公开(公告)号：DE102015204315A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：DE102015204315

申请日：2015-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEGLER ANDREAS ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/868

Abstract: Es wird eine Halbleiteranordnung (1) dargelegt. Die Halbleiteranordnung (1) umfasst einen Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) ein Halbleiterdriftgebiet (103) enthält und das Halbleiterdriftgebiet (103) Dotierstoffe von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist; ein erstes Halbleitersensorgebiet (101) und ein zweites Halbleitersensorgebiet (102), wobei sowohl das erste Halbleitersensorgebiet (101) als auch das zweite Halbleitersensorgebiet (102) elektrisch mit dem Halbleiterdriftgebiet (103) verbunden sind und Dotierstoffe von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, der ein anderer ist als der erste Leitfähigkeitstyp; einen ersten Metallkontakt (11), der ein erstes Metallmaterial umfasst, wobei der erste Metallkontakt (11) in Kontakt mit dem ersten Halbleitersensorgebiet (101) ist, wobei ein Übergang zwischen dem ersten Metallkontakt (11) und dem ersten Halbleitersensorgebiet (101) einen ersten Metall-Halbleiter-Übergang (111) bildet; einen zweiten Metallkontakt (12), der ein zweites Metallmaterial umfasst, das ein anderes ist als das erste Metallmaterial, wobei der zweite Metallkontakt (12) vom ersten Metallkontakt (11) getrennt und in Kontakt mit dem zweiten Halbleitersensorgebiet (102) ist, wobei ein Übergang zwischen dem zweiten Metallkontakt (12) und dem zweiten Halbleitersensorgebiet (102) einen zweiten Metall-Halbleiter-Übergang (121) bildet, der ein anderer ist als der erste Metall-Halbleiter-Übergang (111); erste elektrische Übertragungsmittel (112), wobei die ersten elektrischen Übertragungsmittel (112) so angeordnet und ausgelegt sind, dass sie ein erstes Sensorsignal (11-1), das von einem elektrischen Parameter des ersten Metallkontakts (11) abgeleitet ist, an einen ersten Signaleingang (21) einer Sensorsignalverarbeitungseinheit (2) liefern; und zweite elektrische Übertragungsmittel (122), die von den ersten elektrischen Übertragungsmitteln (112) getrennt sind, wobei die zweiten elektrischen Übertragungsmittel (122) so angeordnet und ausgelegt sind, dass sie ein zweites Sensorsignal (12-1), das von einem elektrischen Parameter des zweiten Metallkontakts (12) abgeleitet ist, an einen zweiten Signaleingang (22) der Sensorsignalverarbeitungseinheit (2) liefern.

公开(公告)号：DE102018122515A1

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：DE102018122515

申请日：2018-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEGLER ANDREAS ,  FACHMANN CHRISTIAN ,  KUTSCHAK MATTEO-ALESSANDRO ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  WEBER HANS

IPC: H01L23/15 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: Ein Verbindungskörper (108), der eine Basisstruktur (110), die zumindest vorwiegend aus einem Halbleiteroxidmaterial oder Glasmaterial hergestellt ist, und eine elektrisch leitfähige Verdrahtungsstruktur (112) auf und/oder in der Basisstruktur (110) aufweist, wobei die elektrisch leitfähige Verdrahtungsstruktur (112) mindestens einen vertikalen Verdrahtungsabschnitt (114) mit einer ersten lateralen Abmessung (152) auf und/oder in der Basisstruktur (110) und mindestens einen lateralen Verdrahtungsabschnitt (116), der mit dem mindestens einen vertikalen Verdrahtungsabschnitt (114) verbunden ist, aufweist, wobei der mindestens eine laterale Verdrahtungsabschnitt (116) eine zweite laterale Abmessung (154) auf und/oder in der Basisstruktur (110) aufweist, welche zweite laterale Abmessung verschieden von der ersten lateralen Abmessung (152) ist.

公开(公告)号：DE102016115174B3

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016115174

申请日：2016-08-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PLAPPERT MATHIAS ,  RIEGLER ANDREAS ,  SCHRETTLINGER KARIN ,  KRIVEC STEFAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes aufweisen: Bilden einer Metallisierungsschicht über einem ersten Bereich eines Substrats, wobei nach dem Bilden der Metallisierungsschicht mindestens ein zweiter Bereich des Substrats frei von der Metallisierungsschicht ist; Bilden einer Barriereschicht über der Metallisierungsschicht und über dem mindestens einen zweiten Bereich des Substrats; und Entfernen der Barriereschicht in dem mindestens einen ersten Bereich des Substrats mittels Eintreibens der Barriereschicht in die Metallisierungsschicht.

公开(公告)号：DE102014116773A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102014116773

申请日：2014-11-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEGLER ANDREAS

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/58 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Transistorzellbereich (610) einer Halbleitervorrichtung (500) umfasst Transistorzellen (TC), die elektrisch mit einer ersten Lastelektrode (310) verbunden sind. Ein inaktiver Bereich (630) umfasst eine Gateverdrahtungsstruktur (330), die elektrisch mit Gateelektroden (150) der Transistorzellen (TC) verbunden ist. Ein Übergangsbereich (620), der sandwichartig zwischen dem Transistorzellbereich (610) und dem inaktiven Bereich (630) angeordnet ist, umfasst wenigstens eine Sensorzelle (SC), die elektrisch mit einer Sensorelektrode (340) verbunden ist. Die Sensorzelle (SC) leitet in einem Einschaltzustand der Transistorzellen (TC) einen unipolaren Strom ab.

公开(公告)号：DE102018122515B4

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：DE102018122515

申请日：2018-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEGLER ANDREAS ,  FACHMANN CHRISTIAN ,  KUTSCHAK MATTEO-ALESSANDRO ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  WEBER HANS

IPC: H01L23/15 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Verbindungskörpers (108). Eine elektrisch leitfähige Verdrahtungsstruktur (112) wird auf und/oder in der Basisstruktur (110) aus einem Halbleiteroxidmaterial oder Glas ausgebildet, wobei die elektrisch leitfähige Verdrahtungsstruktur (112) mit einem vertikalen Verdrahtungsabschnitt (114) und mit einem daran verbundenen lateralen Verdrahtungsabschnitt (116) ausgebildet. Das Ausbilden der elektrisch leitfähigen Verdrahtungsstruktur (112) weist ein Ausbilden von einer Mehrzahl von Vertiefungen (126), die verschiedene Tiefen und verschiedene seitliche Ausdehnungen in der Basisstruktur (110) aufweisen, durch Ätzen der Basisstruktur (110) auf. Dabei wird die Basisstruktur (110) mit einer mehrschichtigen Hartmaske (158) überdeckt, wobei verschiedene Schichten der mehrschichtigen Hartmaske (158) aus verschiedenen Materialien hergestellt sind. Durch Entfernen eines ersten Teilbereichs der mehrschichtigen Hartmaske (158) wird ein erster Oberflächenteilbereich (160) und durch Entfernen eines zweiten Teilbereichs der mehrschichtigen Hartmaske (158) wird ein zweiter Oberflächenteilbereich (162) der Basisstruktur freigelegt. Die freigelegten Oberflächenbereiche (160, 162) werden geätzt, um erste Vertiefungen (126) auszubilden. Die Vertiefungen (126) werden zumindest teilweise mit einem elektrisch leitfähigen Material gefüllt, um dadurch die elektrisch leitfähige Verdrahtungsstruktur (112) auszubilden.

公开(公告)号：DE102016015761A1

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：DE102016015761

申请日：2016-08-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PLAPPERT MATHIAS ,  RIEGLER ANDREAS ,  SCHRETTLINGER KARIN ,  KRIVEC STEFAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterbauelement Folgendes aufweisen: ein Halbleitersubstrat (202) aufweisend Silizium, eine Metallisierungsschicht (214) aufweisend Aluminium und Silizium, wobei die Metallisierungsschicht (214) über mindestens einem ersten Bereich (202a) des Halbleitersubstrats (202) angeordnet ist, und wobei mindestens ein zweiter Bereich (202b) des Halbleitersubstrats (202) frei von der Metallisierungsschicht (214) ist; eine elektrisch leitfähige Diffusionsbarriere (508), welche zwischen dem Halbleitersubstrat (202) und der Metallisierungsschicht (214) angeordnet ist; und eine Barriereschicht (206) aufweisend amorphes Silizium, wobei die Barriereschicht (206) über dem mindestens einen zweiten Bereich (202b) des Halbleitersubstrats (202) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015204315B4

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE102015204315

申请日：2015-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEGLER ANDREAS ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/78 ,  G01K7/01 ,  H01L23/62 ,  H01L29/739 ,  H01L29/868

Abstract: Halbleiteranordnung (1), die Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) ein Halbleiterdriftgebiet (103) enthält und das Halbleiterdriftgebiet (103) Dotierstoffe von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;- ein erstes Halbleitersensorgebiet (101) und ein zweites Halbleitersensorgebiet (102), wobei sowohl das erste Halbleitersensorgebiet (101) als auch das zweite Halbleitersensorgebiet (102) elektrisch mit dem Halbleiterdriftgebiet (103) verbunden sind und Dotierstoffe von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, der ein anderer ist als der erste Leitfähigkeitstyp;- einen ersten Metallkontakt (11), der ein erstes Metallmaterial umfasst, wobei der erste Metallkontakt (11) in Kontakt mit dem ersten Halbleitersensorgebiet (101) ist und ein Übergang zwischen dem ersten Metallkontakt (11) und dem ersten Halbleitersensorgebiet (101) einen ersten Metall-Halbleiter-Übergang (111) bildet;- einen zweiten Metallkontakt (12), der ein zweites Metallmaterial umfasst, das ein anderes ist als das erste Metallmaterial, wobei der zweite Metallkontakt (12) vom ersten Metallkontakt (11) getrennt und in Kontakt mit dem zweiten Halbleitersensorgebiet (102) ist, wobei ein Übergang zwischen dem zweiten Metallkontakt (12) und dem zweiten Halbleitersensorgebiet (102) einen zweiten Metall-Halbleiter-Übergang (121) bildet, der ein anderer ist als der erste Metall-Halbleiter-Übergang (111);- erste elektrische Übertragungsmittel (112), wobei die ersten elektrischen Übertragungsmittel (112) so angeordnet und ausgelegt sind, dass sie ein erstes Sensorsignal (11-1), das von einem elektrischen Parameter des ersten Metallkontakts (11) abgeleitet ist, an einen ersten Signaleingang (21) einer Sensorsignalverarbeitungseinheit (2) liefern;- zweite elektrische Übertragungsmittel (122), die von den ersten elektrischen Übertragungsmitteln (112) getrennt sind, wobei die zweiten elektrischen Übertragungsmittel (122) so angeordnet und ausgelegt sind, dass sie ein zweites Sensorsignal (12-1), das von einem elektrischen Parameter des zweiten Metallkontakts (12) abgeleitet ist, an einen zweiten Signaleingang (22) der Sensorsignalverarbeitungseinheit (2) liefern.

公开(公告)号：DE102015106441A1

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：DE102015106441

申请日：2015-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOBLINSKI CARSTEN VON ,  RIEGLER ANDREAS ,  OTTOWITZ MARKUS

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/308

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen stellen ein Verfahren zum Planarisieren eines Halbleiterwafers bereit, wobei das Verfahren ein Bereitstellen eines Halbleiterwafers, der eine Oberfläche umfasst; und ein Ausbilden einer Maskenschicht auf der Oberfläche des Halbleiterwafers umfasst, wobei eine Stärke der Maskenschicht in Dünnungsbereichen, die zum Planarisieren zu dünnen sind, kleiner ist als in Bereichen, die zum Planarisieren nicht zu dünnen sind.

公开(公告)号：DE102020120139B4

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102020120139

申请日：2020-07-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PALM PETTERI ,  FROEHLER ULRICH ,  OTREMBA RALF ,  RIEGLER ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

Abstract: Halbleiterbauelementpaket (100), umfassend:- eine gedruckte Leiterplatte (10) mit einem ersten zentralen Bereich, einem zweiten lateralen Bereich und einem dritten lateralen Bereich;- einen Halbleiterdie (20) mit einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche, einem ersten Kontaktpad (20A), das auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist, und einem zweiten Kontaktpad (20B), das auf der zweiten Hauptfläche angeordnet ist, wobei der Halbleiter'die (20) in dem ersten zentralen Bereich der Leiterplatte (10) angeordnet ist;- eine erste metallische Seitenwand (30) des Halbleiterbauelementpakets, die in dem zweiten lateralen Bereich der Leiterplatte (10) angeordnet ist;- eine zweite metallische Seitenwand (40) des Halbleiterbauelementpakets, die in dem dritten lateralen Bereich der Leiterplatte (10) angeordnet ist;- einen ersten metallischen Durchgangssteg (50), der zwischen dem ersten Kontaktpad (20A) des Halbleiterdies (20) und der ersten metallischen Seitenwand (30) verbunden ist und- einen zweiten metallischen Durchgangssteg (60), der zwischen dem zweiten Kontaktpad (20B) des Halbleiterdies (20) und der zweiten metallischen Seitenwand (40) verbunden ist; wobei mindestens eine von der ersten metallischen Seitenwand (30) und der zweiten metallischen Seitenwand (40) elektrisch mit einem von dem ersten Kontaktpad (20A) oder dem zweiten Kontaktpad (20B) des Halbleiterdies (20) verbunden ist,gekennzeichnet durcheine Laminatschicht (70), die auf der gedruckten Leiterplatte angeordnet ist, wobeidie erste metallische Seitenwand (30), die zweite metallische Seitenwand (40), der erste metallische Durchgangssteg (50) und der zweite metallische Durchgangssteg (60) innerhalb von Bereichen der Laminatschicht (70) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102020120139A1

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：DE102020120139

申请日：2020-07-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PALM PETTERI ,  FROEHLER ULRICH ,  OTREMBA RALF ,  RIEGLER ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

Abstract: Das Halbleiterbauelementpaket (100) umfasst eine Leiterplatte (10) mit einem ersten zentralen Bereich, einem zweiten lateralen Bereich und einem dritten lateralen Bereich, einen Halbleiterdie (20) mit einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche, ein erstes Kontaktpad (20A), das auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist, und ein zweites Kontaktpad (20B), das auf der zweiten Hauptfläche angeordnet ist, wobei der Halbleiterdie (20) im ersten zentralen Bereich der Leiterplatte (10) angeordnet ist, eine erste metallische Seitenwand (30) des Halbleiterbauelementpakets, die in dem zweiten lateralen Bereich der gedruckten Leiterplatte (10) angeordnet ist, eine zweite metallische Seitenwand (40) des Halbleiterbauelement-pakets, die in dem dritten lateralen Bereich der gedruckten Leiterplatte (10) angeordnet ist, wobei mindestens eine von der ersten metallischen Seitenwand (30) und der zweiten metallischen Seitenwand (40) elektrisch mit einem von dem ersten Kontaktpad (20A) oder dem zweiten Kontaktpad (20B) des Halbleiterdies (20) verbunden ist.