公开(公告)号：DE102021132174A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102021132174

申请日：2021-12-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELL MICHAEL ,  ELPELT RUDOLF ,  LEENDERTZ CASPAR

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/161 ,  H01L29/80

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält: ein SiC-Substrat (102); eine Vorrichtungsstruktur in oder auf dem SiC-Substrat (102), das während eines Betriebs der Halbleitervorrichtung einem elektrischen Feld ausgesetzt ist; ein Stromleitungsgebiet (122) eines ersten Leitfähigkeitstyps im SiC-Substrat (102), das an die Vorrichtungsstruktur grenzt; und ein Abschirmgebiet (124) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, das dem Stromleitungsgebiet (122) lateral benachbart und dafür konfiguriert ist, die Vorrichtungsstruktur zumindest teilweise von dem elektrischen Feld abzuschirmen. Das Abschirmgebiet (124) weist eine höhere Netto-Dotierungskonzentration als das Stromleitungsgebiet (122) auf und hat eine Länge (L), die von einer ersten Position, die einer Unterseite der Vorrichtungsstruktur entspricht, bis zu einer zweiten Position gemessen wird, die einer Unterseite des Abschirmgebiets (124) entspricht. Das Stromleitungsgebiet (122) weist eine Breite (d) auf, die zwischen gegenüberliegenden lateralen Seiten des Stromleitungsgebiets (122) gemessen wird, und L/d liegt in einem Bereich von 1 bis 10.

公开(公告)号：DE102021120722A1

公开(公告)日：2022-02-24

申请号：DE102021120722

申请日：2021-08-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELL MICHAEL ,  ELPELT RUDOLF ,  LEENDERTZ CASPAR

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform eines Halbleiterbauelements enthält das Bauelement: mehrere in einem Halbleitersubstrat ausgebildete Bauelementzellen, wobei jede Bauelementzelle eine Transistorstruktur und eine Schottky-Dioden-Struktur enthält; und eine Superjunction-Struktur, die abwechselnde Gebiete eines ersten Leitfähigkeitstyps und eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die in dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind, enthält. Für jede Transistorstruktur sind ein Kanalgebiet der Transistorstruktur und ein Schottky-Metallgebiet einer benachbarten der Schottky-Dioden-Strukturen durch Halbleitermaterial vom ersten Leitfähigkeitstyp ohne Unterbrechung durch eines der Gebiete vom zweiten Leitfähigkeitstyp der Superjunction-Struktur miteinander verbunden, wobei das Halbleitermaterial vom ersten Leitfähigkeitstyp eines oder mehr der Gebiete vom ersten Leitfähigkeitstyp der Superjunction-Struktur enthält.

公开(公告)号：DE102019135490A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：DE102019135490

申请日：2019-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JELINEK MORIZ ,  MLETSCHNIG KRISTIJAN LUKA ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  LEENDERTZ CASPAR ,  HELL MICHAEL

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Substrat (700) wird zu einer Zielachse (706) orientiert, wobei eine verbleibende Winkelfehlausrichtung (Δθ) zwischen der Zielachse (706) und einer vorausgewählten Kristallkanalrichtung (707) im Substrat (700) innerhalb eines Winkeltoleranzintervalls (Rg) liegt. Dotierstoffionen werden in das Substrat (700) unter Verwendung eines Ionenstrahls (800) implantiert, der sich entlang einer Ionenstrahlachse (801) ausbreitet. Die Dotierstoffionen werden unter verschiedenen Implantationswinkeln (9) zwischen der Ionenstrahlachse (801) und der Zielachse (706) implantiert. Die Implantationswinkel (9) liegen innerhalb eines Implantationswinkelbereichs (Rw). Eine Kanalakzeptanzbreite (Rk) ist für die vorausgewählte Kristallkanalrichtung (707) effektiv. Der Implantationswinkelbereich (Rw) ist größer als 80 % einer Summe der Kanalakzeptanzbreite (Rk) und des doppelten Winkeltoleranzintervalls (Rg). Der Implantationswinkelbereich (Rw) ist kleiner als 500 % der Summe der Kanalakzeptanzbreite (Rk) und des doppelten Winkeltoleranzintervalls (Rg).