公开(公告)号：JP2012074726A

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：JP2011264750

申请日：2011-12-02

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag

Inventor： GUTH KARSTEN ,  HOLGER TORWESTEN

IPC: H01L23/40

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a resistance to frequent temperature change accompanying high temperature change occurred in an operation of a power semiconductor module.SOLUTION: In the power semiconductor module 1, a copper-containing first soldering base material 20b, a connection layer 14, and a copper-containing second soldering base material 119 are arranged successively and fixedly connected with one another. The connection layer has a portion of intermetallic copper-tin phases of at least 90 wt.%. For producing such a power semiconductor module, the two soldering base materials and the solder arranged between the two soldering base materials are pressed against one another with a predefined pressure and the solder is melted. After elapse of a predefined period of time, the diffused copper and the tin from the liquid solder form a connection layer comprising intermetallic copper-tin phases. The portion of the connection layer is at least 90 wt.% of the connection layer created from the solder layer.

Abstract translation: 要解决的问题：为了提高在功率半导体模块的操作中发生的伴随高温变化的频繁温度变化的阻力。 解决方案：在功率半导体模块1中，将含铜的第一焊接基材20b，连接层14和含铜的第二焊接基材119相互连接且固定地连接。 连接层具有至少90重量％的金属间铜 - 锡相的一部分。 为了制造这样的功率半导体模块，将两个焊接基材和布置在两个焊接基材之间的焊料以预定的压力彼此压紧，并且焊料熔化。 在经过预定的时间段之后，来自液态焊料的扩散的铜和锡形成包括金属间铜 - 锡相的连接层。 连接层的部分为由焊料层形成的连接层的至少90重量％。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2008252091A

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：JP2008069682

申请日：2008-03-18

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： GUTH KARSTEN ,  SPECKELS ROLAND ,  KEMPER ALFRED

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L21/67005 ,  H01L24/75 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/53174 ,  Y10T29/53178 ,  Y10T29/53183

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and a method for chip attachment which achieve uniformity in thickness of an adhesive layer between a semiconductor chip and a substrate. SOLUTION: A pick-up arm 10 has a collet 15, a ball 16 and a rod 17. The rod 17 is connected to the ball 16 disposed below it. The ball 16 is connected to the collet 15 as a rotatable chip-receiving member provided below it. The collet 15 is rotatable essentially around a point, and the attachment method of the semiconductor chip 11 achieves uniformity in thickness of the adhesive layer 12 disposed between the semiconductor chip 11 and the substrate 13 by compensating inclination between the semiconductor chip 11 and the substrate 13. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种实现半导体芯片和基板之间的粘合剂层的厚度均匀性的芯片附接装置和方法。 解决方案：拾取臂10具有夹头15，球16和杆17.杆17连接到设置在其下方的球16。 球16作为设置在其下方的可旋转的芯片接收构件连接到夹头15。 夹头15基本上围绕点旋转，并且半导体芯片11的附接方法通过补偿半导体芯片11和基板13之间的倾斜来实现设置在半导体芯片11和基板13之间的粘合剂层12的厚度的均匀性 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2011018937A

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：JP2010212581

申请日：2010-09-22

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： GUTH KARSTEN ,  SPECKELS ROLAND ,  KEMPER ALFRED

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L21/67005 ,  H01L24/75 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/53174 ,  Y10T29/53178 ,  Y10T29/53183

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip carrier member for mounting a semiconductor chip on a substrate.SOLUTION: A chip carrier member includes a rotatable chip-receiving element which is rotatable around a point, a supporting part which is connected to a surface of the rotatable chip-receiving element, a vacuum suction channel having a first terminal connected to a bottom of the rotatable chip-receiving element and a second terminal connected to a surface of the supporting part, and a heating part. The supporting part has a vibration board 46' provided in a gap between the supporting part and the rotatable chip-receiving element. The vibration board 46' has a projection part 47' disposed inside a groove 45' of the supporting part.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于将半导体芯片安装在基板上的芯片载体构件。解决方案：芯片载体构件包括可绕点旋转的可转动的芯片接收元件，连接到 可旋转的芯片接收元件，具有连接到可旋转的芯片接收元件的底部的第一端子和连接到支撑部件的表面的第二端子的真空吸引通道和加热部件。 支撑部具有设置在支撑部和可旋转芯片接收元件之间的间隙中的振动板46'。 振动板46'具有设置在支撑部的槽45'的内侧的突出部47'。

公开(公告)号：JP2008235898A

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：JP2008071259

申请日：2008-03-19

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： GUTH KARSTEN ,  TORWESTEN HOLGER

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power semiconductor module, a method for producing the power semiconductor module, and a semiconductor chip, which improve reliability in the connection of soldering portions of the power semiconductor module. SOLUTION: In the power semiconductor module, a copper-containing first soldering partner, connection layers 214, 14, 114, and a copper-containing second soldering partner are arranged successively and fixedly connected with one another. The connection layer has a portion of intermetallic copper-tin phases of at least 90% by weight. For producing such a power semiconductor module the soldering partners and the solder arranged there between are pressed against one another with a predefined pressure and the solder is melted. After termination of a predefined period of time the diffused copper and the tin from the liquid solder form a connection layer comprising intermetallic copper-tin phases. The portion of the connection layer is at least 90% by weight of the connection layer created from the solder layer. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供功率半导体模块，用于制造功率半导体模块的方法和半导体芯片，其提高了功率半导体模块的焊接部分的连接的可靠性。 解决方案：在功率半导体模块中，含铜的第一焊接对象，连接层214,14,114和含铜的第二焊接对象彼此连续并且固定地连接。 连接层具有至少90重量％的金属间铜 - 锡相的一部分。 为了制造这样的功率半导体模块，焊接对象和布置在其间的焊料彼此以预定压力彼此压紧，并且焊料熔化。 在预定时间段结束后，来自液态焊料的扩散铜和锡形成包含金属间铜 - 锡相的连接层。 连接层的部分为由焊料层形成的连接层的至少90重量％。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE102009000587B4

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：DE102009000587

申请日：2009-02-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN ,  NIKITIN IVAN

IPC: H01L21/60

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Moduls (100) mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines Substrats (102), das eine Kupferoberfläche aufweist; Maskieren eines Teils der Kupferoberfläche mit einer Maske (162); Aufbringen einer Bondpaste (166), die Cu umfasst, auf einen unmaskierten Teil (164) der Kupferoberfläche; Aufbringen eines Halbleiterchips (136) auf die Bondpaste (166); und Herstellen einer gesinterten Verbindung (134) zwischen dem Halbleiterchip (106) und der Kupferoberfläche durch Sintern der Bondpaste (166), so dass die gesinterte Verbindung (134) die Kupferoberfläche direkt mit dem Halbleiterchip (136) ohne Verwendung einer Edelmetallschicht zwischen der Kupferoberfläche und dem Halbleiterchip (136) verbindet, und wobei die Bondpaste zusätzliche Komponenten mit Oberflächenaktivierungseigenschaften aufweist, die Harze wie Kolophonium oder synthetische Ersatzstoffe oder organische Säuren umfassen, und die mit zunehmender Temperatur Reduktionseigenschaften entwickeln, oder wobei das Sintern in einer reduzierenden Atmosphäre erfolgt, die Ameisensäure enthält.

公开(公告)号：DE102009000541A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：DE102009000541

申请日：2009-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN ,  HEINRICH ALEXANDER ,  JUERSS MICHAEL ,  HABLE WOLFRAM

IPC: C23F17/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reduzierung der Oberflächenrauigkeit einer metallischen Oberfläche (11) eines Körpers (10). Hierzu wird ein Körper (10) bereitgestellt, der eine metallische Oberfläche (11) mit Erhöhungen (12) und Vertiefungen (13) aufweist. Auf die Oberfläche (11) wird ein metallisches Füllmaterial (16) aufgebracht, wobei vor dem Aufbringen des metallischen Füllmaterials (16) im Bereich der Erhöhungen (12), nicht jedoch im Bereich der Vertiefungen (13) ein Mittel (15) auf die Oberfläche (11) aufgetragen wird, welches die Anhaftung des metallischen Füllmaterials (16) an der Oberfläche (11) im Bereich des Auftrags verhindert oder zumindest verringert.

公开(公告)号：DE102006009978A1

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：DE102006009978

申请日：2006-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN ,  MUENZER MARK NILS ,  LICHT THOMAS

IPC: H01L23/34

Abstract: The module has a semiconductor unit (40) with a semiconductor component (30) provided on an upper side (20a) of a substrate (20). A base plate (10) serves as a support, where the semiconductor unit is attached with a bottom side (20b) of the substrate on an upper side (10a) of the base plate. The base plate is made of a composite material with a metallic material (11`), and an insert (12) is made of aluminum/silicon carbide material (12`) in the metallic material.

公开(公告)号：DE102009000541B4

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：DE102009000541

申请日：2009-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN ,  HEINRICH ALEXANDER ,  JÜRSS MICHAEL ,  HABLE WOLFRAM

IPC: C23F17/00

Abstract: Verfahren zur Reduzierung der Oberflächenrauigkeit einer metallischen Oberfläche (11) eines Körpers (5, 10, 21, 22) mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Körpers (5, 10, 21, 22), der eine metallische Oberfläche (11) mit Erhöhungen (12) und Vertiefungen (13) aufweist; Aufbringen eines metallischen Füllmaterials (16) auf die Oberfläche (11), wobei vor dem Aufbringen des metallischen Füllmaterials (16) im Bereich der Erhöhungen (12), nicht jedoch im Bereich der Vertiefungen (13) ein Mittel (15) auf die Oberfläche (11) aufgetragen wird, welches polare und/oder polarisierbare Moleküle aufweist und welches die Anhaftung des metallischen Füllmaterials (16) an der Oberfläche (11) im Bereich des Auftrags verhindert oder zumindest verringert, wobei das Auftragen des Mittels (15) im Bereich der Erhöhungen (12) durch Anlegen einer hohen elektrischen Spannung an die Oberfläche (11) erfolgt.

公开(公告)号：DE102006009978B4

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：DE102006009978

申请日：2006-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN ,  MUENZER MARK NILS ,  LICHT THOMAS

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L25/065

公开(公告)号：DE102006014609A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：DE102006014609

申请日：2006-03-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN ,  MUENZER MARK NILS

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: The module has a direct copper bonding (DCB) substrate arranged on a carrier plate (2) and serving as a carrier for a semiconductor unit e.g. insulated gate bipolar transistor (IGBT). The substrate has a substrate underside-metallization layer (6) and a substrate layer (3). A plumb layer (5) is provided between the substrate and the carrier plate such that the plumb layer forms a layer compound (4) together with the substrate underside-metallization layer. Edges of the layer compound are formed such that radii of the edges lie in a specific range.