公开(公告)号：GB2497060B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：GB201305909

申请日：2011-07-27

Applicant: IBM

Inventor： RIM KERN ,  HENSON WILLIAM K ,  LIANG YUE ,  WANG XINLIN

IPC: H01L29/06

Abstract: A semiconductor structure including a p-channel field effect transistor (pFET) device located on a surface of a silicon germanium (SiGe) channel is provided in which the junction profile of the source region and the drain region is abrupt. The abrupt source/drain junctions for pFET devices are provided in this disclosure by forming an N- or C-doped Si layer directly beneath a SiGe channel layer which is located above a Si substrate. A structure is thus provided in which the N- or C-doped Si layer (sandwiched between the SiGe channel layer and the Si substrate) has approximately the same diffusion rate for a p-type dopant as the overlying SiGe channel layer. Since the N- or C-doped Si layer and the overlying SiGe channel layer have substantially the same diffusivity for a p-type dopant and because the N- or C-doped Si layer retards diffusion of the p-type dopant into the underlying Si substrate, abrupt source/drain junctions can be formed.

公开(公告)号：DE112011103483T5

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：DE112011103483

申请日：2011-07-27

Applicant: IBM

Inventor： WANG XINLIN ,  HENSON WILLIAM K ,  RIM KERN ,  LIANG YUE

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Es wird eine Halbleiterstruktur bereitgestellt, welche eine p-Kanal-Feldeffekttransistor(pFET)-Einheit aufweist, die auf einer Fläche eines Siliciumgermanium(SiGe)-Kanals 14 angeordnet ist, in welcher das Übergangsprofil der Source-Zone und der Drain-Zone 26 abrupt ist. Die abrupten Source/Drain-Übergänge für pFET-Einheiten werden in der vorliegenden Offenbarung durch Bilden einer N- oder C-dotierten Si-Schicht 16 direkt unterhalb einer SiGe-Kanal-Schicht 14 bereitgestellt, welche über einem Si-Substrat 12 angeordnet ist. So wird eine Struktur bereitgestellt, in welcher die N- oder C-dotierte Si-Schicht 16 (zwischen der SiGe-Kanal-Schicht und dem Si-Substrat angeordnet) ungefähr dieselbe Diffusionsgeschwindigkeit für einen Dotierstoff des p-Typs wie die darüber liegende SiGe-Kanal-Schicht aufweist. Da die N- oder C-dotierte Si-Schicht und die darüber liegende SiGe-Kanal-Schicht 14 im Wesentlichen dasselbe Diffusionsvermögen für einen Dotierstoff des p-Typs aufweisen und da die N- oder C-dotierte Si-Schicht 16 die Diffusion des Dotierstoff des p-Typs in das darunter liegende Si-Substrat verzögert, können abrupte Source/Drain-Übergänge gebildet werden.

公开(公告)号：DE112011103483B4

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：DE112011103483

申请日：2011-07-27

Applicant: IBM

Inventor： WANG XINLIN ,  HENSON WILLIAM K ,  RIM KERN ,  LIANG YUE

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur, aufweisend: Bereitstellen einer Struktur, welche ein Si-Substrat 12, eine N- oder C-dotierte Si-Schicht 16, die auf einer oberen Fläche des Si-Substrats angeordnet ist, und eine SiGe-Kanal-Schicht 14 umfasst, die auf einer oberen Fläche der N- oder C-dotierten Si-Schicht angeordnet ist; Bilden eines pFET-Gate-Stapels 18 auf einer oberen Fläche der SiGe-Kanal-Schicht; und Bilden einer Source-Zone und einer Drain-Zone 26 in einem Abschnitt der SiGe-Schicht, einem Abschnitt der N- oder C-dotierten Si-Schicht 16' und an einem Standbereich des pFET-Gate-Stapels durch Ionenimplantation eines Dotierstoffs des p-Typs, wobei die Source-Zone und die Drain-Zone ein abruptes Übergangsprofil aufweisen.

公开(公告)号：GB2497060A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：GB201305909

申请日：2011-07-27

Applicant: IBM

Inventor： RIM KERN ,  HENSON WILLIAM K ,  LIANG YUE ,  WANG XINLIN

IPC: H01L29/06

Abstract: A semiconductor structure including a p-channel field effect transistor (pFET) device located on a surface of a silicon germanium (SiGe) channel 14 is provided in which the junction profile of the source region and the drain region 26 is abrupt. The abrupt source/drain junctions for pFET devices are provided in this disclosure by forming an N- or C-doped Si layer 16 directly beneath a SiGe channel layer 14 which is located above a Si substrate 12. A structure is thus provided in which the N- or C-doped Si layer 16 (sandwiched between the SiGe channel layer and the Si substrate) has approximately the same diffusion rate for a p-type dopant as the overlying SiGe channel layer. Since the N- or C-doped Si layer and the overlying SiGe channel layer 14 have substantially the same diffusivity for a p-type dopant and because the N- or C-doped Si layer 16 retards diffusion of the p-type dopant into the underlying Si substrate, abrupt source/drain junctions can be formed.