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    SILIZIUMCARBID HALBLEITERBAUELEMENT
    2.
    发明专利
    SILIZIUMCARBID HALBLEITERBAUELEMENT 未知

    公开(公告)号：DE102018112109B4

    公开(公告)日：2025-04-30

    申请号：DE102018112109

    申请日：2018-05-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BASLER THOMAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ELPELT RUDOLF

    IPC: H10D62/832 ,  H10D8/00 ,  H10D8/60 ,  H10D30/60 ,  H10D30/80 ,  H10D62/10

    Abstract: Halbleiterbauelement (100, 500), das aufweist:einen SiC Halbleiterkörper (102);einen ersten Lastanschluss (L1) an einer ersten Oberfläche (104) des SiC Halbleiterkörpers (102);einen zweiten Lastanschluss (L2) an einer der ersten Oberfläche (102) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (106) des SiC Halbleiterkörpers (102);eine Driftzone (112) von einem ersten Leitfähigkeitstyp im SiC Halbleiterkörper (102);ein erstes Halbleitergebiet (110) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, das mit dem ersten Lastanschluss (L1) elektrisch verbunden ist, wobei ein pn-Übergang zwischen der Driftzone (112) und dem ersten Halbleitergebiet (110) eine Spannungssperrfestigkeit des Halbleiterbauelements (100, 500) definiert; undein zweites Halbleitergebiet (114) vom zweiten Leitfähigkeitstyp zwischen wenigstens einem Teil der Driftzone (112) und der zweiten Oberfläche (106), wobei Dotierstoffe des zweiten Halbleitergebiets (114) tiefe Störstellen umfassen, deren energetischer Abstand zur nächstgelegenen Bandkante mehr als 160 meV beträgt, und wobei das zweite Halbleitergebiet (114) eine vertikale Ausdehnung (v) in einem Bereich von 20 nm bis 1 µm aufweist.

    Halbleiterbauelemente und eine Schaltung zum Steuern eines Feldeffekttransistors eines Halbleiterbauelements
    4.
    发明专利
    Halbleiterbauelemente und eine Schaltung zum Steuern eines Feldeffekttransistors eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102015113493B4

    公开(公告)日：2018-07-12

    申请号：DE102015113493

    申请日：2015-08-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： AICHINGER THOMAS ,  ZIPPELIUS BERND ,  ELPELT RUDOLF ,  BERGNER WOLFGANG ,  SIEMIENIEC RALF

    IPC: H01L29/78 ,  H03K17/687

    Abstract: Eine Schaltung (700) zum Steuern eines Feldeffekttransistors eines Halbleiterbauelements, die Schaltung umfassend:ein Steuerungsmodul (731), das ausgebildet ist, um ein Gate-Steuerungssignal (732) zum Steuern von zumindest einem Gate der Feldeffekttransistorstruktur zu erzeugen,wobei das Steuerungsmodul (731) ausgebildet ist, um das Gate-Steuerungssignal (732) mit einer ersten Gate-Spannung derart zu erzeugen, dass eine Abschirmungskanalregion zwischen zumindest einer Gate-Isolationsschicht und einer Drift-Region der Feldeffekttransistorstruktur in einem Aus-Zustand des Feldeffekttransistors erzeugt wird, wobei die Abschirmungskanalregion einen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyp als den Leitfähigkeitstyp der Drift-Region aufweist, undwobei das Steuerungsmodul (732) ausgebildet ist, um das Gate-Steuerungssignal (732) mit einer zweiten Gate-Spannung derart zu erzeugen, dass eine leitende Kanalregion an der Schnittstelle zwischen zumindest einer Gate-Isolationsschicht und der Body-Region in einem Ein-Zustand des Feldeffekttransistors gebildet wird, wobei die leitende Kanalregion denselben Leitfähigkeitstyp aufweist wie der Leitfähigkeitstyp der Drift-Region.

    Halbleitervorrichtung, die eine Superjunction-Struktur in einem SiC-Halbleiterkörper enthält
    5.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung, die eine Superjunction-Struktur in einem SiC-Halbleiterkörper enthält 未知

    公开(公告)号：DE102016113129B3

    公开(公告)日：2017-11-09

    申请号：DE102016113129

    申请日：2016-07-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MAUDER ANTON ,  PETERS DETHARD ,  ELPELT RUDOLF

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/36

    Abstract: Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (10, 11, 12, 13, 14, 15) umfasst ein Bodygebiet (108) eines ersten Leitfähigkeitstyps in einem SiC-Halbleiterkörper (101) eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Eine Superjunction-Struktur (110) befindet sich im SiC-Halbleiterkörper (101) und enthält einen Driftzonenabschnitt (111), der vom zweiten Leitfähigkeitstyp ist, und eine Kompensationsstruktur (112) des ersten Leitfähigkeitstyps. Die Kompensationsstruktur (112) grenzt an das Bodygebiet (108) und umfasst Kompensations-Substrukturen (113, 114, 1143, 1144, 1145), die entlang einer zu einer Oberfläche (106) des SiC-Halbleiterkörpers (101) senkrechten vertikalen Richtung (z) aufeinanderfolgend angeordnet sind. Die Kompensations-Substrukturen umfassen eine erste Kompensations-Substruktur (113) und eine zweite Kompensations-Substruktur (114). Ein Widerstand (R2) der weiten Kompensations-Substruktur (114) zwischen gegenüberliegenden Enden der zweiten Kompensations-Substruktur (114) entlang der vertikalen Richtung (z) ist zumindest fünfmal größer als ein Widerstand (R1) der ersten Kompensations-Substruktur (113) zwischen gegenüberliegenden Enden der ersten Kompensations-Substruktur (113) entlang der vertikalen Richtung (z).

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT514190T

    公开(公告)日：2011-07-15

    申请号：AT03718625

    申请日：2003-03-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ELPELT RUDOLF ,  MITLEHNER HEINZ ,  SCHOERNER REINHOLD

    IPC: H01L29/24 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

    Abstract: The invention relates to a semiconductor structure for controlling a current (I), comprising a first n-conductive semiconductor region (2), a current path that runs within the first semiconductor region (2) and a channel region (22). The channel region (22) forms part of the first semiconductor region (2) and comprises a base doping. The current (I) in the channel region (22) can be influenced by means of at least one depletion zone (23, 24). The channel region (22) contains an n-conductive channel region (225) for conducting the current, said latter region having a higher level of doping than the base doping. The conductive channel region (225) is produced by ionic implantation in an epitaxial layer (262) that surrounds the channel region (22).

    STROMSPREIZGEBIET ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG
    10.
    发明专利
    STROMSPREIZGEBIET ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102019125676B3

    公开(公告)日：2021-01-21

    申请号：DE102019125676

    申请日：2019-09-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HELL MICHAEL ,  LEENDERTZ CASPAR ,  GANNER THOMAS ,  ELPELT RUDOLF

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/18 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161

    Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung (100). Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen Siliziumcarbid-Halbleiterkörper (102). Ein erstes Abschirmgebiet (104) eines ersten Leitfähigkeitstyps ist mit einem ersten Kontakt (106) an einer ersten Oberfläche (108) des Siliziumcarbid-Halbleiterkörpers (102) elektrisch verbunden. Ein Stromspreizgebiet (110) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist mit einem zweiten Kontakt (112) an einer zweiten Oberfläche (114) des Siliziumcarbid-Halbleiterkörpers (102) elektrisch verbunden. Das erste Abschirmgebiet (104) und das Stromspreizgebiet (110) bilden einen pn-Übergang (116). Ein Dotierungskonzentrationsprofil des Stromspreizgebiets (110) enthält eine Vielzahl von Spitzen entlang einer zur ersten Oberfläche (106) senkrechten vertikalen Richtung (y). Eine Dotierungskonzentration einer Spitze oder einer Spitzengruppe (P1) der Vielzahl von Dotierungsspitzen (P1, P2, P3, P4) ist um zumindest 50 % größer als eine Dotierungskonzentration irgendeiner anderen (P2, P3, P4) der Vielzahl von Spitzen des Stromspreizgebiets (110). Ein erster vertikaler Abstand (vd1) zwischen der einen Spitze oder der einen Spitzengruppe (P1) des Stromspreizgebiets (110) und der ersten Oberfläche (108) ist größer als ein zweiter vertikaler Abstand (vd2) zwischen der ersten Oberfläche (108) und einer maximalen Dotierungsspitze des ersten Abschirmgebiets (104) entlang der vertikalen Richtung (y)

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