公开(公告)号：WO2012009183A3

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/US2011042991

申请日：2011-07-06

Applicant: IBM ,  BAGHERI SAEED ,  DEMARIS DAVID L ,  GABRANI MARIA ,  MELVILLE DAVID OSMOND ,  ROSENBLUTH ALAN E ,  TIAN KEHAN

Inventor： BAGHERI SAEED ,  DEMARIS DAVID L ,  GABRANI MARIA ,  MELVILLE DAVID OSMOND ,  ROSENBLUTH ALAN E ,  TIAN KEHAN

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F1/70 ,  G06F17/5081

Abstract: The present invention provides a lithographic difficulty metric that is a function of an energy ratio factor that includes a ratio of hard-to-print energy to easy-to-print energy of the diffraction orders along an angular coordinate i{ of spatial frequency space, an energy entropy factor comprising energy entropy of said diffraction orders along said angular coordinate ft, a phase entropy factor comprising phase entropy of said diffraction orders along said angular coordinate 6,, and a total energy entropy factor comprising total energy entropy of said diffraction orders (430, 440). The hard-to-print energy includes energy of the diffraction orders at values of the normalized radial coordinates r of spatial frequency space in a neighborhood of r=0 and in a neighborhood of r=l, and the easy-to-print energy includes energy of the diffraction orders located at intermediate values of normalized radial coordinates r between the neighborhood of r=0 and the neighborhood of r=l. The value of the lithographic difficulty metric may be used to identify patterns in a design layout that are binding patterns in an optimization computation. The lithographic difficulty metric may be used to design integrated circuits that have good, relatively easy-to-print characteristics.

Abstract translation: 本发明提供了一种光刻难度度量，其是能量比因子的函数，能量比因子包括沿着沿着空间频率空间的角坐标i的衍射级的难以打印能量的容易打印能量的比率， 包括沿着所述角坐标ft的所述衍射级的能量熵的能量熵因子，包括沿着所述角坐标6的所述衍射级的相位熵的相位熵因子，以及包括所述衍射级的总能量熵的总能量熵因子 430,440）。 难以打印的能量包括在r = 0和r = 1附近的空间频率空间的归一化径向坐标r的值的衍射级的能量，并且易于打印的能量包括 位于r = 0附近和r = 1附近的归一化径向坐标r的中间值处的衍射级的能量。 光刻难度度量的值可用于识别在优化计算中的结合模式的设计布局中的图案。 光刻难度度可用于设计具有良好的，相对易于打印的特性的集成电路。

公开(公告)号：DE112011100241T5

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：DE112011100241

申请日：2011-03-16

Applicant: IBM

Inventor： MUTA HIDEMASA ,  SAKAMOTO MASAHURA ,  BAGHERI SAEED ,  INOUE TADANOBU ,  MELVILLE DAVID O ,  TIAN KEHAN ,  ROSENBLUTH ALAN E

IPC: G06F17/50

Abstract: Lichtwellendaten für den Entwurf einer Halbleitereinheit werden in Bereiche eingeteilt (102). Für die Wellendaten jedes Bereichs wird eine erste Gestaltung der Wellenfront durchgeführt, wobei nur die Wellendaten jedes Bereichs und nicht die Wellendaten benachbarter Bereiche jedes Bereichs berücksichtigt werden (104). Die Lichtwellendaten jedes Bereichs werden auf der Grundlage der ersten Gestaltung der Wellenfront normalisiert (106). Für die Wellendaten jedes Bereichs wird eine zweite Gestaltung der Wellenfront auf der Grundlage zumindest der normalisierten Wellendaten jedes Bereichs durchgeführt (108). Bei der zweiten Gestaltung der Wellenfront werden die Wellendaten jedes Bereichs und eines Sicherheitsstreifens um jeden Bereich herum berücksichtigt, der die Wellendaten der benachbarten Bereiche jedes Bereichs beinhaltet. Die zweite Gestaltung der Wellenfront kann nacheinander erfolgen, indem die Bereiche in Gruppen aufgeteilt (110) werden und nacheinander die zweite Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche jeder Gruppe parallel durchgeführt wird (110).

公开(公告)号：GB2495669A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：GB201301214

申请日：2011-07-06

Applicant: IBM

Inventor： BAGHERI SAEED ,  DEMARIS DAVID L ,  GABRANI MARIA ,  MELVILLE DAVID OSMOND ,  ROSENBLUTH ALAN E ,  TIAN KEHAN

IPC: H01L21/66 ,  G03F7/20 ,  G06F17/50 ,  H01L21/027

Abstract: The present invention provides a lithographic difficulty metric that is a function of an energy ratio factor that includes a ratio of hard-to-print energy to easy-to-print energy of the diffraction orders along an angular coordinate i{ of spatial frequency space, an energy entropy factor comprising energy entropy of said diffraction orders along said angular coordinate ft, a phase entropy factor comprising phase entropy of said diffraction orders along said angular coordinate 6,, and a total energy entropy factor comprising total energy entropy of said diffraction orders (430, 440). The hard-to-print energy includes energy of the diffraction orders at values of the normalized radial coordinates r of spatial frequency space in a neighborhood of r=0 and in a neighborhood of r=l, and the easy-to-print energy includes energy of the diffraction orders located at intermediate values of normalized radial coordinates r between the neighborhood of r=0 and the neighborhood of r=l. The value of the lithographic difficulty metric may be used to identify patterns in a design layout that are binding patterns in an optimization computation. The lithographic difficulty metric may be used to design integrated circuits that have good, relatively easy-to-print characteristics.

公开(公告)号：GB2492688A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：GB201217762

申请日：2011-03-16

Applicant: IBM

Inventor： BAGHERI SAEED ,  INOUE TADANOBU ,  MELVILLE DAVID O ,  MUTA HIDEMASA ,  ROSENBLUTH ALAN E ,  SAKAMOTO MASAHURA ,  TIAN KEHAN

IPC: G06F17/50 ,  H01L27/02

Abstract: Optical wave data for a semiconductor device design is divided into regions (102). First wavefront engineering is performed on the wave data of each region, accounting for just the wave data of each region. The optical wave date of each region is normalized based on the first wavefront engineering (106). Second wavefront engineering is performed on the wave data of each region, based at least on the wave data of each region as normalized (108). The second wavefront engineering takes into account the wave data of each region and a guard band around each region including the wave data of the neighboring regions of each region. The second wavefront engineering can be sequentially performed in parallel by organizing the regions into groups (110).

公开(公告)号：GB2495669B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：GB201301214

申请日：2011-07-06

Applicant: IBM

Inventor： BAGHERI SAEED ,  DEMARIS DAVID L ,  GABRANI MARIA ,  MELVILLE DAVID OSMOND ,  ROSENBLUTH ALAN E ,  TIAN KEHAN

IPC: H01L21/66 ,  G03F7/20 ,  G06F17/50 ,  H01L21/027

公开(公告)号：DE112011102331T5

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE112011102331

申请日：2011-07-06

Applicant: IBM

Inventor： BAGHERI SAEED ,  ROSENBLUTH ALAN E ,  DEMARIS DAVID L ,  MELVILLE DAVID OSMOND ,  GABRANI MARIA ,  TIAN KEHAN

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

Abstract: Die vorliegende Erfindung stellt eine Lithografie-Schwierigkeitsmessgröße bereit, bei der es sich um eine Funktion des Energieverhältnisfaktors handelt, der aufweist: ein Verhältnis der ”schwierig zu drucken”-Energie zur ”einfach zu drucken”-Energie der Beugungsordnungen entlang einer Winkelkoordinate i{ des Ortsfrequenzraums, einen Energieentropiefaktor, der die Energieentropie der Beugungsordnungen entlang der Winkelkoordinate ft aufweist, einen Phasenentropiefaktor, der die Phasenentropie der Beugungsordnungen entlang der Winkelkoordinate 6„ aufweist, und einen Gesamtenergie-Entropiefaktor, der die Gesamtenergieentropie der Beugungsordnungen aufweist (430, 440). Die ”schwierig zu drucken”-Energie weist Energie der Beugungsordnungen bei Werten der normalisierten radialen Koordinaten r des Ortsfrequenzraums in einer Umgebung von r = 0 und in einer Umgebung von r = 1 auf, und die ”einfach zu drucken”-Energie weist Energie der Beugungsordnungen auf, die an Zwischenwerten der normalisierten radialen Koordinaten r zwischen der Umgebung von r = 0 und der Umgebung von r = 1 liegen. Der Wert der Lithografie-Schwierigkeitsmessgröße kann zum Ermitteln von Strukturen in einer Entwurfsanordnung verwendet werden, bei denen es sich um bindende Strukturen in einer Optimierungsberechnung handelt. Die Lithografie-Schwierigkeitsmessgröße kann zum Entwerfen integrierter Schaltungen verwendet werden, die gute, verhältnismäßig einfach zu druckende Eigenschaften aufweisen.