公开(公告)号：EP2548995A4

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：EP11756381

申请日：2011-03-17

Applicant: NAT INST OF ADVANCED IND SCIEN

Inventor： KIM JAEHO ,  ISHIHARA MASATOU ,  KOGA YOSHINORI ,  TSUGAWA KAZUO ,  HASEGAWA MASATAKA ,  IIJIMA SUMIO ,  YAMADA TAKATOSHI

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/511 ,  C23C16/54 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C16/511 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/188 ,  C23C16/26 ,  C23C16/545 ,  H01B1/04

公开(公告)号：EP1997620A4

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：EP07738668

申请日：2007-03-15

Applicant: NAT INST OF ADVANCED IND SCIEN

Inventor： HASEGAWA MASATAKA ,  TSUGAWA KAZUO ,  ISHIHARA MASATOU ,  KOGA YOSHINORI

IPC: B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  C23C16/26

CPC classification number: B32B9/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/269

公开(公告)号：GB2506024A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：GB201319526

申请日：2012-05-01

Applicant: NAT INST OF ADVANCED IND SCIEN

Inventor： ISHIHARA MASATOU ,  YAMADA TAKATOSHI ,  KOGA YOSHINORI ,  HASEGAWA MASATAKA ,  KIM JAEHO

IPC: C01B31/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: The invention addresses the problem of prior methods, which formed a binder layer on a graphene film, that the shape of the substrate surface was transferred to the graphene layer. The purpose is to provide a technique for forming less cloudy, highly transparent electrically conductive film laminates. The invention solves the problem, in methods that produce transparent electrically conductive carbon films by forming a transparent electrically conductive carbon film on a film-forming substrate using the CVD method and then removing said film-forming substrate from said transparent electrically conductive carbon film, by preparing a film having an adhesive surface and providing a process of gluing the adhesive surface of said film to a portion and/or all of the surface of the transparent electrically conductive carbon film prior to removal of the film-forming substrate.

公开(公告)号：DE112011103476T5

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE112011103476

申请日：2011-10-12

Applicant: NAT INST OF ADVANCED IND SCIEN

Inventor： YAMADA TAKATOSHI ,  HASEGAWA MASATAKA ,  TSUGAWA KAZUO ,  KIM JAEHO ,  ISHIHARA MASATOU ,  KOGA YOSHINORI

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

Abstract: Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein SOI-Substrat für Leistungshalbleiterbauteile bereitzustellen, welches gleichzeitig das Problem von herkömmlichen SOI-Substraten, die einen Kohlenstoff-Film als isolierende Schicht (I-Schicht) verwenden, und das Problem der Diamantsynthese durch HFCVD löst. Die Erfindung stellt ein SOI-Substrat für Leistungshalbleiterbauteile mit guten Isolationseigenschaften und guter Wärmeleitfähigkeit bereit, indem eine I-Schicht genommen wird, die eine Hybridstruktur aus einem Kohlenstoff-Film und einem mikrokristallinen Diamantfilm hat, und vorzugsweise eine I-Schicht hat, in der ein Siliziumoxid-Film (SiO2-Film) zwischen dem Silizium-Substrat und dem Kohlenstoff-Film vorgesehen ist.

公开(公告)号：DE60035747D1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：DE60035747

申请日：2000-08-30

Applicant: NAT INST OF ADVANCED IND SCIEN ,  JAPAN SCIENCE & TECH AGENCY

Inventor： TAKEUCHI DAISUKE ,  WATANBE HIDEYUKI ,  OKUSHI HIDEYO ,  HASEGAWA MASATAKA ,  OGURA MASAHIKO ,  KOBAYASHI NAOTO ,  KAJIMURA KOJI ,  YAMANAKA SADANORI

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/329 ,  H01L29/16 ,  H01L29/861 ,  H01L31/10 ,  H01L33/34 ,  H01L33/40 ,  H01S3/16 ,  H01S5/30

公开(公告)号：DE60035747T2

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：DE60035747

申请日：2000-08-30

Applicant: NAT INST OF ADVANCED IND SCIEN ,  JAPAN SCIENCE & TECH AGENCY

Inventor： TAKEUCHI DAISUKE ,  WATANBE HIDEYUKI ,  OKUSHI HIDEYO ,  HASEGAWA MASATAKA ,  OGURA MASAHIKO ,  KOBAYASHI NAOTO ,  KAJIMURA KOJI ,  YAMANAKA SADANORI

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/329 ,  H01L29/16 ,  H01L29/861 ,  H01L31/10 ,  H01L33/34 ,  H01L33/40 ,  H01S3/16 ,  H01S5/30