Verfahren zum schnellen Schätzen bindender Lithografiestrukturen in einem Layout einer integrierten Schaltung

    公开(公告)号:DE112011102331T5

    公开(公告)日:2013-06-06

    申请号:DE112011102331

    申请日:2011-07-06

    Applicant: IBM

    Abstract: Die vorliegende Erfindung stellt eine Lithografie-Schwierigkeitsmessgröße bereit, bei der es sich um eine Funktion des Energieverhältnisfaktors handelt, der aufweist: ein Verhältnis der ”schwierig zu drucken”-Energie zur ”einfach zu drucken”-Energie der Beugungsordnungen entlang einer Winkelkoordinate i{ des Ortsfrequenzraums, einen Energieentropiefaktor, der die Energieentropie der Beugungsordnungen entlang der Winkelkoordinate ft aufweist, einen Phasenentropiefaktor, der die Phasenentropie der Beugungsordnungen entlang der Winkelkoordinate 6„ aufweist, und einen Gesamtenergie-Entropiefaktor, der die Gesamtenergieentropie der Beugungsordnungen aufweist (430, 440). Die ”schwierig zu drucken”-Energie weist Energie der Beugungsordnungen bei Werten der normalisierten radialen Koordinaten r des Ortsfrequenzraums in einer Umgebung von r = 0 und in einer Umgebung von r = 1 auf, und die ”einfach zu drucken”-Energie weist Energie der Beugungsordnungen auf, die an Zwischenwerten der normalisierten radialen Koordinaten r zwischen der Umgebung von r = 0 und der Umgebung von r = 1 liegen. Der Wert der Lithografie-Schwierigkeitsmessgröße kann zum Ermitteln von Strukturen in einer Entwurfsanordnung verwendet werden, bei denen es sich um bindende Strukturen in einer Optimierungsberechnung handelt. Die Lithografie-Schwierigkeitsmessgröße kann zum Entwerfen integrierter Schaltungen verwendet werden, die gute, verhältnismäßig einfach zu druckende Eigenschaften aufweisen.

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