公开(公告)号：WO2004068617A2

公开(公告)日：2004-08-12

申请号：PCT/US2004002567

申请日：2004-01-28

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： MA LING ,  AMALI ADAM ,  KIYAWAT SIDDHARTH ,  MIRCHANDANI ASHITA ,  HE DONALD ,  THAPAR NARESH ,  SODHI RITU ,  SPRING KYLE ,  KINZER DANIEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78 ,  H01M20060101 ,  H02M3/158 ,  H01M

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466 ,  Y10S257/901

Abstract: A trench power semiconductor device including a recessed termination structure.

Abstract translation: 一种沟槽功率半导体器件，包括凹入的端接结构。

公开(公告)号：WO2004068617B1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：PCT/US2004002567

申请日：2004-01-28

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： MA LING ,  AMALI ADAM ,  KIYAWAT SIDDHARTH ,  MIRCHANDANI ASHITA ,  HE DONALD ,  THAPAR NARESH ,  SODHI RITU ,  SPRING KYLE ,  KINZER DANIEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78 ,  H01M20060101 ,  H02M3/158

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466 ,  Y10S257/901

Abstract: A trench power semiconductor device including a recessed termination structure (15).

Abstract translation: 一种沟槽功率半导体器件，包括凹入端接结构（15）。

公开(公告)号：WO2004030045A8

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：PCT/US0331150

申请日：2003-09-30

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： MA LING ,  AMALI ADAM ,  KIYAWAT SIDDHARTH ,  MIRCHANDANI ASHITA ,  HE DONALD ,  THAPAR NARESH ,  SODHI RITU ,  SPRING KYLE ,  KINZER DANIEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66727 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: A process for manufacturing a semiconductor device of the trench variety with reduced feature sizes and improved characteristics which process includes forming a termination structure having a field oxide disposed in a recess below the surface of the semiconductor die in which the active elements of the device are formed, and forming source regions after the major thermal steps have been performed.

Abstract translation: 一种用于制造具有减小的特征尺寸和改进特性的沟槽种类的半导体器件的方法，该工艺包括形成具有设置在其中形成有器件的有源元件的半导体管芯的表面下方的凹陷中的场氧化物的端接结构 并且在主要热步骤之后形成源区。

公开(公告)号：WO2004030045A3

公开(公告)日：2004-09-30

申请号：PCT/US0331150

申请日：2003-09-30

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： MA LING ,  AMALI ADAM ,  KIYAWAT SIDDHARTH ,  MIRCHANDANI ASHITA ,  HE DONALD ,  THAPAR NARESH ,  SODHI RITU ,  SPRING KYLE ,  KINZER DANIEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66727 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: A process for manufacturing a semiconductor device of the trench variety with reduced feature sizes and improved characteristics which process includes forming a termination structure having a field oxide disposed in a recess below the surface of the semiconductor die in which the active elements of the device are formed, and forming source regions after the major thermal steps have been performed.

Abstract translation: 一种用于制造具有减小的特征尺寸和改进的特性的沟槽种类的半导体器件的工艺，该工艺包括形成具有场氧化物的终端结构，该场氧化物设置在其中形成器件的有源元件的半导体管芯的表面下方的凹槽中 并且在完成主要热步骤之后形成源极区域。

公开(公告)号：DE102004036330B4

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：DE102004036330

申请日：2004-07-27

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： HE DONALD ,  SODHI RITU ,  CHIOLA DAVIDE

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/76

Abstract: Halbleiterbauelement (10), das Folgendes umfasst: einen Chip (8), in dem ein Halbleiterschaltbauelement und ein Schottky-Bauelement ausgebildet sind, wobei das genannte Halbleiterschaltbauelement eine Mehrzahl von Gräben (20) beinhaltet, die jeweils ein Paar gegenüberliegender Seitenwände und eine Bodenwand beinhalten und die jeweils von einer Oberseite des genannten Chip (8) bis zu einer Driftregion im Körper des genannten Chip (8) verlaufen, wobei Kanalregionen eines ersten Leitfähigkeitstyps in dem genannten Chip (8) ausgebildet und neben den Seitenwänden der genannten Gräben (20) angeordnet sind, wobei eine Gateoxidschicht an jeder Seitenwand eines Grabens (20) neben einer jeweiligen Kanalregion angeordnet ist, wobei ein leitendes Gatematerial in den genannten Gräben (20) enthalten und von den genannten Kanalregionen durch die genannten Gateoxidschichten isoliert sind, und wobei Regionen eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der dem Leitfähigkeitstyp der genannten Kanalregion entgegengesetzt ist, jeweils an einer Seitenwand eines jeweiligen Grabens (20) angeordnet sind und jeweils von der Oberseite des genannten Chip (8) bis zu einer jeweiligen Kanalregion verlaufen; wobei das genannte Schottky-Bauelement eine Schottky-Sperre (40) über und in Schottky-Kontakt mit einem Teil der Oberseite des genannten Chip (8) beinhaltet; und wobei ein erster Kontakt in Kontakt mit der genannten Schottky-Sperre (40) und den genannten Regionen des genannten zweiten Leitfähigkeitstyps ist; durch eine Terminierungsstruktur (48), die Folgendes umfasst: eine in dem genannten Chip (8) bis zu einer Tiefe unterhalb von der der genannten Kanalregion ausgebildete Vertiefung (50), eine über den Hauptflächen der Vertiefung (50) ausgebildete erste Isolationsschicht, eine über der ersten Isolationsschicht ausgebildete leitende Schicht, eine zweite über der genannten leitenden Schicht ausgebildete Isolationsschicht und einen über der genannten zweiten Isolationsschicht ausgebildeten Terminierungskontakt (58), wobei der genannte Terminierungskontakt (58) in elektrischem Kontakt mit der genannten leitenden Schicht durch die genannte zweite Isolationsschicht hindurch ist, wobei das genannte Schottky-Bauelement ferner eine Mesa (36) mit einem auf beiden Seiten davon ausgebildeten Graben (38) umfasst, wobei jeder Graben (38) eine Isolationsschicht hat, die an seinen Seitenwänden und am Boden ausgebildet ist und ein leitendes Materialenthält, und wobei die genannte Schottky-Sperre (40) über die genannten Seitenwände im oberen Bereich der genannten Gräben verläuft.

公开(公告)号：DE102004036330A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：DE102004036330

申请日：2004-07-27

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： HE DONALD ,  SODHI RITU ,  CHIOLA DAVIDE

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

Abstract: A semiconductor device including a schottky device and a trench type semiconductor switching device such as a MOSFET formed in a common die.

公开(公告)号：DE112004000218B4

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE112004000218

申请日：2004-01-28

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： MA LING ,  AMALI ADAM ,  KIYAWAT SIDDHARTH ,  MIRCHANDANI ASHITA ,  HE DONALD ,  THAPAR NARESH ,  SODHI RITU ,  SPRING KYLE ,  KINZER DANIEL

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/76 ,  H01M20060101 ,  H02M3/158

Abstract: DC/DC Wandler aufweisend: eine synchrone Halbleitervorrichtung; und eine Steuer-Halbleitervorrichtung; wobei zumindest eine der Halbleitervorrichtungen aufweist: einen Halbleiterkörper einer ersten Leitfähigkeit, welcher einen Kanalbereich einer zweiten Leitfähigkeit und eine Hauptoberfläche aufweist; einen aktiven Bereich, welcher in dem Halbleiterkörper ausgebildet ist, wobei der aktive Bereich eine Vielzahl von beabstandeten Graben aufweist, welche jeweils weniger als 0,5 Mikrometer breit sind und welche sich über den Kanalbereich erstrecken; eine Gatestruktur, welche in jedem der Graben angeordnet ist, wobei jede Gatestruktur eine Gateoxidschicht aufweist, welche zumindest an Seitenwandungen des Grabens angeordnet ist, und eine Gateelektrode aufweist, welche benachbart zu der Gateoxidschicht angeordnet ist; leitfähige Bereiche der ersten Leitfähigkeit, welche benachbart zu dem Graben in dem Kanalbereich ausgebildet sind; hochdotierte Kontaktbereiche der zweiten Leitfähigkeit, die in dem Kanalbereich angeordnet sind und seitlich zwischen zwei gegenüberliegenden leitenden Bereichen abgegrenzt sind; ein metallischer Kontakt, welcher in Kontakt mit den leitenden Bereichen und den hochdotierten Kontaktbereichen ist; und eine Endstruktur, wobei die Endstruktur aufweist: einen Endgraben, welcher in dem Halbleiterkörper ausgebildet ist und eine geneigte Seitenwand aufweist und eine Feldoxidschicht, welche in den Endgraben unter der Hauptoberfläche ausgebildet ist, eine Polysilizium Feldelektrode, welche oberhalb der ...

公开(公告)号：DE112004000218T5

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：DE112004000218

申请日：2004-01-28

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： MA LING ,  AMALI ADAM ,  KIYAWAT SIDDHARTH ,  MIRCHANDANI ASHITA ,  HE DONALD ,  THAPAR NARESH ,  SODHI RITU ,  SPRING KYLE ,  KINZER DANIEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78 ,  H01M20060101 ,  H02M3/158

Abstract: A trench power semiconductor device including a recessed termination structure.

公开(公告)号：AU2003275373A8

公开(公告)日：2004-04-19

申请号：AU2003275373

申请日：2003-09-30

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： MA LING ,  SPRING KYLE ,  KIYAWAT SIDDHARTH ,  MIRCHANDANI ASHITA ,  THAPAR NARESH ,  AMALI ADAM ,  SODHI RITU ,  HE DONALD ,  KINZER DANIEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: A process for manufacturing a semiconductor device of the trench variety with reduced feature sizes and improved characteristics which process includes forming a termination structure having a field oxide disposed in a recess below the surface of the semiconductor die in which the active elements of the device are formed, and forming source regions after the major thermal steps have been performed.

公开(公告)号：AU2003275373A1

公开(公告)日：2004-04-19

申请号：AU2003275373

申请日：2003-09-30

Applicant: INT RECTIFIER CORP

Inventor： AMALI ADAM ,  KIYAWAT SIDDHARTH ,  MIRCHANDANI ASHITA ,  HE DONALD ,  THAPAR NARESH ,  SODHI RITU ,  SPRING KYLE ,  KINZER DANIEL ,  MA LING

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: A process for manufacturing a semiconductor device of the trench variety with reduced feature sizes and improved characteristics which process includes forming a termination structure having a field oxide disposed in a recess below the surface of the semiconductor die in which the active elements of the device are formed, and forming source regions after the major thermal steps have been performed.