液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101097331A

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN200610145256.7

    申请日:2006-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种用于制造液晶显示器件的方法,其包括提供划分为第一区域和第二区域的像素部分和电路部分的第一基板;在所述像素部分和所述电路部分上形成有源图案和第一栅绝缘薄膜并且在所述像素部分的所述有源图案的一定上部上形成存储电极;在所述第一基板上形成第二栅绝缘薄膜;在所述第一区域的电路部分处形成栅极并且在所述第一区域的所述电路部分的有源图案的一定区域处形成p+源区和p+漏区;在所述第二区域的所述像素部分和电路部分处形成栅极,并且在所述像素部分处形成公共线;在所述第二区域的所述像素部分和所述电路部分的有源图案的一定区域处形成n+源区和n+漏区;以及将所述第一基板和第二基板相互粘接。

    液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101097332A

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN200610149826.X

    申请日:2006-10-25

    Inventor: 金荣柱 李锡宇

    CPC classification number: G02F1/136227

    Abstract: 本发明公开一种制造液晶显示器件的方法。在第一基板的像素区域、第一和第二电路区域上分别形成有源图案而在像素区域的有源图案上形成存储电极。形成第一绝缘层、第一和第二导电层。构图第一电路区域中的第一和第二导电层以由第二导电层形成第一栅极,并且向第一电路区域的有源区注入p+离子形成p+源/漏区。构图第一和第二导电层以在第二电路区域中由第二导电层形成第二栅极,在像素区域中由第二导电层形成公共线以及在像素区域中由第一导电层形成像素电极。N+源/漏区形成在像素区域和第二电路区域每个的有源图案中。第一和第二中间绝缘层中形成有接触孔,源极和漏极经由接触孔电连接至第一和第二电路区域的有源图案的源区和漏区。

    液晶显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN101097370A

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN200610172282.9

    申请日:2006-12-30

    Inventor: 李锡宇 金荣柱

    Abstract: 本发明提供液晶显示器及其制造方法。该液晶显示器的制造方法包括以下步骤:制备限定了分为薄膜晶体管区和存储区的像素部分的绝缘基板;在基板的整个表面上顺序地形成多晶硅膜和存储电极膜;对存储电极膜和多晶硅膜选择性地进行构图,以形成覆盖像素部分的像素图案;以及从像素图案选择性地去除薄膜晶体管区的存储电极膜,以在存储区中形成存储电极并同时在薄膜晶体管区中形成有源层,该有源层是由被存储电极暴露的多晶硅膜形成的。由于通过使用单个掩模的衍射曝光来形成有源层和存储电极,因此可以减少在制造薄膜晶体管的过程中使用的掩模的数量,以减少制造工艺步骤和制造成本。

Patent Agency Ranking