公开(公告)号：DE102004036330A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：DE102004036330

申请日：2004-07-27

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： HE DONALD ,  SODHI RITU ,  CHIOLA DAVIDE

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

Abstract: A semiconductor device including a schottky device and a trench type semiconductor switching device such as a MOSFET formed in a common die.

公开(公告)号：ITMI991857D0

公开(公告)日：1999-08-31

申请号：ITMI991857

申请日：1999-08-31

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： CHIOLA DAVIDE ,  ANDOH KOHJI

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872

公开(公告)号：DE112006000175B4

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：DE112006000175

申请日：2006-01-10

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： CHIOLA DAVIDE

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L27/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/47

Abstract: Schottky-Gleichrichter, der umfasst: ein Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähigkeitstyps; mehrere Gräben längs einer ersten Stirnseite des Halbleitersubstrats, die durch mehrere Mesas beabstandet sind, wobei jeder der Gräben eine Oxidschicht mit einer unterschiedlichen Dicke besitzt, die die Boden- bzw. Seitenwandflächen des Grabens überzieht und wobei ein Verhältnis einer Bodenoxidschichtdicke eines Grabens zu einer Seitenwandoxidschichtdicke eines Grabens für besagte Oxidschicht unterschiedlicher Dicken mehr als 2:1 beträgt; und eine Schottky-Metallschicht über der ersten Stirnseite des Halbleitersubstrats, die einen Schottky-Gleichrichterkontakt mit den mehreren Mesas bildet.

公开(公告)号：FR2785091A1

公开(公告)日：2000-04-28

申请号：FR9910851

申请日：1999-08-27

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： CHIOLA DAVIDE ,  ANDOH KOHJI

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872

公开(公告)号：DE19939484A1

公开(公告)日：2000-03-09

申请号：DE19939484

申请日：1999-08-20

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： CHIOLA DAVIDE ,  ANDOH KOHJI

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872

Abstract: Schottky diode has a silicon die (11) with n-type upper surface (12) and p-type diffusion layer adjacent to, but separated from, the die. The p-type layer has a field oxide overlapping the edge and facing the die. A layer of barrier metal (30) is on top of n-type and p-type regions to within 5 microns of the edge of the p-type diffusion layer. Another metal layer contacts each barrier metal layer.

公开(公告)号：DE112006000745T5

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：DE112006000745

申请日：2006-04-24

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： CHIOLA DAVIDE

IPC: H01L23/34

Abstract: A semiconductor package including a conductive clip preferably in the shape of a can, a semiconductor die, and a conductive stack interposed between the die and the interior of the can which includes a conductive platform and a conductive adhesive body.

公开(公告)号：AU2003248823A1

公开(公告)日：2004-02-02

申请号：AU2003248823

申请日：2003-07-02

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： CHIOLA DAVIDE ,  ANDOH KOHJI

IPC: H01L21/329 ,  H01L27/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/8234

Abstract: A fabrication process for a Schottky barrier structure includes forming a nitride layer directly on a surface of an epitaxial ("epi") layer and subsequently forming a plurality of trenches in the epi layer. The interior walls of the trenches are then deposited with a final oxide layer without forming a sacrificial oxide layer to avoid formation of a beak bird at the tops of the interior trench walls. A termination trench is etched in the same process step for forming the plurality of trenches in the active area.

公开(公告)号：IT1313289B1

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：ITMI991857

申请日：1999-08-31

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： CHIOLA DAVIDE ,  ANDOH KOHJI

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872

公开(公告)号：ITMI991857A1

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：ITMI991857

申请日：1999-08-31

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： CHIOLA DAVIDE ,  ANDOH KOHJI

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872