光的多层反射膜的基板的方法包括多层反射膜部分形成步骤，其中依次包括形成多层反射膜的一部分的部分成膜步骤，缺陷检查步骤 检查形成的多层反射膜的缺陷的基板选择步骤，以及具有规定缺陷数等于或小于规定数量的多层反射膜选择基板的缺陷检查结果的基板选择步骤。 多层反射膜部分形成步骤重复至少两次以形成多层反射膜，并且仅在基板选择步骤中选择的多层反射膜的基板经受下一次多层反射膜部分形成步骤。
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19.发明专利基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置 有权生产基材的方法，制造多层薄膜基材的方法，掩模层的方法，生产转印掩模的方法和基板生产装置
公开(公告)号：JP2015075630A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013211713
申请日：2013-10-09
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/24 , C03C15/00 , G03F1/60
Abstract: 【課題】低欠陥で高平滑な基板を製造することのできる基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置を提供する。 【解決手段】少なくとも主表面がケイ素酸化物を含む材料よりなる基板に対して、触媒物質の加工基準面を前記主表面に接触又は接近させ、前記主表面と前記加工基準面とを相対運動させることにより前記主表面を触媒基準エッチングする。この時、前記処理液は前記基板主表面で加水分解を起こす液体であり、且つ、前記触媒基準エッチング中の前記処理液の温度は、常温を超える温度である。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造能够减少缺陷和平滑度降低的基板的基板的制造方法，制备多层膜提供基板的方法，掩模坯料的制造方法， 制造用于转印的掩模和基板制造装置。解决方案：制造基板的方法包括使催化物质的处理参考表面与基板的主表面接触，其中主表面由氧化硅组成，或 使处理基准面靠近基板的主表面，并且通过相对地移动主表面和处理参考表面来执行主表面的催化剂参考蚀刻。 所使用的处理液是在基板的主表面上产生水解的液体，催化剂基准蚀刻时的处理液的温度高于常温。
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公开(公告)号：JP2021128247A
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2020022459
申请日：2020-02-13
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】薄い金属膜の膜質が経時的に変化することを抑制することのできる反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 反射型マスクブランク100は、基板10と、基板10上の多層反射膜12と、多層反射膜12上の積層膜16とを備える。積層膜16は、最上層20と、それ以外の下層18とを含む。最上層20の膜厚は、0.5nm以上5nm未満である。最上層20は、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、白金(Pt)、ルテニウム(Ru)、金(Au)、イリジウム(Ir)、コバルト(Co)、錫(Sn)、ニッケル(Ni)、レニウム(Re)、モリブデン(Mo)及びニオブ(Nb)から選ばれる少なくとも1つの金属元素と、水素(H)及び重水素(D)から選ばれる少なくとも1つの添加元素とを含む。最上層の金属元素の合計含有量は、95原子%以上である。 【選択図】 図1
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