公开(公告)号：DE102014103049B4

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：DE102014103049

申请日：2014-03-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COTOROGEA MARIA ,  WOLTER FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  GAWLINA-SCHMIDL YVONNE

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung (1000) in einem eine erste Hauptoberfläche (110) aufweisenden Halbleitersubstrat (100) mit einer Transistorzelle, umfassend:einen Driftbereich (120) eines ersten Leitfähigkeitstyps,einen Bodybereich (130) eines zweiten Leitfähigkeitstyps zwischen dem Driftbereich (120) und der ersten Hauptoberfläche (110),einen aktiven Trench (1100) an der ersten Hauptoberfläche (110), der sich in den Driftbereich (120) erstreckt,eine Gateisolierschicht (1130) an Seitenwänden (1110) und an einer Bodenseite (1120) des aktiven Trenches (1100),eine Gateleiterschicht (1140) in dem aktiven Trench (1100),einen Sourcebereich (140) des ersten Leitfähigkeitstyps in dem Bodybereich (130) und benachbart zu dem aktiven Trench (1100),einen Bodytrench (1200) an der ersten Hauptoberfläche (110), welcher eine bezüglich einer sich senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche in einer Mitte des Bodytrenches (1200) erstreckenden Achse symmetrische Form hat und der sich in den Driftbereich (120) erstreckt, wobei der Bodytrench (1200) benachbart zu dem Bodybereich (130) und dem Driftbereich (120) ist,eine isolierende Schicht (1250) an Seitenwänden (1210) und an einer Bodenseite (1240) des Bodytrenches (1200), wobei die isolierende Schicht (1250) asymmetrisch ist bezüglich der sich senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche (110) in der Mitte des Bodytrenches (1200) erstreckenden Achse, undeine leitende Schicht (1260) in dem Bodytrench (1200).

公开(公告)号：DE102015204315B4

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE102015204315

申请日：2015-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEGLER ANDREAS ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/78 ,  G01K7/01 ,  H01L23/62 ,  H01L29/739 ,  H01L29/868

Abstract: Halbleiteranordnung (1), die Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) ein Halbleiterdriftgebiet (103) enthält und das Halbleiterdriftgebiet (103) Dotierstoffe von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;- ein erstes Halbleitersensorgebiet (101) und ein zweites Halbleitersensorgebiet (102), wobei sowohl das erste Halbleitersensorgebiet (101) als auch das zweite Halbleitersensorgebiet (102) elektrisch mit dem Halbleiterdriftgebiet (103) verbunden sind und Dotierstoffe von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, der ein anderer ist als der erste Leitfähigkeitstyp;- einen ersten Metallkontakt (11), der ein erstes Metallmaterial umfasst, wobei der erste Metallkontakt (11) in Kontakt mit dem ersten Halbleitersensorgebiet (101) ist und ein Übergang zwischen dem ersten Metallkontakt (11) und dem ersten Halbleitersensorgebiet (101) einen ersten Metall-Halbleiter-Übergang (111) bildet;- einen zweiten Metallkontakt (12), der ein zweites Metallmaterial umfasst, das ein anderes ist als das erste Metallmaterial, wobei der zweite Metallkontakt (12) vom ersten Metallkontakt (11) getrennt und in Kontakt mit dem zweiten Halbleitersensorgebiet (102) ist, wobei ein Übergang zwischen dem zweiten Metallkontakt (12) und dem zweiten Halbleitersensorgebiet (102) einen zweiten Metall-Halbleiter-Übergang (121) bildet, der ein anderer ist als der erste Metall-Halbleiter-Übergang (111);- erste elektrische Übertragungsmittel (112), wobei die ersten elektrischen Übertragungsmittel (112) so angeordnet und ausgelegt sind, dass sie ein erstes Sensorsignal (11-1), das von einem elektrischen Parameter des ersten Metallkontakts (11) abgeleitet ist, an einen ersten Signaleingang (21) einer Sensorsignalverarbeitungseinheit (2) liefern;- zweite elektrische Übertragungsmittel (122), die von den ersten elektrischen Übertragungsmitteln (112) getrennt sind, wobei die zweiten elektrischen Übertragungsmittel (122) so angeordnet und ausgelegt sind, dass sie ein zweites Sensorsignal (12-1), das von einem elektrischen Parameter des zweiten Metallkontakts (12) abgeleitet ist, an einen zweiten Signaleingang (22) der Sensorsignalverarbeitungseinheit (2) liefern.

公开(公告)号：DE102019128072B4

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：DE102019128072

申请日：2019-10-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  SIEMIENIEC RALF ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/423 ,  H01L23/482 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

Abstract: Transistorbauelement, das aufweist:mehrere Transistorzellen (10), die jeweils eine Gateelektrode (16) umfassen und die jeweils wenigstens teilweise in einem Halbleiterkörper (100) integriert sind, der ein Halbleitermaterial mit weitem Bandabstand umfasst;ein Gatepad (32), das auf dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist; undmehrere Gaterunner (31), die jeweils auf dem Halbleiterkörper (100) angeordnet sind, die jeweils an das Gatepad (32) angeschlossen sind und die jeweils an die Gateelektroden (16) wenigstens einiger der mehreren Transistorzellen (10) angeschlossen sind,wobei die Gaterunner (31) jeweils eine Längsrichtung, einen Anfang (x0) und ein Ende (x1) haben,wobei wenigstens einer der Gaterunner (31) wenigstens einen Abschnitt umfasst, in dem ein flächenbezogener spezifischer Widerstand in der Längsrichtung mit zunehmendem Abstand zu dem Gatepad (32) entlang des Gaterunners (31) zunimmt,wobei der wenigstens eine der Gaterunner (31) zwischen seinem Anfang (x0) und seinem Ende (x1) wenigstens einen Abschnitt aufweist, in dem der flächenbezogene spezifische Widerstand mit zunehmendem Abstand zu dem Gatepad (32) zunimmt, undwobei in übrigen Abschnitten des wenigstens einen der Gaterunner (31) der flächenspezifische Widerstand entweder konstant ist oder ebenfalls mit zunehmendem Abstand zu dem Gatepad (32) zunimmt.

公开(公告)号：DE102019105109A1

公开(公告)日：2019-09-05

申请号：DE102019105109

申请日：2019-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS MANUEL ,  SCHINNER GEORG ,  WOLTER FRANK

IPC: H03K17/082

Abstract: Eine integrierte Schaltung umfasst einen Leistungsschalter, der einen Strompfad und einen Stromerfassungsknoten umfasst; und eine Temperaturerfassungsschaltung, die zwischen dem Strompfad und dem Stromerfassungsknoten intern gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102016121912A1

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：DE102016121912

申请日：2016-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/739 ,  G01R1/30 ,  H01L27/08

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Mehrzahl von vorwärts leitenden Bipolartransistorzellen mit isoliertem Gate. Die Mehrzahl von vorwärts leitenden Bipolartransistorzellen mit isoliertem Gate ist ausgebildet, um einen Strom in einem Vorwärts-Operationsmodus des Halbleiterbauelements zu leiten und einen Strom in einem Rückwärts-Operationsmodus des Halbleiterbauelements zu sperren. Ferner umfasst das Halbleiterbauelement eine Mehrzahl von rückwärts leitenden Bipolartransistorzellen mit isoliertem Gate. Die Mehrzahl von rückwärts leitenden Bipolartransistorzellen mit isoliertem Gate ist ausgebildet, um einen Strom sowohl in dem Vorwärts-Operationsmodus als auch Rückwärts-Operationsmodus zu leiten.

公开(公告)号：DE102014103049A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE102014103049

申请日：2014-03-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COTOROGEA MARIA ,  WOLTER FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  GAWLINA-SCHMIDL YVONNE

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Transistorvorrichtung (1000) in einem Halbleitersubstrat (100) umfasst eine erste Hauptoberfläche (110) und eine Transistorzelle. Die Transistorzelle umfasst einen Driftbereich (120) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen Bodybereich (130) eines zweiten Leitfähigkeitstyps zwischen dem Driftbereich (120) und der ersten Hauptoberfläche (110), einen aktiven Trench (1100) in der ersten Hauptoberfläche (110), der sich in den Driftbereich (120) erstreckt, einen Sourcebereich (140) des ersten Leitfähigkeitstyps in dem Bodybereich (130) benachbart zu dem aktiven Trench (1100) und einen Bodytrench (1200) an der ersten Hauptoberfläche (110), der sich in den Driftbereich (120) erstreckt und benachbart zu dem Bodybereich (130) und dem Driftbereich (120) ist. Der aktive Trench (1100) umfasst eine Gateisolierschicht (1130) an Seitenwänden (1110) und an einer Bodenseite (1120) sowie eine Gateleiterschicht (1140). Der Bodytrench (1200) umfasst eine leitende Schicht (1260) und eine isolierende Schicht (1250) an Seitenwänden (1210) und einer Bodenseite (1240) asymmetrisch zu einer senkrechten Achse der ersten Hauptoberfläche (110) und der Bodytrenchmitte.

公开(公告)号：DE102015204315A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：DE102015204315

申请日：2015-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEGLER ANDREAS ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/868

Abstract: Es wird eine Halbleiteranordnung (1) dargelegt. Die Halbleiteranordnung (1) umfasst einen Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) ein Halbleiterdriftgebiet (103) enthält und das Halbleiterdriftgebiet (103) Dotierstoffe von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist; ein erstes Halbleitersensorgebiet (101) und ein zweites Halbleitersensorgebiet (102), wobei sowohl das erste Halbleitersensorgebiet (101) als auch das zweite Halbleitersensorgebiet (102) elektrisch mit dem Halbleiterdriftgebiet (103) verbunden sind und Dotierstoffe von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, der ein anderer ist als der erste Leitfähigkeitstyp; einen ersten Metallkontakt (11), der ein erstes Metallmaterial umfasst, wobei der erste Metallkontakt (11) in Kontakt mit dem ersten Halbleitersensorgebiet (101) ist, wobei ein Übergang zwischen dem ersten Metallkontakt (11) und dem ersten Halbleitersensorgebiet (101) einen ersten Metall-Halbleiter-Übergang (111) bildet; einen zweiten Metallkontakt (12), der ein zweites Metallmaterial umfasst, das ein anderes ist als das erste Metallmaterial, wobei der zweite Metallkontakt (12) vom ersten Metallkontakt (11) getrennt und in Kontakt mit dem zweiten Halbleitersensorgebiet (102) ist, wobei ein Übergang zwischen dem zweiten Metallkontakt (12) und dem zweiten Halbleitersensorgebiet (102) einen zweiten Metall-Halbleiter-Übergang (121) bildet, der ein anderer ist als der erste Metall-Halbleiter-Übergang (111); erste elektrische Übertragungsmittel (112), wobei die ersten elektrischen Übertragungsmittel (112) so angeordnet und ausgelegt sind, dass sie ein erstes Sensorsignal (11-1), das von einem elektrischen Parameter des ersten Metallkontakts (11) abgeleitet ist, an einen ersten Signaleingang (21) einer Sensorsignalverarbeitungseinheit (2) liefern; und zweite elektrische Übertragungsmittel (122), die von den ersten elektrischen Übertragungsmitteln (112) getrennt sind, wobei die zweiten elektrischen Übertragungsmittel (122) so angeordnet und ausgelegt sind, dass sie ein zweites Sensorsignal (12-1), das von einem elektrischen Parameter des zweiten Metallkontakts (12) abgeleitet ist, an einen zweiten Signaleingang (22) der Sensorsignalverarbeitungseinheit (2) liefern.

公开(公告)号：DE102019128072A1

公开(公告)日：2021-04-22

申请号：DE102019128072

申请日：2019-10-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  SIEMIENIEC RALF ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: Beschrieben wird ein Transistorbauelement. Das Transistorbauelement umfasst: mehrere Transistorzellen (10), die jeweils eine Gateelektrode (16) aufweisen und die jeweils wenigstens teilweise in einem Halbleiterkörper integriert sind, der ein Halbleitermaterial mit weitem Bandabstand umfasst; ein Gatepad (32), das auf dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist; und mehrere Gaterunner (31) die jeweils auf dem Halbleiterkörper (100) angeordnet sind und die jeweils an die Gateelektroden (16) von wenigstens einigen der mehreren Transistorzellen (10) angeschlossen sind. Die Gaterunner (31) haben jeweils eine Längsrichtung, und wenigstens einer der Gaterunner (31) umfasst wenigstens einen Abschnitt, in dem ein flächenbezogener spezifischer Widerstand in der Längsrichtung mit zunehmendem Abstand zu dem Gatepad (32) entlang des Gaterunners (31) zu nimmt.

公开(公告)号：DE102015104504B4

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：DE102015104504

申请日：2015-03-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PHILIPPOU ALEXANDER ,  JÄGER CHRISTIAN ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  VELLEI ANTONIO ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

Abstract: Transistorbauelement, das aufweist:ein Halbleiter-Mesagebiet zwischen einem ersten Graben (3) und einem zweiten (4) Graben in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Halbleiter-Mesagebiet eine erste Oberfläche (101) aufweist;in dem Halbleiter-Mesagebiet, ein Bodygebiet (20) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein Sourcegebiet (12) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp;ein Driftgebiet (11) vom zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Halbleiterkörper (100);eine in dem ersten Graben (3) benachbart zu dem Bodygebiet (20) angeordnete und durch ein Gatedielektrikum (32) von dem Bodygebiet (20) isolierte Gateelektrode (31);eine Kontaktelektrode (51), die sich von der Oberfläche (101) des Halbleiter-Mesagebiets durch das Sourcegebiet (12) in das Bodygebiet (20) hinein erstreckt;ein Kontaktgebiet (24) vom ersten Leitfähigkeitstyp in dem Bodygebiet (20), wobei das Kontaktgebiet eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als jene Gebiete des Bodygebiets, die an das Kontaktgebiet angrenzen,wobei das Bodygebiet (20) das Sourcegebiet (12) von dem Driftgebiet (11) trennt und sich benachbart zum Sourcegebiet (12) zu der Oberfläche (101) des Halbleiter-Mesagebiets erstreckt,wobei das Bodygebiet (20) ein Oberflächengebiet (23) aufweist, das an die Oberfläche (101) des Halbleiter-Mesagebiets und den ersten Graben (3) angrenzt, undwobei das Oberflächengebiet (23) eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als ein Abschnitt des Bodygebiets (20), der das Sourcegebiet (12) von dem Driftgebiet (11) trennt.

公开(公告)号：DE102015111085A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：DE102015111085

申请日：2015-07-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIEP ANDREAS ,  RUETHING HOLGER ,  WOLTER FRANK

IPC: G01K7/01 ,  H01L27/06 ,  H01L29/86

Abstract: Ein Halbleiter-Die enthält ein diskretes Halbleiterbauelement und wenigstens eine Diode. Die Temperatur des diskreten Halbleiterbauelements wird bestimmt durch Messen eines ersten Durchlassspannungsabfalls der wenigstens einen Diode unter einer ersten Testbedingung, Messen eines zweiten Durchlassspannungsabfalls der wenigstens einen Diode unter einer zweiten Testbedingung und Schätzen der Temperatur des diskreten Halbleiterbauelements auf der Basis der Differenz zwischen der ersten und zweiten Durchlassspannungsabfallmessung.