公开(公告)号：EP0634028A1

公开(公告)日：1995-01-18

申请号：EP93912115.0

申请日：1993-03-29

Applicant: MicroUnity Systems Engineering, Inc.

Inventor： CHEN, Jang, Fung ,  MATTHEWS, James, A.

IPC: G03F7 ,  H01L21

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F7/2022

Abstract: A method of printing a sub-resolution device feature (16) having first and second edges spaced in close proximity to one another on a semiconductor substrate (20) includes the steps of first depositing a radiation-sensitive material on the substrate, then providing a first mask image segment (11) which corresponds to the first edge. The first mask image segment is then exposed with radiation (10) using an imaging tool (12) to produce a first pattern edge gradient (14). The first pattern edge gradient defines the first edge of the feature in the material. A second mask image segment (13) is then provided corresponding to the second feature edge. This second mask image segment is exposed to radiation (10) to produce a second pattern edge gradient (17) which defines the second edge of the feature. Once the radiation-sensitive material has been developed, the two-dimensional feature is reproduced on the substrate.

公开(公告)号：EP0744044A1

公开(公告)日：1996-11-27

申请号：EP95909535.0

申请日：1995-02-09

Applicant: MicroUnity Systems Engineering, Inc.

Inventor： CHEN, Jang, Fung ,  MATTHEWS, James, A.

IPC: G03F1 ,  G03F7

CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70433

Abstract: In a lithographical tool utilizing off-axis illumination, masks to provide increased depth of focus and minimize CD differences between certain features are disclosed. A first mask for reducing proximity effects between isolated and densely packed features and increasing depth of focus (DOF) of isolated features is disclosed. The first mask comprises additional lines (214) referred to as scattering bars, disposed next to isolated edges. The bars are spaced a distance from isolated edges such that isolated and densely packed edge gradients substantially match so that proximity effects become negligible. The width of the bars is set so that a maximum DOF range for the isolated feature is achieved. A second mask, that is effective with quadrupole illumination only, is also disclosed. This mask 'boosts' intensity levels and consequently DOF ranges for smaller square contacts so that they approximate intensity levels and DOF ranges of larger elongated contacts. Increasing the intensity levels in smaller contacts reduces critical dimension differences between variably sized contact patterns when transferred to a resist layer. The second mask comprises additional openings, referred to as anti-scattering bars, disposed about the square contact openings. The amount of separation between the edge of the smaller contact and the anti-scattering bars determines the amount of increased intensity. The width of the anti-scattering bars determines the amount of increase in DOF range. Both scattering bar and anti-scattering bars are designed to have widths significantly less than the resolution of the exposure tool so that they do not produce a pattern during exposure of photoresist.

公开(公告)号：EP0620931A1

公开(公告)日：1994-10-26

申请号：EP93903571.0

申请日：1993-01-15

Applicant: MicroUnity Systems Engineering, Inc.

Inventor： CHEN, Jang, Fung ,  MATTHEWS, James, A.

IPC: G03F1 ,  G03F7 ,  G03F9 ,  H01L21

CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441

Abstract: Est décrit un perfectionnement pour réduire les effets de proximité, consistant à ajouter, dans le motif de masque, des lignes minces appelées barres d'égalisation d'intensité. Ces barres d'égalisation ont pour fonction d'ajuster les gradients d'intensité des bords isolés du motif de masque, afin qu'ils correspondent aux gradients d'intensité des bords très rapprochés. Ces barres d'égalisation sont placées parallèlement aux bords isolés de telle manière que l'égalisation des gradients d'intensité s'effectue sur tous les bords isolés du motif de masque. En outre, les barres d'égalisation sont destinées à présenter une largeur notablement inférieure à la résolution de l'outil de sensibilisation. Par conséquent, lesdites barres qui sont présentes dans le motif de masque produisent des motifs de résist qui disparaissent complètement au dléveloppement lorsqu'une énergie de sensibilisation nominale est utilisée pendant l'exposition du photorésist.

公开(公告)号：EP0628226A1

公开(公告)日：1994-12-14

申请号：EP93907156.0

申请日：1993-02-23

Applicant: MICROUNITY SYSTEMS ENGINEERING, INC.

Inventor： ROSSEEL, Geert ,  HERNDON, William, H. ,  MATTHEWS, James, A.

IPC: H03K19 ,  H03K17

CPC classification number: H03K19/086 ,  H03K17/14 ,  H03K17/567 ,  H03K17/603 ,  H03K19/09448

Abstract: Circuit logique BICMOS amélioré (70) utilisant une paire de transistors bipolaires (21, 22) à couplage par émetteurs pour comparer de manière différentielle un signal d'entrée (Vin) et un niveau de référence logique (VBIAS). Chaque transistor bipolaire est chargé de manière résistive par un réseau de transistors (26, 27) à semiconducteur à grille isolée par oxyde métallique à canal P (PMOS) couplés en parallèle. La grille d'au moins une des combinaisons parallèles de transistors est couplée à un signal de commande (VREF2) fournissant une résistance de charge variable. De préférence, le signal de commande est fourni par un réseau de retour (52, 53) servant à maintenir à une valeur constante l'excursion de tension constante dans le réseau, malgré les variations de température.

公开(公告)号：EP0609351A1

公开(公告)日：1994-08-10

申请号：EP92922539.0

申请日：1992-10-19

Applicant: MicroUnity Systems Engineering, Inc.

Inventor： MATTHEWS, James, A.

IPC: H01L29 ,  H01L21

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/36 ,  H01L29/732 ,  Y10S148/01

Abstract: Transistor bipolaire possédant un émetteur (25), une base (31) et un collecteur (30). Il comprend une zone de base intrinsèque (33) à zones latérales étroites (p-) et à zone centrale plus large (37). Les zones latérales sont contiguës à la zone dopée (31), et la zone centrale (37) se trouve sous l'émetteur (25). Le profil de dopage latéral de la base est tel que les concentrations de dopage dans la zone dopée (31) et la zone centrale (37) sont relativement élevées par rapport à celles dans les zones latérales étroites (p-) de la base intrinsèque (33). L'association des zones latérales étroites (p-) au profil de dopage latéral de la base limite l'étendue de la zone de déplétion à l'intérieur de la base, ce qui assure une réduction de la tension de claquage du transistor sans entraîner une perte du gain en courant.

公开(公告)号：EP0620931B1

公开(公告)日：1999-04-14

申请号：EP93903571.3

申请日：1993-01-15

Applicant: MicroUnity Systems Engineering, Inc.

Inventor： CHEN, Jang, Fung ,  MATTHEWS, James, A.

IPC: G03F9/00 ,  G03F1/14

CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441

公开(公告)号：EP0634028B1

公开(公告)日：1998-07-22

申请号：EP93912115.8

申请日：1993-03-29

Applicant: MicroUnity Systems Engineering, Inc.

Inventor： CHEN, Jang, Fung ,  MATTHEWS, James, A.

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F7/2022

公开(公告)号：EP0628215A1

公开(公告)日：1994-12-14

申请号：EP93905013.0

申请日：1993-02-10

Applicant: MicroUnity Systems Engineering, Inc.

Inventor： MATTHEWS, James, A.

IPC: H01L29 ,  H01L21

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0826 ,  Y10S257/927

Abstract: Un transistor bipolaire à jonctions (TBJ) à effet Kirk supprimé comprend une région collectrice (11) de type n légèrement dopée formée sur une couche n+ (12) plus fortement dopée. Directement sur le collecteur se trouve une base de type p présentant une région extrinsèque (17) disposée latéralement autour d'une région intrinsèque (18). Un émetteur n+ (20) est positionné directement au-dessus de la région de base intrinsèque. Le TBJ comprend également une région n+ (15) localisée située directement au-dessous de la région de base intrinsèque, laquelle accroît significativement les capacités de traitement de courant du transistor.