公开(公告)号：DE102015114460B4

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE102015114460

申请日：2015-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KARTAL VELI ,  DONATH STEPHAN

IPC: H03K17/08

Abstract: Vorrichtung, umfassend:einen ersten Lastpfad, der zwischen einer Leistungsversorgung und einer Last mit einem Einschaltstromverhalten zu verbinden ist, wobei der erste Lastpfad einen ersten Schalter umfasst,einen zweiten Lastpfad, der zwischen der Leistungsversorgung und der Last zu verbinden ist, wobei der zweite Lastpfad einen zweiten Schalter umfasst, sowieeine Steuerung, wobei die Steuerung eingerichtet ist, den ersten Schalter und den zweiten Schalter abwechselnd zu öffnen und zu schließen, um die Last kontinuierlich mit Strom zu versorgen.

公开(公告)号：DE102017123612A1

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：DE102017123612

申请日：2017-10-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KARTAL VELI ,  DONATH STEPHAN

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/06 ,  H03K17/687

公开(公告)号：DE102017111410A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102017111410

申请日：2017-05-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KESER GORAN ,  KARTAL VELI

IPC: G01R15/20 ,  G01R17/00 ,  G01R19/00 ,  G01R31/327

Abstract: Magnetoresistive Sensoren werden verwendet, um einen Laststrom eines Schalters zu messen. Bei manchen Implementierungen kann zusätzlich ein weiterer Stromsensor verwendet werden. Bei anderen Implementierungen kann mehr als ein magnetoresistiver Sensor bereitgestellt sein.

公开(公告)号：DE102014117580A1

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：DE102014117580

申请日：2014-12-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LU-RUHBACH FANG ,  KARTAL VELI ,  GRAF ALFONS

IPC: H03K17/08

Abstract: Eine Schaltungsanordnung wird vorgeschlagen, insbesondere ein Leistungsschalter, der einen ersten elektronischen Schalter mit einem isolierten Gate; einen zweiten elektronischen Schalter mit einem isolierten Gate; eine Messvorrichtung zur Ermittlung einer Ladung an dem isolierten Gate des ersten elektronischen Schalters und an dem isolierten Gate des zweiten elektronischen Schalters; eine Energieversorgungseinheit zur Bereitstellung von Ladung an das isolierte Gate des ersten elektronischen Schalters und an das isolierte Gate des zweiten elektronischen Schalters basierend auf der durch die Messvorrichtung ermittelte Ladung; eine Logikeinheit zur Aktivierung des ersten elektronischen Schalters, beider oder keines der elektronischen Schalter umfasst.

公开(公告)号：DE102005009544A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：DE102005009544

申请日：2005-03-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TIHANYI JENOE ,  KARTAL VELI ,  KALZ DETLEF

IPC: G01R19/00

Abstract: The arrangement has a load transistor (10) comprising load connectors coupled to load connectors of a measuring transistor, and control connectors coupled to control connectors of the measuring transistor (20). The load transistor has transistor cells that are divided into two groups, where the cells of one of the groups and transistor cells of the measuring transistor have a smaller input voltage than the cells of the other group.

公开(公告)号：DE10202274A1

公开(公告)日：2003-08-07

申请号：DE10202274

申请日：2002-01-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TAGHIZADEH KASCHANI KARIM-THOM ,  KARTAL VELI ,  GERSTENMAIER YORK-CHRISTIAN

IPC: H01L21/761 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

Abstract: An integrated semiconductor circuit comprises a drift region (2) in a substrate (1) with a double tub isolation structure (30) between them and inner (8) and outer (9) doped tub regions. The regions from the drift region to the substrate are formed of layers of alternating p- and n-conductivity types.

公开(公告)号：DE102015114460A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102015114460

申请日：2015-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KARTAL VELI ,  DONATH STEPHAN

IPC: H03K17/08

Abstract: Es werden Vorrichtungen und Verfahren bereitgestellt, die das Versorgen einer Last mit einem Einschaltstromverhalten betreffen, z. B. das Laden einer Kapazität z. B. beim Einschalten eines Schaltkreises. Es werden ein erster Lastpfad und ein zweiter Lastpfad bereitgestellt, die abwechselnd verwendet werden.

公开(公告)号：DE102015105158A1

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE102015105158

申请日：2015-04-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ASAM MICHAEL ,  KARTAL VELI

IPC: H03K17/00

Abstract: Schaltereinrichtungen mit einem ersten Schaltpfad und einem zweiten Schaltpfad werden in einigen Ausführungsformen vorgesehen. Wenn ein Spannungsabfall am ersten Schaltpfad eine vorbestimmte Spannung übersteigt, kann der zweite Schalter aktiviert werden.

公开(公告)号：DE102012213359B4

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：DE102012213359

申请日：2012-07-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KARTAL VELI

IPC: H03K17/04

Abstract: Elektronische Schaltung, die einen elektronischen Schalter (1) mit einem Steueranschluss (G) und einer Laststrecke zwischen einem ersten und einem zweiten Lastanschluss (11, 12) und die eine Ansteuerschaltung (2) mit einem an den Steueranschluss (G) des elektronischen Schalters (1) gekoppelten Ausgangsanschluss (21) aufweist, wobei die Ansteuerschaltung (2) aufweist: einen ersten Eingangsanschluss (22) und einen zweiten Eingangsanschluss (23); eine Ladungspumpe (31); eine erste Ansteuereinheit, die zwischen den ersten Eingangsanschluss (22) und den Ausgangsanschluss (21) gekoppelt ist und die eine Ladungspumpen- und Ansteuereinheit (3) aufweist; und eine zweite Ansteuereinheit (5), die zwischen den zweiten Eingangsanschluss (23) und den Ausgangsanschluss (21) gekoppelt ist und die einen weiteren elektronischen Schalter (6) aufweist, der zwischen den Ausgangsanschluss (21) und einen Anschluss für ein Referenzpotenzial gekoppelt ist, wobei die erste Ansteuereinheit dazu ausgebildet ist, den elektronischen Schalter (1) abhängig von einem an dem ersten Eingangsanschluss (22) empfangenen Signal (S1) ein- und auszuschalten, die zweite Ansteuereinheit (5) dazu ausgebildet ist, den elektronischen Schalter (1) abhängig von einem an dem zweiten Eingangsanschluss (23) empfangenen Signal (S2) schneller auszuschalten als die erste Ansteuereinheit, die Ladungspumpe (31) aktiviert bleibt und eine Ladungspumpenausgangsspannung (Vcp) erzeugt, die ausreichend ist um die zweite Ansteuereinheit (5) zu versorgen, wenn diese den elektronischen Schalter (1) ausschaltet, und die Ladungspumpe (31) dazu ausgebildet ist, in Abhängigkeit des am ersten Eingangsanschluss (22) empfangenen Signals (S1) oder des am zweiten Eingangsanschluss (23) empfangenen Signals (S2) deaktiviert zu werden.

公开(公告)号：DE50113203D1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：DE50113203

申请日：2001-09-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KARTAL VELI ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: The controllable semiconductor component ( 1 ) has a body ( 10 ) consisting of doped silicon. Two separate electrodes ( 3, 4 ) are connected to the silicon, between which an electric operating voltage (U) of the component ( 1 ) is applied. A control electrode ( 2 ), to which an electric control voltage (Us) for controlling the component ( 1 ) is applied, is insulated from the silicon of the body ( 10 ) by electric insulation material ( 100 ). According to the invention, the control electrode ( 2 ) has two control electrode sections ( 21, 22 ), separated from one another by a gap ( 23 ). Said semiconductor component can be used for IGBTs and MOS transistors.