公开(公告)号：DE102015106441B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE102015106441

申请日：2015-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOBLINSKI CARSTEN VON ,  RIEGLER ANDREAS ,  OTTOWITZ MARKUS

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/308

Abstract: Verfahren zum Planarisieren eines Halbleiterwafers (100), wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen eines Halbleiterwafers (100), der eine Oberfläche umfasst;Ausbilden einer Maskenschicht (430) direkt auf der Oberfläche des Halbleiterwafers (100), wobei eine Stärke der Maskenschicht (430) in Dünnungsbereichen (431), die zum Planarisieren zu dünnen sind, kleiner ist als in Bereichen (433), die zum Planarisieren nicht zu dünnen sind,wobei das Ausbilden der Maskenschicht (430) ein Ausbilden einer Rohmaskenschicht (210) und ein nachfolgendes Entfernen von Abschnitten der Rohmaskenschicht (210) in den Dünnungsbereichen (431) umfasst, wobei das Entfernen durch einen Polierprozess durchgeführt wird, wobei in den Dünnungsbereichen (431) eine größere Menge von Rohmaskenmaterial entfernt wird als in den anderen Bereichen (433);Entfernen durch Polieren von Material des Halbleiterwafers (100) in den Dünnungsbereichen (431), wobei das Material des Halbleiterwafers (100) schneller entfernt wird als Material der Maskenschicht (430); undEntfernen verbleibender Abschnitte der Maskenschicht (430) durch einen Ätzprozess.