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公开(公告)号：CN1236353C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200310116032.X
申请日：2003-12-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G03F7/00 , H01L29/786 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214
Abstract: 一种液晶显示装置的制造方法，包括以下步骤：通过第一掩模处理过程，在第一基板上形成一栅极线、一栅极焊盘和一栅极；通过第二掩模处理过程，在包括栅极线、栅极焊盘和栅极的第一基板上形成一数据线、一数据焊盘、一源极、一漏极和一有源层；通过第三掩模处理过程，在包括数据线、数据焊盘、源极和漏极的第一基板上形成一象素电极和一数据焊盘端子；在包括象素电极和数据焊盘端子的第一基板的整个表面上形成一钝化层；将包括钝化层的第一基板与第二基板相粘接，其中由第二基板露出包括栅极焊盘的栅极焊盘部分和包括数据焊盘的数据焊盘部分；为第一基板与第二基板之间的间隙中提供液晶材料；以及去除第二基板所暴露的栅极焊盘部分和数据焊盘部分中的钝化层。
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公开(公告)号：CN1991489A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610095972.9
申请日：2006-06-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1339 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/133516 , G02B5/201 , G02F1/133512
Abstract: 制造LCD的滤色器层的方法和用其制造液晶显示器件的方法。一种制造LCD的滤色器层的方法包括：提供滤色器基板；在滤色器基板上形成以一定间隔分离开的多个黑底；以及通过使用大量的针在该基板上的所述多个黑底之间形成R、G和B滤色器层。因为R、G和B滤色器层是通过利用针在滤色器基板上顺序转印R、G和B彩色颜料而形成的，所以能够简化滤色器的制造工艺，可以节约用于滤色器的材料，因此可以降低滤色器的制造成本。
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公开(公告)号：CN1971423A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610090306.6
申请日：2006-06-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , G02F1/1333
CPC classification number: B41C1/025 , G02F2001/136231
Abstract: 公开了一种制造精确印版的方法，和使用该方法制造LCD器件的方法，制造精确印刷板的方法包括在基板上形成预定图案的掩模层；通过使用预定图案的掩模层用包含阴离子表面活性剂的蚀刻剂蚀刻基板，从而形成沟槽；以及移除所述掩模层。
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公开(公告)号：CN1312524C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200410083702.7
申请日：2004-10-14
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136213 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明公开了一种按三轮掩模工序制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。在第一掩模工序中形成栅极线和栅极。在第二掩模工序中用栅极绝缘膜，非掺杂和掺杂的非晶硅层和数据金属层形成数据线，源极，漏极，半导体层和与栅极线重叠的第一上存储电极。在第三掩模工序中形成在像素区内、外贯穿保护膜和栅极绝缘膜的像素孔，局部去除第一上存储电极，像素电极在像素区上的像素孔内接触到漏极的侧面，而第二上存储电极在像素区外的像素孔内接触到第一上存储电极的侧面。
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公开(公告)号：CN1892328A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610090545.1
申请日：2006-06-27
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F2201/123 , G02F2201/40
Abstract: 一种制造共平面开关模式液晶显示器件的方法，包括下述步骤：在基板上形成第一绝缘层；在包含第一绝缘层的基板上形成用于公共电极和像素电极的电极层；在电极层上形成第二绝缘层；蚀刻第二绝缘层，从而使第二绝缘层保留在第一绝缘层的侧面上；和用保留的第二绝缘层作为掩模蚀刻电极层，从而形成彼此平行设置的公共电极和像素电极。因为公共电极和像素电极形成为0.1μm到2μm的宽度，所以开口率增大了，透射率也提高了。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1619391A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410088644.7
申请日：2004-11-10
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/133707 , G02F1/13394 , G02F1/13458 , G02F2001/136231 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种可按简易方法制造的液晶显示(LCD)板。该LCD板包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板，该薄膜晶体管阵列阵列基板具有：栅线，与之彼此交叉以限定像素区域的数据线，位于栅线和数据线的交叉点处的TFT，保护膜，以及与TFT相连、位于像素开口内的像素电极，其中所述像素开口设置在像素区域并且通过贯穿保护膜和栅绝缘膜形成。一滤色片阵列基板与该TFT阵列基板相粘接。在TFT阵列基板和滤色片阵列基板之间设有构图衬垫料，该构图衬垫料与至少一栅线、数据线和薄膜晶体管重叠。肋由与构图衬垫料相同的层形成并且与像素电极重叠。在LCD板中设有液晶材料。
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公开(公告)号：CN100368920C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410088816.0
申请日：2004-11-04
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管基板结构。该结构包括由第一导电层形成的栅线和公共线；由第二导电层形成并与所述栅线和公共线交叉的数据线，该数据线与所述栅线和公共线通过栅极绝缘膜相互绝缘，该数据线与所述栅线的交叉限定像素区；在交叉点处的薄膜晶体管；在像素区内公共电极的延伸部分；由第三导电层形成并连接到薄膜晶体管的像素电极，其在像素区内具有延伸部分，由该像素电极和公共电极形成水平电场；并且限定多个像素孔，其中所述像素电极设置在至少一像素孔内并且连接到漏极。
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公开(公告)号：CN100368918C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410086756.9
申请日：2004-10-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/134363 , G02F2001/136231 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 一种水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板结构，它包括多个设置在基板上具有栅极线、数据线和公共线的多条信号线；所述数据线与所述栅极线和公共线交叉，栅极绝缘膜设置在所述数据线和所述栅极线及公共线之间，所述数据线和栅极线交叉确定像素区域；设置在所述数据线和栅极线交叉处的薄膜晶体管；公共电极和像素电极，两者都具有延伸到所述像素区域内的部分；设置在整个基板上和薄膜晶体管上的保护膜；以及至少一个焊盘结构，其包括在第一接触孔内与下焊盘电极相接触的上焊盘电极，其中所述保护膜的上表面不具有所述上焊盘电极。
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公开(公告)号：CN100345053C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200410092535.2
申请日：2004-11-04
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 本发明涉及利用水平电场的薄膜晶体管基板及其制造方法。一种用于使用水平电场的薄膜晶体管基板结构，包括：基板；由第一导电层形成在基板上且彼此平行的选通线和第一公共线；形成在基板、选通线和公共线上的栅绝缘膜；由第二导电层形成在栅绝缘膜上的数据线，其与选通线和公共线交叉，以限定像素区域；薄膜晶体管，与选通线和数据线相连接；保护膜，覆盖数据线和薄膜晶体管；由第三导电层形成并通过穿过保护膜和栅绝缘膜的孔与公共线相连接的公共电极；以及，由第二导电层形成的像素电极，其与薄膜晶体管相连接以在该像素电极与公共电极之间限定一水平电场。
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公开(公告)号：CN1614492A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410092535.2
申请日：2004-11-04
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 利用水平电场的薄膜晶体管基板及其制造方法。一种用于使用水平电场的薄膜晶体管基板结构，包括：基板；由第一导电层形成在基板上且彼此平行的选通线和第一公共线；形成在基板、选通线和公共线上的栅绝缘膜；由第二导电层形成在栅绝缘膜上的数据线，其与选通线和公共线交叉，并且栅绝缘膜位于其与选通线和公共线之间，以限定像素区域；薄膜晶体管，与选通线和数据线相连接；保护膜，覆盖数据线和薄膜晶体管；由第三导电层形成并通过穿过保护膜和栅绝缘膜的孔与公共线相连接的公共电极；以及，由第二导电层形成的像素电极，其与薄膜晶体管相连接以在该像素电极与公共电极之间限定一水平电场。
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