公开(公告)号：DE102015104504A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102015104504

申请日：2015-03-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PHILIPPOU ALEXANDER ,  JÄGER CHRISTIAN ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  VELLEI ANTONIO ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Transistorbauelement enthält ein Halbleiter-Mesagebiet zwischen ersten und zweiten Gräben in einem Halbleiterkörper, ein Bodygebiet von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein Sourcegebiet von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Halbleiter-Mesagebiet, ein Driftgebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Halbleiterkörper, und eine Gateelektrode, die sich benachbart zu dem Bodygebiet in dem ersten Graben befindet und die durch ein Gatedielektrikum von dem Bodygebiet dielektrisch isoliert ist. Das Bodygebiet separiert das Sourcegebiet von dem Driftgebiet und erstreckt sich benachbart zu dem Sourcegebiet zu der Oberfläche des Halbleiter-Mesagebiets. Das Bodygebiet weist ein Oberflächengebiet auf, das an die Oberfläche des Halbleiter- Mesagebiets und den ersten Graben angrenzt. Das Oberflächengebiet weist eine höhere Dotierungskonzentration auf als ein Abschnitt des Bodygebiets, der das Sourcegebiet von dem Driftgebiet separiert.