公开(公告)号：DE102014114808B4

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：DE102014114808

申请日：2014-10-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN ,  STROTMANN GUIDO

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/053 ,  H01L25/07

Abstract: Elektronikmodul mit einem Modulgehäuse (6), sowie mit einem elektrisch leidenden Anschlusselement (7), das einen ersten Abschnitt (71) aufweist, einen zweiten Abschnitt (72), und einen Schaft (70) zwischen dem ersten Abschnitt (71) und dem zweiten Abschnitt (72), wobei der Schaft (70) mit einer nicht-metallischen Beschichtung (8) versehen ist; das Anschlusselement (7) zusammen mit der Beschichtung (8) im Bereich des Schaftes (70) in das Modulgehäuse (6) eingespritzt ist, so dass das Anschlusselement (7) in dem Modulgehäuse (6) fixiert ist; und ein Silikongel in das Modulgehäuse (6) eingefüllt ist.

公开(公告)号：DE102014110455B4

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102014110455

申请日：2014-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STROTMANN GUIDO

IPC: H01L21/54

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls mit den Schritten: Bereitstellen eines Modulgehäuses (4) und eines mit dem Modulgehäuse (4) verbundenen Schaltungsträgers (2); Einfüllen einer fließfähigen Vergussmasse (6) sowie wenigstens eines Verdrängungselements (7) in das Modulgehäuse (4) derart, dass die Gesamtheit der Verdrängungselemente (7) eine Verdrängung der Vergussmasse (6) bewirkt; und Vernetzen der verdrängten Vergussmasse (6) nach dem Einfüllen zu einem dielektrischen Gel, wobei das Volumen der durch sämtliche Verdrängungselemente (7) verdrängten Vergussmasse (6) zu einem Zeitpunkt, zu dem die eingefüllte Vergussmasse (6) noch fließfähig ist, zumindest 10% des Volumens der Vergussmasse (6) beträgt.

公开(公告)号：DE102014114808A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：DE102014114808

申请日：2014-10-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN ,  STROTMANN GUIDO

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/053 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Elektronikmodul (100) mit einem Modulgehäuse (6) und einem elektrisch leidenden Anschlusselement (7). Das Anschlusselement (7) weist einen ersten Abschnitt (71) und einen zweiten Abschnitt (72) auf, sowie einen Schaft (70) zwischen dem ersten Abschnitt (71) und dem zweiten Abschnitt (72). Das Anschlusselement (7), das im Bereich des Schaftes (80) mit einer nicht-metallischen Beschichtung (8) versehen ist, ist zusammen mit der Beschichtung (8) im Bereich des Schaftes (70) in das Modulgehäuse (6) eingespritzt ist, so dass das Anschlusselement (7) in dem Modulgehäuse (6) fixiert ist.

公开(公告)号：DE102014110455A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：DE102014110455

申请日：2014-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STROTMANN GUIDO

IPC: H01L21/54

Abstract: Ein Aspekt betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls. Hierzu werden ein Modulgehäuses (4) bereitgestellt, sowie ein mit dem Modulgehäuse (4) verbundener Schaltungsträger (2). Eine fließfähige Vergussmasse (6) sowie wenigstens ein Verdrängungselement (7) werden derart in das Modulgehäuse (4) eingefüllt, dass die Gesamtheit der Verdrängungselemente (7) eine Verdrängung der Vergussmasse (6) bewirkt. Nach dem Einfüllen wird die verdrängte Vergussmasse (6) zu einem dielektrischen Gel oder zu einem festen, dielektrischen Körper vernetzt. Das Volumen der durch sämtliche Verdrängungselemente (7) verdrängten Vergussmasse (6) beträgt zu einem Zeitpunkt, zu dem die eingefüllte Vergussmasse (6) noch fließfähig ist, zumindest 10 % des Volumens der Vergussmasse (6).

公开(公告)号：DE102014109183A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：DE102014109183

申请日：2014-07-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NOMANN MARIANNA ,  STROTMANN GUIDO ,  ESSERT MARK ,  NÜBEL THOMAS

IPC: H05K1/09 ,  C04B41/88 ,  H01L21/58 ,  H05K3/32

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers (10). Hierzu wird ein elektrisch isolierender Träger (1) bereitgestellt, der eine Oberseite (1t) aufweist, sowie eine der Oberseite (1t) entgegengesetzte Unterseite (2t). Ebenfalls bereitgestellt werden eine erste Metallfolie (21) und ein Härtungsmaterial (20). Dann wird eine auf der Oberseite (1t) angeordnete obere Metallisierungsschicht (2) hergestellt, die ein Härtungsgebiet (25) aufweist. Dabei wird zumindest ein zusammenhängender Abschnitt (250) des Härtungsgebiets (25) dadurch erzeugt, dass zumindest ein Teil des Härtungsmaterials (20) in die erste Metallfolie (21) eindiffundiert wird.

公开(公告)号：DE102012213567A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE102012213567

申请日：2012-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STROTMANN GUIDO ,  STAHLHUT CHRISTIAN

IPC: H05K3/32

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbinden eines elektrisch leitenden Anschlusselements (3) mit einer Metallisierung (21). Hierzu wird zunächst eine Ultraschall-Heftung zwischen dem Anschlusselement (3) und der Metallisierung (21) hergestellt, indem ein Fußbereich (31) des Anschlusselements (3) durch Ultraschallheften an die Metallisierung (21) geheftet wird. Danach wird das Anschlusselement (3) mit der Metallisierung (21) verschweißt, ohne jedoch dazu die zum Heften verwendete Sonotrode (5) einzusetzen.

公开(公告)号：DE102012215055A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102012215055

申请日：2012-08-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  STROTMANN GUIDO ,  GUTH KARSTEN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50

Abstract: Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung wird ein dielektrischer Isolationsträger (20) mit einer Oberseite (20t) und einer auf der Oberseite (20t) angeordneten oberen Metallisierungsschicht (21) bereitgestellt. Ebenso bereitgestellt werden ein Halbleiterchip (1) und wenigstens ein elektrisch leitender Kontaktpin (3), wobei jeder Kontaktpin (3) ein erstes Ende (31) und ein dem ersten Ende (31) entgegengesetztes zweites Ende (32) aufweist. Der Halbleiterchip (1) wird durch Sintern oder Diffusionslöten mit der oberen Metallisierungsschicht (21) verbunden. Zwischen dem ersten Ende (31) und der oberen Metallisierungsschicht (21) Material des Kontaktpins (3) in direkten physischen Kontakt mit dem Material der oberen Metallisierungsschicht (31) gebracht wird.