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公开(公告)号:CN101097331A
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200610145256.7
申请日:2006-11-24
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1333 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , G02F2202/104 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/4908
Abstract: 本发明公开了一种用于制造液晶显示器件的方法,其包括提供划分为第一区域和第二区域的像素部分和电路部分的第一基板;在所述像素部分和所述电路部分上形成有源图案和第一栅绝缘薄膜并且在所述像素部分的所述有源图案的一定上部上形成存储电极;在所述第一基板上形成第二栅绝缘薄膜;在所述第一区域的电路部分处形成栅极并且在所述第一区域的所述电路部分的有源图案的一定区域处形成p+源区和p+漏区;在所述第二区域的所述像素部分和电路部分处形成栅极,并且在所述像素部分处形成公共线;在所述第二区域的所述像素部分和所述电路部分的有源图案的一定区域处形成n+源区和n+漏区;以及将所述第一基板和第二基板相互粘接。
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公开(公告)号:CN100343954C
公开(公告)日:2007-10-17
申请号:CN200410062536.2
申请日:2004-06-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor: 金荣柱
IPC: H01L21/20 , H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/336 , G02F1/136 , G09G3/00
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L23/544 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L2223/5442 , H01L2223/54473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制作晶体硅层的方法,包括在具有第一区域和位于第一区域外围的第二区域的基板上形成非晶硅半导体层;通过把激光束照射到第二区域的半导体层上而形成至少一个凹形对准键;使用该至少一个对准键对第一区域的半导体层进行结晶处理。
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公开(公告)号:CN1936660A
公开(公告)日:2007-03-28
申请号:CN200610087174.1
申请日:2006-06-15
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F2201/40 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L29/78633
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示装置(LCD)及其制造方法。该LCD装置及其制造方法直接将遮蔽装置形成在阵列基板上而不是形成在与该阵列基板相对的滤色片基板上。
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公开(公告)号:CN1577011A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN200410046199.8
申请日:2004-06-02
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1285 , H01L29/78603 , H01L29/78675
Abstract: 用于液晶(LCD)显示器的阵列基板的制造方法,包括:在具有显示区和包围显示区的非显示区的基板上形成对准键;对准键上形成非晶硅层;用对准键作基准,结晶非晶硅层的预定部分;用对准键作基准,对非晶硅层进行构图,形成多晶硅层,其中,多晶硅层用非晶硅层的预定部分形成;在半导体层上形成栅绝缘层;用对准键作基准,在栅绝缘层上形成栅极;在栅极上形成隔层绝缘层和在隔层绝缘层上形成源极和漏极。
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公开(公告)号:CN101097369A
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200610168757.7
申请日:2006-12-18
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/02 , H01L23/522
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136213 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示装置及其制造方法,其通过由一个掩模工艺形成源极/漏极和像素电极并略去用于像素电极的接触孔掩模工艺来减少掩模数量,可以使制造工艺简化,并且其可以通过由衍射曝光形成有源图案和存储电极来在不增加掩模工艺的情况下增加存储电容器的电容。因此,减少了用于形成TFT的掩模数量以简化制造工艺并削减生产成本。并且由于减小了像素中的存储电容器的面积,因此可以提高孔径比。
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公开(公告)号:CN101097332A
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200610149826.X
申请日:2006-10-25
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136227
Abstract: 本发明公开一种制造液晶显示器件的方法。在第一基板的像素区域、第一和第二电路区域上分别形成有源图案而在像素区域的有源图案上形成存储电极。形成第一绝缘层、第一和第二导电层。构图第一电路区域中的第一和第二导电层以由第二导电层形成第一栅极,并且向第一电路区域的有源区注入p+离子形成p+源/漏区。构图第一和第二导电层以在第二电路区域中由第二导电层形成第二栅极,在像素区域中由第二导电层形成公共线以及在像素区域中由第一导电层形成像素电极。N+源/漏区形成在像素区域和第二电路区域每个的有源图案中。第一和第二中间绝缘层中形成有接触孔,源极和漏极经由接触孔电连接至第一和第二电路区域的有源图案的源区和漏区。
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公开(公告)号:CN1601700A
公开(公告)日:2005-03-30
申请号:CN200410062536.2
申请日:2004-06-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor: 金荣柱
IPC: H01L21/20 , H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/336 , G02F1/136 , G09G3/00
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L23/544 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L2223/5442 , H01L2223/54473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制作晶体硅层的方法,包括在具有第一区域和位于第一区域外围的第二区域的基板上形成非晶硅半导体层;通过把激光束照射到第二区域的半导体层上而形成至少一个凹形对准键;使用该至少一个对准键对第一区域的半导体层进行结晶处理。
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公开(公告)号:CN101097370A
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200610172282.9
申请日:2006-12-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供液晶显示器及其制造方法。该液晶显示器的制造方法包括以下步骤:制备限定了分为薄膜晶体管区和存储区的像素部分的绝缘基板;在基板的整个表面上顺序地形成多晶硅膜和存储电极膜;对存储电极膜和多晶硅膜选择性地进行构图,以形成覆盖像素部分的像素图案;以及从像素图案选择性地去除薄膜晶体管区的存储电极膜,以在存储区中形成存储电极并同时在薄膜晶体管区中形成有源层,该有源层是由被存储电极暴露的多晶硅膜形成的。由于通过使用单个掩模的衍射曝光来形成有源层和存储电极,因此可以减少在制造薄膜晶体管的过程中使用的掩模的数量,以减少制造工艺步骤和制造成本。
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公开(公告)号:CN1637484A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN200410091702.1
申请日:2004-11-25
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L21/0268 , B01D9/0036 , B01D9/0063 , B23K26/066 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 本发明公开了一种连续横向结晶(SLS)装置和用它结晶硅的方法,其中用具有多个不同图案的掩模在基板上形成对准键,并且根据掩模与对准键之间的距离信息按平行于连接相邻对准键的虚线的方向进行结晶。所述SLS装置包括发射激光束的激光束发生器;具有多个区的掩模;移动其上承载的掩模的掩模工作台,使激光束穿过掩模的选择区;和基板工作台,移动其上承载的基板,改变穿过掩模的激光束照射的基板部分。
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公开(公告)号:CN100340911C
公开(公告)日:2007-10-03
申请号:CN200410046199.8
申请日:2004-06-02
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1285 , H01L29/78603 , H01L29/78675
Abstract: 用于液晶(LCD)显示器的阵列基板的制造方法,包括:在具有显示区和包围显示区的非显示区的基板上形成对准键;对准键上形成非晶硅层;用对准键作基准,结晶非晶硅层的预定部分;用对准键作基准,对非晶硅层进行构图,形成多晶硅层,其中,多晶硅层用非晶硅层的预定部分形成;在半导体层上形成栅绝缘层;用对准键作基准,在栅绝缘层上形成栅极;在栅极上形成隔层绝缘层和在隔层绝缘层上形成源极和漏极。
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