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    TRENCH SCHOTTKY BARRIER DIODE WITH DIFFERENTIAL OXIDE THICKNESS
    1.
    发明申请
    TRENCH SCHOTTKY BARRIER DIODE WITH DIFFERENTIAL OXIDE THICKNESS 审中-公开
    具有差异氧化物厚度的TRENCH SCHOTTKY BARRIER二极管

    公开(公告)号：WO2006076298A3

    公开(公告)日：2008-08-28

    申请号：PCT/US2006000704

    申请日：2006-01-10

    Applicant: INT RECTIFIER CORP ,  CHIOLA DAVIDE

    Inventor： CHIOLA DAVIDE

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/44 ,  H01L27/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

    CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872 ,  Y10S438/963

    Abstract: A fabrication process for a trench Schottky diode with differential oxide thickness within the trenches includes forming a first nitride layer on a substrate surface and subsequently forming a plurality of trenches in the substrate including, possibly, a termination trench. Following a sacrificial oxide layer formation and removal, sidewall and bottom surfaces of the trenches are oxidized. A second nitride layer is then applied to the substrate and etched such that the second nitride layer covers the oxide layer on the trench sidewalls but exposes the oxide layer on the trench bottom surfaces. The trench bottom surfaces are then re-oxidized and the remaining second nitride layer then removed from the sidewalls, resulting in an oxide layer of varying thickness being formed on the sidewall and bottom surfaces of each trench. The trenches are then filled with a P type polysilicon, the first nitride layer removed, and a Schottky barrier metal applied to the substrate surface.

    Abstract translation: 在沟槽内具有差异氧化物厚度的沟槽肖特基二极管的制造方法包括在衬底表面上形成第一氮化物层，并且随后在衬底中形成包括可能的端接沟槽的多个沟槽。 在牺牲氧化层形成和去除之后，沟槽的侧壁和底表面被氧化。 然后将第二氮化物层施加到衬底并被蚀刻，使得第二氮化物层覆盖沟槽侧壁上的氧化物层，但是暴露出沟槽底表面上的氧化物层。 然后，沟槽底表面被再次氧化，然后从侧壁去除剩余的第二氮化物层，导致在每个沟槽的侧壁和底表面上形成不同厚度的氧化物层。 然后用P型多晶硅，去除第一氮化物层和施加到衬底表面上的肖特基势垒金属填充沟槽。

    PROCESS FOR COUNTER DOPING N-TYPE SILICON IN SCHOTTKY DEVICE WITH TI SILICIDE BARRIER
    2.
    发明申请
    PROCESS FOR COUNTER DOPING N-TYPE SILICON IN SCHOTTKY DEVICE WITH TI SILICIDE BARRIER 审中-公开
    用于硅胶棒的肖特基设备中计数N型硅的工艺

    公开(公告)号：WO03030216A3

    公开(公告)日：2003-07-10

    申请号：PCT/US0231111

    申请日：2002-09-27

    Applicant: INT RECTIFIER CORP

    Inventor： ANDOH KOHJI ,  CHIOLA DAVIDE ,  KINZER DANIEL M

    IPC: H01L27/08 ,  H01L21/00 ,  H01L31/00

    CPC classification number: H01L27/0814 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/8725

    Abstract: A Schottky diode has a barrier height which is adjusted by boron implant through a titanium silicide 25 Schottky contact and into the underlying N- silicon substrate 49 which receives the titanium silicide contact. The implant is a low energy, of about 10 keV "non critical" and a low dose of less than about 1E12 atoms per cm2 "non-critical".

    Abstract translation: 肖特基二极管具有通过硼注入通过硅化钛25肖特基接触并进入接收硅化钛接触的下面的N-硅衬底49中的势垒高度。 植入物是低能量，约10keV“非临界”，低剂量小于约1E12原子/ cm 2“非关键”。

    Verfahren zur Bildung dicker Oxide auf Si oder SiC für Halbleiterbauteile
    5.
    发明专利
    Verfahren zur Bildung dicker Oxide auf Si oder SiC für Halbleiterbauteile 未知

    公开(公告)号：DE102004032910B4

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：DE102004032910

    申请日：2004-07-07

    Applicant: INT RECTIFIER CORP

    Inventor： CHIOLA DAVIDE ,  HE ZHI

    IPC: H01L21/329 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872

    Abstract: Verfahren zur Bildung eines Schottky-Bauteils vom Grabentyp, mit den Schritten der Bildung von mit Abstand voneinander angeordneten Gräben in der Oberfläche eines Substrates, des Aufwachsens und nachfolgenden Entfernens einer dünnen Oxidschicht (40) in jedem Graben, um abgerundete Ecken am Boden der Gräben zu bilden, der Abscheidung einer Schicht aus Polysilizium (50) mit vorgegebener Dicke in das Innere der Gräben, um diese auszukleiden, des Oxidierens der Schicht aus Polysilizium, um diese in eine Oxidschicht mit einer vorgegebenen Dicke umzuwandeln, und des Oxidierens einer wenige 10 nm dicken Schicht des Substrates während des Oxidierens der Schicht aus Polysilizium, des Füllens der Gräben mit einer Schicht aus leitendem Polysilizium, das von dem Substrat durch die Oxidschicht isoliert ist, und des Aufbringens eines Schottky-Kontaktes auf die Oberseite des Substrates und in Kontakt mit den Oberseiten der Mesas zwischen den Gräben und mit dem leitenden Polysilizium in den Gräben.

    Halbleiterbauelement
    7.
    发明专利
    Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102004036330B4

    公开(公告)日：2018-04-05

    申请号：DE102004036330

    申请日：2004-07-27

    Applicant: INT RECTIFIER CORP

    Inventor： HE DONALD ,  SODHI RITU ,  CHIOLA DAVIDE

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/76

    Abstract: Halbleiterbauelement (10), das Folgendes umfasst: einen Chip (8), in dem ein Halbleiterschaltbauelement und ein Schottky-Bauelement ausgebildet sind, wobei das genannte Halbleiterschaltbauelement eine Mehrzahl von Gräben (20) beinhaltet, die jeweils ein Paar gegenüberliegender Seitenwände und eine Bodenwand beinhalten und die jeweils von einer Oberseite des genannten Chip (8) bis zu einer Driftregion im Körper des genannten Chip (8) verlaufen, wobei Kanalregionen eines ersten Leitfähigkeitstyps in dem genannten Chip (8) ausgebildet und neben den Seitenwänden der genannten Gräben (20) angeordnet sind, wobei eine Gateoxidschicht an jeder Seitenwand eines Grabens (20) neben einer jeweiligen Kanalregion angeordnet ist, wobei ein leitendes Gatematerial in den genannten Gräben (20) enthalten und von den genannten Kanalregionen durch die genannten Gateoxidschichten isoliert sind, und wobei Regionen eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der dem Leitfähigkeitstyp der genannten Kanalregion entgegengesetzt ist, jeweils an einer Seitenwand eines jeweiligen Grabens (20) angeordnet sind und jeweils von der Oberseite des genannten Chip (8) bis zu einer jeweiligen Kanalregion verlaufen; wobei das genannte Schottky-Bauelement eine Schottky-Sperre (40) über und in Schottky-Kontakt mit einem Teil der Oberseite des genannten Chip (8) beinhaltet; und wobei ein erster Kontakt in Kontakt mit der genannten Schottky-Sperre (40) und den genannten Regionen des genannten zweiten Leitfähigkeitstyps ist; durch eine Terminierungsstruktur (48), die Folgendes umfasst: eine in dem genannten Chip (8) bis zu einer Tiefe unterhalb von der der genannten Kanalregion ausgebildete Vertiefung (50), eine über den Hauptflächen der Vertiefung (50) ausgebildete erste Isolationsschicht, eine über der ersten Isolationsschicht ausgebildete leitende Schicht, eine zweite über der genannten leitenden Schicht ausgebildete Isolationsschicht und einen über der genannten zweiten Isolationsschicht ausgebildeten Terminierungskontakt (58), wobei der genannte Terminierungskontakt (58) in elektrischem Kontakt mit der genannten leitenden Schicht durch die genannte zweite Isolationsschicht hindurch ist, wobei das genannte Schottky-Bauelement ferner eine Mesa (36) mit einem auf beiden Seiten davon ausgebildeten Graben (38) umfasst, wobei jeder Graben (38) eine Isolationsschicht hat, die an seinen Seitenwänden und am Boden ausgebildet ist und ein leitendes Materialenthält, und wobei die genannte Schottky-Sperre (40) über die genannten Seitenwände im oberen Bereich der genannten Gräben verläuft.

    Formation of trench type Schottky device, e.g. diode, by depositing layer of polysilicon into interior of trenches, oxidizing, filling trenches with layer of conductive polysilicon, and applying Schottky contact to top of substrate
    8.
    发明专利
    Formation of trench type Schottky device, e.g. diode, by depositing layer of polysilicon into interior of trenches, oxidizing, filling trenches with layer of conductive polysilicon, and applying Schottky contact to top of substrate 未知

    公开(公告)号：DE102004032910A1

    公开(公告)日：2005-02-24

    申请号：DE102004032910

    申请日：2004-07-07

    Applicant: INT RECTIFIER CORP

    Inventor： CHIOLA DAVIDE ,  HE ZHI

    IPC: H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/329 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872

    Abstract: Formation of trench type Schottky device comprises: forming spaced trenches into surface of substrate; depositing layer of polysilicon into interior of trenches; oxidizing layer of polysilicon to convert into layer of oxide; filling trenches with layer of conductive polysilicon which is insulated from substrate by layer of oxide; and applying Schottky contact to top of substrate and in contact with tops of mesas (20, 21) between trenches. Formation of trench type Schottky device, comprises: (1) forming spaced trenches into the surface of a substrate; (2) depositing a layer of polysilicon of given thickness into and lining the interior of the trenches; (3) oxidizing the layer of polysilicon to convert it into a layer of an oxide of a given thickness; (4) filling the trenches with a layer of conductive polysilicon which is insulated from the substrate by the layer of oxide; and (5) applying a Schottky contact to the top of the substrate and in contact with the tops of the mesas between the trenches and with the conductive polysilicon in the trenches. Independent claims are also included for: (A) a process for the manufacture of a trench type Schottky diode in which oxide layers lining the trenches of the device are formed by oxidizing a polysilicon layer deposited into the trenches; and (B) a process for manufacturing a semiconductor device, comprising providing a semiconductor body; forming spaced trenches in the semiconductor body, each trench including sidewalls and bottom wall; growing a layer of convertible material that can converted to an insulator over at least the sidewalls of the trenches; and converting the convertible material to an insulator in a chemical reaction.

    Schottky diode with shortened barrier metal contact layer
    10.
    发明专利
    Schottky diode with shortened barrier metal contact layer 未知

    公开(公告)号：GB2341276A

    公开(公告)日：2000-03-08

    申请号：GB9920553

    申请日：1999-08-31

    Applicant: INT RECTIFIER CORP

    Inventor： CHIOLA DAVIDE ,  ANDOH KOHJI

    IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872

    Abstract: A Schottky diode 10 comprises a P-type guard ring 41 formed in an N-type substrate. A barrier layer 30 and a field oxide layer 22 overlap the guard ring 41 at opposing edges. The contact layer 31 is formed over the entire surface, and makes contact with each of the barrier layer 30, the field oxide 22, and an exposed region of the P-type region. The barrier layer 30 may be molybdenum, and the contact layer 31 may be an alloy of titanium or aluminium. This arrangement prevents problems of delamination or peeling away of the Mo layer from the field oxide layer, since the contact metal is chosen so that it adheres well to the barrier, the substrate, and the field oxide.

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