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公开(公告)号：CN100401140C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610082826.2
申请日：2006-06-13
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/13
Abstract: 一种修复平板显示器件的方法，该平板显示器件包括第一和第二基板，以及在第一和第二基板一个上的至少一个颗粒物，所述方法包括在该第一和第二基板中的另一个上，对应于该至少一个颗粒物形成至少一个凹槽，用树脂填充该至少一个凹槽，并用偏振紫外光照射所述树脂。
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公开(公告)号：CN100371813C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200410085639.0
申请日：2004-10-13
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F2001/136222 , G02F2001/136236
Abstract: 水平电场施加型液晶显示板及其制造方法。使用数量较少的掩模工艺来制造面内切换(IPS)型液晶显示板，该IPS型液晶显示板包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板，TFT阵列基板具有设置在数据线和选通线交叉处的TFT，用于保护TFT的保护膜，连接到TFT的像素电极，基本平行于像素电极的公共线，连接到公共线并用于与像素电极之间产生水平电场的公共电极，以及连接到选通线、数据线和/或公共线的包含透明导电材料的焊盘。滤色器阵列基板连接到TFT阵列基板，并与TFT阵列基板的一部分交叠。滤色器阵列基板与TFT阵列基板未交叠的区域中的部分保护膜被去除以露出焊盘中包含的透明导电材料。
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公开(公告)号：CN101060125A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710087382.6
申请日：2004-10-14
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362 , G02F1/1345
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括防静电装置，包括在非显示区上各自连接到信号线的多个薄膜晶体管，其特征在于，每一薄膜晶体管包括：由第一导电层形成的栅极；由第二导电层形成的源极和漏极；在源极和漏极之间限定沟道的半导体层；暴露出第一薄膜晶体管的第一导电层和第二薄膜晶体管的第二导电层的相邻部分的第一接触孔；以及在第一接触孔内由第三导电层形成的第一接触电极，连接暴露的第一导电层和暴露的第二导电层。
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公开(公告)号：CN1987557A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610082826.2
申请日：2006-06-13
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1309
Abstract: 一种修复平板显示器件的方法，该平板显示器件包括第一和第二基板，以及在第一和第二基板一个上的至少一个颗粒物，所述方法包括在该第一和第二基板中的另一个上，对应于该至少一个颗粒物形成至少一个凹槽，用树脂填充该至少一个凹槽，并用偏振紫外光照射所述树脂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1892394A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094214.5
申请日：2006-06-27
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , G09G3/36 , G02F1/1333 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
Abstract: 公开了一种简化了工艺的液晶显示器件及其制造方法。在制造该液晶显示器件的方法中，通过第一掩模工艺在基板上形成第一导电图案组，该第一导电图案组包括多层导电层形式的选通线和栅极、公共线和公共电极、像素电极和焊盘，该多层导电层具有阶梯形状并包括透明导电层。通过第二掩模工艺在第一掩模图案组上形成包括多个接触孔的绝缘膜和半导体层。在半导体层上形成包括数据线、源极和漏极的第二图案组，并对半导体层进行构图，并且通过第三掩模工艺在源极和漏极之间暴露出有源层。
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公开(公告)号：CN1892385A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094216.4
申请日：2006-06-27
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1333 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
Abstract: 公开了一种简化工艺的液晶显示器件及其制造方法。在该液晶显示器件的制造方法中，在基板上形成包括选通线和栅极、公共线和公共电极、像素电极和焊盘的第一导电图案组。在第一掩模图案组上形成半导体图案以及包括多个接触孔的绝缘膜。并且在设置有半导体图案的绝缘膜上形成包括数据线、源极和漏极并暴露出半导体图案的有源层的第二导电图案组。
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公开(公告)号：CN1790103A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510112844.6
申请日：2005-10-14
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/13 , G02F1/1362 , H01S3/02
Abstract: 本发明涉及用于修复液晶显示板的装置和方法，该装置能够通过使亮点变暗来使液晶显示板的缺陷率最小化，从而提高其成品率。根据本发明的用于修复液晶显示板的装置包括：液晶显示板，其包括在彼此相对的第一基板和第二基板的任一个上形成的修复膜，液晶层位于所述两个基板之间；和激光照射装置，用于向修复膜照射激光，以使修复膜的特定区域变暗，该区域与液晶显示板中出现亮点的区域相对应。
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公开(公告)号：CN1607445A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410085639.0
申请日：2004-10-13
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F2001/136222 , G02F2001/136236
Abstract: 水平电场施加型液晶显示板及其制造方法。使用数量较少的掩模工艺来制造面内切换(IPS)型液晶显示板，该IPS型液晶显示板包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板，TFT阵列基板具有设置在数据线和选通线交叉处的TFT，用于保护TFT的保护膜，连接到TFT的像素电极，基本平行于像素电极的公共线，连接到公共线并用于与像素电极之间产生水平电场的公共电极，以及连接到选通线、数据线和/或公共线的包含透明导电材料的焊盘。滤色器阵列基板连接到TFT阵列基板，并与TFT阵列基板的一部分交叠。滤色器阵列基板与TFT阵列基板未交叠的区域中的部分保护膜被去除以露出焊盘中包含的透明导电材料。
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公开(公告)号：CN1514295A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN200310113697.5
申请日：2003-11-19
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13458 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , H01L27/1214 , H01L29/66765
Abstract: 一种液晶显示装置的制造方法包括：在第一基板上形成一栅极线、一栅极焊盘和一栅极；在栅极线、栅极和栅极焊盘上形成一栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成一有源层；在有源层上形成一欧姆接触层；在欧姆接触层上形成一数据线、一数据焊盘和源极与漏极；形成一接触漏极的像素电极；在包括像素电极的基板上形成一钝化层；在第二基板上形成一公共电极；粘结第一基板和第二基板，以使像素电极和公共电极彼此面对；将液晶材料注入第一基板与第二基板之间；以及在不形成接触孔的情况下暴露栅极焊盘和数据焊盘。
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