公开(公告)号：GB2506024A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：GB201319526

申请日：2012-05-01

Applicant: NAT INST OF ADVANCED IND SCIEN

Inventor： ISHIHARA MASATOU ,  YAMADA TAKATOSHI ,  KOGA YOSHINORI ,  HASEGAWA MASATAKA ,  KIM JAEHO

IPC: C01B31/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: The invention addresses the problem of prior methods, which formed a binder layer on a graphene film, that the shape of the substrate surface was transferred to the graphene layer. The purpose is to provide a technique for forming less cloudy, highly transparent electrically conductive film laminates. The invention solves the problem, in methods that produce transparent electrically conductive carbon films by forming a transparent electrically conductive carbon film on a film-forming substrate using the CVD method and then removing said film-forming substrate from said transparent electrically conductive carbon film, by preparing a film having an adhesive surface and providing a process of gluing the adhesive surface of said film to a portion and/or all of the surface of the transparent electrically conductive carbon film prior to removal of the film-forming substrate.

公开(公告)号：DE112011103476T5

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE112011103476

申请日：2011-10-12

Applicant: NAT INST OF ADVANCED IND SCIEN

Inventor： YAMADA TAKATOSHI ,  HASEGAWA MASATAKA ,  TSUGAWA KAZUO ,  KIM JAEHO ,  ISHIHARA MASATOU ,  KOGA YOSHINORI

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

Abstract: Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein SOI-Substrat für Leistungshalbleiterbauteile bereitzustellen, welches gleichzeitig das Problem von herkömmlichen SOI-Substraten, die einen Kohlenstoff-Film als isolierende Schicht (I-Schicht) verwenden, und das Problem der Diamantsynthese durch HFCVD löst. Die Erfindung stellt ein SOI-Substrat für Leistungshalbleiterbauteile mit guten Isolationseigenschaften und guter Wärmeleitfähigkeit bereit, indem eine I-Schicht genommen wird, die eine Hybridstruktur aus einem Kohlenstoff-Film und einem mikrokristallinen Diamantfilm hat, und vorzugsweise eine I-Schicht hat, in der ein Siliziumoxid-Film (SiO2-Film) zwischen dem Silizium-Substrat und dem Kohlenstoff-Film vorgesehen ist.