硅结晶设备
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1637543A

    公开(公告)日:2005-07-13

    申请号:CN200410081682.X

    申请日:2004-12-24

    Inventor: 郑允皓

    Abstract: 一种硅结晶设备,包括:激光束源,用于发射激光束;投射单元,用于会聚并改变来自所述激光束源的激光束图案;装/卸基板的载台;反射镜,用于将来自所述投射单元的激光束偏转到基板之外;以及冷却装置,用于接收被所述反射镜偏转的激光束,并散发由所接收的激光束产生的热量。从而在基板装载完成之前预热投射镜,或在基板结晶之后截断照射到基板上的激光束。

    用于连续横向固化的掩模和采用它的结晶方法

    公开(公告)号:CN1514304A

    公开(公告)日:2004-07-21

    申请号:CN03137474.3

    申请日:2003-06-25

    Inventor: 郑允皓

    Abstract: 一种用于形成多晶硅层的方法,包括:在非晶硅层上设置一掩模,所述的掩模具有多个透射区,多个透射区沿着第一方向和基本上与第一方向垂直的第二方向以阶梯排列的方式相互间隔设置,每一个透射区有一中央部分和第一侧部分与第二侧部分,第一侧部分和第二侧部分在第一方向上与中央部分的相对的两端相邻,其中每一部分在第一方向上有一长度而在第二方向上有一宽度,并且其中第一部分和第二部分的宽度沿着第一方向从中央部分开始向外减小;第一次通过掩模将一激光束照射到非晶硅层上,形成与多个透射区对应的多个第一照射区,每一个第一照射区有一中央部分以及在中央部分两侧的第一侧部分和第二侧部分;将衬底和掩模彼此相对移动,以使每一个透射区的第一侧部分与每一个第一照射区的中央部分重叠;通过掩模第二次将激光束照射到非晶硅层上,形成与多个透射区对应的多个第二照射区。

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