公开(公告)号：DE102014110797B4

公开(公告)日：2024-11-28

申请号：DE102014110797

申请日：2014-07-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDER RAINALD ,  KARTAL VELI ,  GRAF ALFONS

IPC: H03K17/06 ,  H03K17/08

Abstract: Schaltung, umfassend- einen elektronischen Schalter mit einem isolierten Gate;- eine Messeinrichtung zur Ermittlung einer Ladung an dem isolierten Gate;- eine Energieversorgung zum Liefern einer Ladung an das isolierte Gate auf der Grundlage der von der Messeinrichtung ermittelten Ladung,- bei der die Energieversorgung so eingerichtet ist, dass entweder eine hohe Ladungsmenge von einer Hochleistungsladungspumpe oder eine niedrige Ladungsmenge von einer Niederleistungsladungspumpe dem isolierten Gate des elektronischen Schalters bereitgestellt wird.

公开(公告)号：DE10223951B4

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：DE10223951

申请日：2002-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KARTAL VELI ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  FALCK ELMAR

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/328 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36

公开(公告)号：DE102004028695B3

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：DE102004028695

申请日：2004-06-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDER RAINALD ,  KARTAL VELI ,  HERTRICH HELMUT ,  SCHWARZER CHRISTOPH

IPC: G01N27/02 ,  G01N27/22 ,  H01L21/66 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L23/62

Abstract: The semiconductor substrate (100) has a central portion (103) carrying a body zone (41), a source zone (42), a gate electrode (43), an isolation layer (44) and a source electrode (45). There is a rim portion (102) between the central portion and the edge of the substrate (101). A chipping stopper (20) is formed on the surface of the rim portion and there is a break sensor (30) immediately inside it. The break sensor has an isolation layer (31) on the substrate surface, with three electrode layers (32-34) on top. The outer electrode layers have terminals (301,302) connected to a sensor circuit.

公开(公告)号：DE10339689B4

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：DE10339689

申请日：2003-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ARNDT CHRISTIAN ,  SANDER RAINALD ,  KARTAL VELI

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H03K17/082 ,  H02H9/04 ,  H02H7/20 ,  H03K17/695

Abstract: The drain (D) and source (S) path of the load transistor (T) carries a current (Id) between a supply voltage (Vbb) and earth (GND). A current measurement sensor (21) and the load (Z) are connected between the transistor and earth. The current sensor forms part of a deactivation circuit (20) and sends a signal (S21) to a switch control circuit (22). This sends a signal (S22) to a switch (23). The switch is connected to the gate (G) of the transistor. A signal input (IN) feeds a signal (Sin) to a drive switch (DRV) connected to the transistor gate. The deactivation circuit is connected to the supply voltage via a voltage limiter circuit with a diode (D1) and a Zener diode (Z1).

公开(公告)号：DE10207339A1

公开(公告)日：2003-09-11

申请号：DE10207339

申请日：2002-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  KARTAL VELI

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329 ,  H01L21/332 ,  H01L29/32 ,  H01L21/322

Abstract: A process for reducing the mobility of free charge carriers in a semiconductor body comprises irradiating the body with high-energy radiation and healing the effective recombination or generation centers produced by the radiation by means of a thermal processing operation.

公开(公告)号：DE102014010807B4

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：DE102014010807

申请日：2014-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KARTAL VELI

IPC: H01L23/58

Abstract: Elektronische Halbleitervorrichtung, die aufweist:eine Halbleiterstruktur (110); eine Einrichtung (120) zum Ermitteln der Temperatur an einem heißesten Punkt der Halbleiterstruktur (110), eine Einrichtung (130) zum Ermitteln der Temperatur an einem kältesten Punkt der Halbleiterstruktur (110),eine Einrichtung zum Ermitteln einer Temperaturdifferenz zwischen der Temperatur an dem heißesten Punkt und der Temperatur an dem kältesten Punkt; undeine Steuereinrichtung (140, 150),wobei die Steuereinrichtung (140, 150) dazu ausgebildet ist,einen Stromfluss durch die Halbleiterstruktur (110) so zu steuern, dass der Stromfluss (IDS) durch die Halbleiterstruktur (110) abgeschaltet wird, wenn die ermittelte Temperaturdifferenz einen vordefinierten Schwellenwert überschreitet, der durch ein Referenztemperatursignal (Tref) repräsentiert ist, unddas Referenztemperatursignal (Tref) anzupassen, wenn die Temperaturdifferenz einen ersten Schwellenwert übersteigt oder wenn die Temperatur an dem heißesten Punkt einen zweiten Schwellenwert übersteigt.

公开(公告)号：DE102012213359A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102012213359

申请日：2012-07-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KARTAL VELI

IPC: H03K17/04

Abstract: einem elektronischen Schalter und ein Fahrzeugleistungsversorgungssystem. Die elektronische Schaltung umfasst einen elektronischen Schalter (1) mit einem Lastanschluss (G) und einer Laststrecke zwischen einem ersten Lastanschluss (11) und einem zweiten Lastanschluss (12) und eine Ansteuerschaltung (2) mit einem Ausgangsanschluss (21), der an den Steueranschluss (G) des elektronischen Schalters (1) gekoppelt ist. Die Ansteuerschaltung (2) umfasst: einen ersten Eingangsanschluss (22) und einen zweiten Eingangsanschluss (23); eine erste Ansteuereinheit, die zwischen den ersten Eingangsanschluss (22) und den Ausgangsanschluss (21) gekoppelt ist und die eine Ladungspumpen- und Ansteuereinheit (4) aufweist; und eine zweite Ansteuereinheit (5), die zwischen den zweiten Eingangsanschluss (23) und den Ausgangsanschluss (21) gekoppelt ist und die einen weiteren elektronischen Schalter (6) aufweist, die zwischen den Ausgangsanschluss (21) und einen Anschluss für ein Referenzpotenzial gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE10214176B4

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：DE10214176

申请日：2002-03-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KARTAL VELI ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/26 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

公开(公告)号：DE102005009544B4

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：DE102005009544

申请日：2005-03-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TIHANYI JENOE ,  KARTAL VELI ,  KALZ DETLEF

IPC: G01R19/00

公开(公告)号：DE10245046B3

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：DE10245046

申请日：2002-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDER RAINALD ,  KAHLMANN FRANK ,  KARTAL VELI ,  KALZ DETLEF ,  HERTRICH HELMUT

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/16 ,  H03K17/695 ,  H03K17/08