中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

8 records (took 0.025 seconds)

    Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls
    3.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls 未知

    公开(公告)号：DE102014106763B4

    公开(公告)日：2018-08-09

    申请号：DE102014106763

    申请日：2014-05-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STAHLHUT CHRISTIAN ,  FRÖMELT ACHIM ,  KERSTING CHRISTIAN ,  BOLOWSKI DANIEL

    IPC: H01L21/58 ,  B22F3/10

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls mit den Schritten:Bereitstellen einer Baugruppe (99), die aufweist:• einen Schaltungsträger (3) mit einem ersten metallischen Oberflächenabschnitt (311);• einen ersten Fügepartner (1), der mittels einer ersten Verbindungsschicht (41) mit dem ersten metallischen Oberflächenabschnitt (311) stoffschlüssig verbunden ist; und• einen zweiten metallischen Oberflächenabschnitt (111; 312);Durchführen einer Wärmebehandlung, bei der der zweite metallische Oberflächenabschnitt (111; 312) ununterbrochen auf Temperaturen gehalten wird, die höher sind als eine Wärmebehandlungsmindesttemperatur von wenigstens 300°C, wobei während der Wärmebehandlung kein metallischer Bestandteil der Baugruppe (99) aufgeschmolzen wird;Bereitstellen eines zweiten Fügepartners (2);Herstellen einer festen Verbindung zwischen dem zweiten Fügepartner (2) und der Baugruppe (99), indem der zweite Fügepartner (2) nach Abschluss der Wärmebehandlung an dem durch die Wärmebehandlung gereinigten zweiten Oberflächenabschnitt (111; 312) stoffschlüssig mit der Baugruppe (99) verbunden wird, wobei das Herstellen der festen Verbindung dadurch erfolgt, dass(a) der zweite Fügepartner (2) unmittelbar an den zweiten Oberflächenabschnitt (111; 312) gebondet wird; oder(b) der zweite Fügepartner (2) mittels einer zweiten Verbindungsschicht (42) derart fest mit der Baugruppe (99) verbunden wird, dass die zweite Verbindungsschicht (42) als elektrisch leitender Kleber ausgebildet ist und sich durchgehend zwischen dem zweiten Oberflächenabschnitt (111; 312) und dem zweiten Fügepartner (2) erstreckt.

    Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips mit einer metallischen Oberfläche eines Substrats mittels zweier Kontaktmetallisierungsschichten und Verfahren zur Herstellung einer Elektronikbaugruppe
    4.
    发明专利
    Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips mit einer metallischen Oberfläche eines Substrats mittels zweier Kontaktmetallisierungsschichten und Verfahren zur Herstellung einer Elektronikbaugruppe 未知

    公开(公告)号：DE102015121775B3

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：DE102015121775

    申请日：2015-12-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STAHLHUT CHRISTIAN ,  TRICHY RENGARAJAN GOPALAKRISHNAN

    IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

    Abstract: Ein Aspekt betrifft das Verbinden eines Halbleiterchips (1) mit einem Substrat. (2). Der Halbleiterchip (1) weist einen Halbleiterkörper (10) mit einer Unterseite (10b) auf, auf die eine untere Chipmetallisierung (12) aufgebracht ist. Das Substrat (2) weist eine metallische Oberfläche (2t) auf. Auf der unteren Chipmetallisierung (12) wird eine erste Kontaktmetallisierungsschicht (31) erzeugt, und auf der metallischen Oberfläche (2t) des Substrats (2) wird eine zweite Kontaktmetallisierungsschicht (32) erzeugt. Der Halbleiterchip (1) und das Substrat (2) werden für eine Anpressdauer derart aneinandergepresst, dass die erste Kontaktmetallisierungsschicht (31) und die zweite Kontaktmetallisierungsschicht (32) unmittelbar und flächig aneinander anliegen. Während der Anpressdauer wird die erste Kontaktmetallisierungsschicht (31) dauerhaft auf Temperaturen gehalten, die kleiner sind, als die Schmelztemperatur der ersten Kontaktmetallisierungsschicht (31). Entsprechend wird die zweite Kontaktmetallisierungsschicht (32) während der Anpressdauer dauerhaft auf Temperaturen gehalten, die kleiner sind, als die Schmelztemperatur der zweiten Kontaktmetallisierungsschicht (32). Nach dem Aneinanderpressen weisen die erste Kontaktmetallisierungsschicht (31) und die zweite Kontaktmetallisierungsschicht (32) eine gemeinsame Schichtdicke (d3132) auf, die kleiner ist, als 1000 nm.

    PASSIVIERUNGSSTRUKTUR ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
    6.
    发明专利
    PASSIVIERUNGSSTRUKTUR ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 未知

    公开(公告)号：DE102019131238A1

    公开(公告)日：2020-06-10

    申请号：DE102019131238

    申请日：2019-11-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  PETERS DETHARD ,  SALMEN PAUL ,  SCHMIDUTZ TOBIAS ,  SODAN VICE ,  STAHLHUT CHRISTIAN ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  ZIPPELIUS BERND

    IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

    Abstract: Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) weist einen Halbleiterkörper (102) auf, der eine erste Hauptoberfläche (104) umfasst. Der Halbleiterkörper (102) enthält eine aktive Vorrichtungszone (106) und eine Randabschlusszone (108), die die aktive Vorrichtungszone (106) zumindest teilweise umgibt. Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst ferner eine Kontaktelektrode (110) auf der ersten Hauptoberfläche (104). Die Kontaktelektrode (110) ist mit der aktiven Vorrichtungszone (106) elektrisch verbunden. Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner eine Passivierungsstruktur (112) auf der Randabschlusszone (108). Die Passivierungsstruktur (112) erstreckt sich lateral in die aktive Vorrichtungszone (106). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner eine Kapselungsstruktur (116) auf der Passivierungsstruktur (112). Die Kapselungsstruktur (116) bedeckt einen ersten Rand (118) der Passivierungsstruktur (112) über der Kontaktelektrode (110).

    HALBLEITERMODUL
    8.
    发明专利
    HALBLEITERMODUL 未知

    公开(公告)号：DE102014106763A1

    公开(公告)日：2015-11-19

    申请号：DE102014106763

    申请日：2014-05-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STAHLHUT CHRISTIAN ,  FRÖMELT ACHIM ,  KERSTING CHRISTIAN ,  BOLOWSKI DANIEL

    IPC: H01L21/00 ,  B22F3/10

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls. Hierzu wird eine Baugruppe (99), die einen Schaltungsträger (3) mit einem ersten metallischen Oberflächenabschnitt (311) aufweist, einen ersten Fügepartner (1), der mittels einer ersten Verbindungsschicht (41) mit dem ersten metallischen Oberflächenabschnitt (311) stoffschlüssig verbunden ist, und einen zweiten metallischen Oberflächenabschnitt (111; 312). Bei einer Wärmebehandlung wird der zweite metallische Oberflächenabschnitt (111; 312) ununterbrochen auf Temperaturen gehalten, die höher sind als eine Wärmebehandlungsmindesttemperatur von wenigstens 300°C. Außerdem wird ein zweiter Fügepartner (2) bereitgestellt. Zwischen dem zweiten Fügepartner (2) und der Baugruppe (99) wird eine feste Verbindung hergestellt, indem der zweite Fügepartner (2) nach Abschluss der Wärmebehandlung an dem zweiten Oberflächenabschnitt (111; 312) stoffschlüssig mit der Baugruppe (99) verbunden wird.

Patent Agency Ranking