公开(公告)号：DE102021115971A1

公开(公告)日：2022-12-22

申请号：DE102021115971

申请日：2021-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOIB BENEDIKT ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MÜLLER MARTEN ,  JELINEK MORIZ ,  SCHULZE HOLGER

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung. Ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung (100) enthält ein Driftgebiet (102) eines ersten Leitfähigkeitstyps, das zwischen einer ersten Oberfläche (104) und einer zweiten Oberfläche (106) eines Halbleiterkörpers (108) angeordnet ist. Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner ein erstes Gebiet (110) des ersten Leitfähigkeitstyps an der zweiten Oberfläche (106). Weiter enthält die Halbleitervorrichtung (100) ein dem ersten Gebiet (110) benachbart angeordnetes zweites Gebiet (112) eines zweiten Leitfähigkeitstyps an der zweiten Oberfläche (106). Ein Feldstoppgebiet (114) des ersten Leitfähigkeitstyps ist zwischen dem Driftgebiet (102) und der zweiten Oberfläche (106) angeordnet. Eine erste Elektrode (116) auf der zweiten Oberfläche (106) ist dem ersten Gebiet (110) in einem ersten Teil (1061) der zweiten Oberfläche (106) und dem zweiten Gebiet (112) in einem zweiten Teil (1062) der zweiten Oberfläche (106) direkt benachbart angeordnet. Das Feldstoppgebiet (114) umfasst ein erstes Teilgebiet (1141) und ein zweites Teilgebiet (1142) zwischen dem ersten Teilgebiet (1141) und der zweiten Oberfläche (106). Über einen überwiegenden Bereich des ersten Teils (1061) der zweiten Oberfläche (106) grenzt das zweite Teilgebiet (1142) direkt an das erste Gebiet (110) und enthält Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps, die Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps teilweise kompensieren.

公开(公告)号：DE102018010379A1

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：DE102018010379

申请日：2018-09-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FELSL HANS-PETER ,  JELINEK MORIZ ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  SCHRAML KONRAD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Leistungshalbleitertransistor (1) umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10), der eine Vorderseite (10-1) und eine Rückseite (10-2) mit einer Rückseitenoberfläche (10-20) aufweist, wobei der Halbleiterkörper (10) ein Driftgebiet (100) eines ersten Leitfähigkeitstyps und ein Feldstoppgebiet (105) des ersten Leitfähigkeitstyps beinhaltet, das Feldstoppgebiet (105) zwischen dem Driftgebiet (100) und der Rückseite (10-2) angeordnet ist und in einem Querschnitt entlang einer vertikalen Richtung (Z), die von der Rückseite (10-2) zu der Vorderseite (10-1) zeigt, ein Konzentrationsprofil von Donatoren des ersten Leitfähigkeitstyps umfasst, das Folgendes aufweist: ein erstes lokales Maximum (1051) bei einem ersten Abstand (d1) von der Rückseitenoberfläche (10-20), eine vordere Breite bei halbem Maximum (B), die mit dem ersten lokalen Maximum (1051) assoziiert ist, und eine hintere Breite bei halbem Maximum (A), die mit dem ersten lokalen Maximum (1051) assoziiert ist, wobei die vordere Breite bei halbem Maximum (B) kleiner als die hintere Breite bei halbem Maximum (A) ist und wenigstens 8 % des ersten Abstands (d1) beträgt.

公开(公告)号：DE102016120771B3

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：DE102016120771

申请日：2016-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JELINEK MORIZ ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  WEBER HANS

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Kristallgitterdefekte werden in einem horizontalen Oberflächenbereich (110) eines Halbleitersubstrats (100) erzeugt, und wasserstoff-korrelierte Donatoren werden in dem Oberflächenbereich (110) ausgebildet. Eine Information über eine kumulative Dotierstoffkonzentration (Ncum) von Dotierstoffen einschließlich der wasserstoff-korrelierten Donatoren wird in dem Oberflächenbereich (110) erhalten. Auf der Basis der Information über die kumulative Dotierstoffkonzentration (Ncum) und einer Dissoziationsrate der wasserstoff-korrelierten Donatoren wird ein Haupttemperaturprofil (Tproc2(t)) zum Dissoziieren eines definierten Teils der wasserstoff-korrelierten Donatoren bestimmt. Das Halbleitersubstrat (100) wird einer Hauptwärmebehandlung unterzogen, die das Haupttemperaturprofil (Tproc2(t)) anwendet, um in dem Oberflächenbereich (110) eine endgültige gesamte Dotierstoffkonzentration (Ntot) zu erhalten, die von einer Ziel-Dotierstoffkonzentration (Ntar) um nicht mehr als 15 % abweicht.

公开(公告)号：DE102016102865A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：DE102016102865

申请日：2016-02-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  BRUGGER MICHAEL ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  JELINEK MORIZ ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66

Abstract: Ein Verfahren zum Implantieren von Ionen in ein Halbleitersubstrat umfasst ein Durchführen einer Testimplantation von Ionen in ein Halbleitersubstrat. Die Ionen der Testimplantation werden mit einem ersten Implantationswinkelbereich über das Halbleitersubstrat implantiert. Ferner umfasst das Verfahren ein Bestimmen eines Implantationswinkelversatzes basierend auf dem Halbleitersubstrat nach der Testimplantation und ein Anpassen eines Neigungswinkels des Halbleitersubstrats in Bezug auf eine Implantationsrichtung basierend auf dem bestimmten Implantationswinkelversatz. Zusätzlich umfasst das Verfahren ein Durchführen von zumindest einer Zielimplantation von Ionen in das Halbleitersubstrat nach dem Anpassen des Neigungswinkels. Die Ionen der zumindest einen Zielimplantation werden mit einem zweiten Implantationswinkelbereich über das Halbleitersubstrat implantiert. Ferner ist der erste Implantationswinkelbereich größer als der zweite Implantationswinkelbereich.

公开(公告)号：DE102015109661A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：DE102015109661

申请日：2015-06-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  JELINEK MORIZ ,  GANAGONA NAVEEN GOUD

IPC: H01L21/425

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelementes umfasst das Implantieren einer vordefinierten Dosis von Protonen in ein Halbleitersubstrat. Ferner umfasst das Verfahren das Steuern einer Temperatur des Halbleitersubstrats während der Implantation der vordefinierten Dosis von Protonen, sodass die Temperatur des Halbleitersubstrats innerhalb eines Zieltemperaturbereichs für mehr als 70 % einer Implantationsprozesszeit ist, die zum Implantieren der vordefinierten Dosis von Protonen verwendet wird. Der Zieltemperaturbereich reicht von einer unteren Zieltemperaturgrenze zu einer oberen Zieltemperaturgrenze. Ferner ist die untere Zieltemperaturgrenze gleich einer Zieltemperatur minus 30 °C und die obere Zieltemperaturgrenze ist gleich der Zieltemperatur plus 30 °C und die Zieltemperatur ist höher als 80 °C.

公开(公告)号：DE102020110072A1

公开(公告)日：2021-10-14

申请号：DE102020110072

申请日：2020-04-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STOIB BENEDIKT ,  JÄGER CHRISTIAN ,  SCHLÖGL DANIEL ,  JELINEK MORIZ

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/265 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Vorgeschlagen wird eine vertikale Leistungs-Halbleitervorrichtung (100). Die vertikale Leistungs-Halbleitervorrichtung (100) enthält einen Halbleiterkörper (102), der eine erste Hauptoberfläche (104) und eine der ersten Hauptoberfläche (104) entlang einer vertikalen Richtung (y) entgegengesetzte zweite Hauptoberfläche (106) aufweist. Die vertikale Leistungs-Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner ein Driftgebiet (108) im Halbleiterkörper (102). Das Driftgebiet (108) enthält Platinatome (109). Die vertikale Leistungs-Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner ein Feldstoppgebiet (110) im Halbleiterkörper (102) zwischen dem Driftgebiet (108) und der zweiten Hauptoberfläche (106). Das Feldstoppgebiet (110) enthält eine Vielzahl von Störstellenspitzen (P1, P2). Eine erste Störstellenspitze (P1) der Vielzahl von Störstellenspitzen (P1, P2) hat eine größere Konzentration (c) als eine zweite Störstellenspitze (P2) der Vielzahl von Störstellenspitzen (P1, P2). Die erste Störstellenspitze (P1) enthält Wasserstoff, und die zweite Störstellenspitze (P2) enthält Helium.

公开(公告)号：DE102019119020A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：DE102019119020

申请日：2019-07-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  JELINEK MORIZ ,  LEENDERTZ CASPAR ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Erste Dotierstoffe werden durch eine größere Öffnung (411) einer ersten Prozessmaske (410) in einen Siliziumcarbid-Körper (100) implantiert, wobei die größere Öffnung (411) einen ersten Oberflächenabschnitt des Siliziumcarbid-Körpers (100) freilegt. Ein Graben (800) wird im Siliziumcarbid-Körper (100) in einem zweiten Oberflächenabschnitt ausgebildet, der durch eine kleinere Öffnung (421) in einer zweiten Prozessmaske (420) freigelegt wird. Der zweite Oberflächenabschnitt ist ein Teilabschnitt des ersten Oberflächenabschnitts. Die größere Öffnung (411) und die kleinere Öffnung (421) werden zueinander selbstausgerichtet ausgebildet. Zumindest ein Teil der implantierten ersten Dotierstoffe bildet zumindest einen Kompensationsschichtbereich (181), der sich parallel zu einer Graben-Seitenwand (801) erstreckt.

公开(公告)号：DE102017119571A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119571

申请日：2017-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JELINEK MORIZ ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  ZUPAN PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BRUGGER MICHAEL

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/66

Abstract: Ein Ionenimplantationsverfahren umfasst ein Ändern einer Ionenbeschleunigungsenergie eines Ionenstrahls, während eine relative Bewegung zwischen einem Halbleitersubstrat und dem auf eine Oberfläche des Halbleitersubstrats auftreffenden Ionenstrahl ausgeführt wird.

公开(公告)号：DE102016123714A1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：DE102016123714

申请日：2016-12-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JELINEK MORIZ ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/265

Abstract: Es werden eine Vorrichtung und ein Verfahren für das Implantieren von Ionen offenbart. Bei einer Ausführungsform enthält die Vorrichtung eine Aufnahme, die konfiguriert ist zum Stützen des Wafers, eine Dotierstoffquelle, die konfiguriert ist zum selektiven Liefern von Dotierstoffen an ein Implantationsgebiet des Wafers, und eine Strahlungsquelle, die konfiguriert ist zum selektiven Bestrahlen des Implantationsgebiets.

公开(公告)号：DE102014117538A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：DE102014117538

申请日：2014-11-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  JELINEK MORIZ

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/167 ,  H01L29/78

Abstract: Ein erstes dotiertes Gebiet (115) wird in einem einkristallinen Halbleitersubstrat (500a) ausgebildet. Leichte Ionen (499) werden durch eine Prozessoberfläche (102a) in das Halbleitersubstrat (500a) implantiert, um Kristallgitterleerstellen zwischen dem ersten dotierten Gebiet (115) und der Prozessoberfläche (102a) zu erzeugen, wobei eine Hauptstrahlachse (495) eines zur Implantation der leichten Ionen (499) verwendeten Implantationsstrahls um höchstens 1,5 Grad von einer Hauptkristallrichtung (485), entlang der Channeling leichter Ionen (499) auftritt, abweicht. Ein zweites dotiertes Gebiet (122) mit einem zum ersten dotierten Gebiet (115) entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wird auf Basis der Kristallgitterleerstellen und Wasserstoffatomen gebildet.