公开(公告)号：WO2014049064A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/070086

申请日：2013-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIEKMANN, Karsten ,  FARRNBACHER, Jörg ,  GSCHLÖSSL, Stefan ,  GÄRDITZ, Christoph ,  KRISTUKAT, Christian ,  KRUMMACHER, Benjamin ,  LANG, Erwin ,  WEHLUS, Thomas

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5044 ,  H01L27/3209 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5275

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (200, 300) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement (200, 300) aufweisend: eine erste optoelektronische Bauelemente-Einheit (202, 302), eingerichtet zum Aufnehmen oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung eines ersten Farbortes, und eine zweite optoelektronische Bauelemente-Einheit (204, 304), eingerichtetzum Aufnehmen oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung eines zweiten Farbortes; wobei die erste optoelektronische Bauelemente-Einheit (202, 302) im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der zweiten optoelektronischen Bauelemente-Einheit (204, 304) angeordnet ist oder wobei die zweite optoelektronische Bauelemente-Einheit (204, 304) im Strahlengang elektromagnetischer Strahlung der ersten optoelektronischen Bauelemente-Einheit (202, 302) angeordnet ist derart, dass die elektromagnetische Strahlung des ersten Farbortes mit der elektromagnetischen Strahlung des zweiten Farbortes gemischt wird; und wobei der Farbort der elektromagnetischen Strahlung (212, 312, 314), die von dem optoelektronischen Bauelement (200, 300) aufgenommen oder bereitgestellt wird, in dem Farbraum angeordnet ist, der von dem ersten Farbort und dem zweiten Farbort aufgespannt wird.

Abstract translation: 在各种实施例中，光电子器件（200，300）被提供，光电子器件（200，300），包括：适于接收或提供具有第一颜色图和一个的电磁辐射的第一光电器件单元（202，302） 第二光电器件单元（204，304）eingerichtetzum接收或提供第二颜色图的电磁辐射; 其中或者所述第一光电元件部（202，302）被布置在第二光电子部件单元（204，304）的电磁辐射的光束路径，其中在第一光电的电磁辐射的光束路径中的第二光电器件单元（204，304） 组件部（202，302）被布置为使得所述第一色彩映射到第二色彩映射的电磁辐射的电磁辐射是混合; 且其中添加或所提供的电磁辐射（212，312，314），这是光电子器件的颜色位置（200，300），设置在所述色空间，其由所述第一轨迹和所述第二轨迹跨越。

公开(公告)号：WO2014049043A2

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/070049

申请日：2013-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LANG, Erwin ,  SCHWAMB, Philipp

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H05K1/18 ,  G01N27/045 ,  H01L51/5203 ,  H01L2251/303 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/32 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/4913

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Bearbeiten einer Vorrichtung mit wenigstens einer elektrischen Schichtenstruktur (208, 308, 408) bereitgestellt, wobei die elektrische Schichtenstruktur (208, 308, 408) eine dielektrische Schicht (202, 304, 404) in einem körperlichen Kontakt mit einer elektrisch leitfähigen Schicht (110, 204, 302, 402) aufweist und die elektrische Schichtenstruktur (208, 308, 408) eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist, das Verfahren aufweisend: Ausbilden einer elektrischen Verbindung mit der dielektrischen Schicht (202, 304, 404) der elektrischen Schichtenstruktur (208, 308, 408); Ausbilden eines elektrischen Spannungsverlaufes an der elektrischen Verbindung derart, dass eine zweite elektrische Leitfähigkeit ausgebildet wird; wobei die zweite elektrische Leitfähigkeit größer ist als die erste elektrische Leitfähigkeit; und wobei die elektrische Schichtenstruktur (208, 308, 408) nach dem Abbau des elektrischen Spannungsverlaufes die zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist.

Abstract translation:

在各种示例性导航用途将指导实例中，用于处理具有至少一个电层结构（208，308，408）的装置的方法提供，其特征在于，所述电层结构（208，308，408）的介电层（202 ，304，404）在K＆ouml;具有ELIGIBLE层（110，204，302，402），并具有第一导电性BEAR电层结构（208，308，408）;用导电＆AUML能力rperlichen接触已，所述方法包括 ：形成与所述电层结构（208,308,408）的介电层（202,304,404）的电连接; 在电连接处形成电压波形，使得形成第二电导率; 其中所述第二电导率大于所述第一电导率; 并且其中在去除所述电压分布之后，所述电层结构（208,308,408）具有所述第二电导率

公开(公告)号：WO2014005766A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：PCT/EP2013/060963

申请日：2013-05-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LANG, Erwin ,  SCHMID, Günter

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5012 ,  H01L51/5068 ,  H01L51/5084 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5278

Abstract: Es wird ein organisches Licht emittierendes Bauelement angegeben mit einem Substrat (1), auf dem ein organischer funktioneller Schichtenstapel (9) zwischen zwei Elektroden (2, 6, 10) angeordnet ist, von denen zumindest eine Elektrode (2, 6, 10) transluzent ausgebildet ist, wobei der organische funktionelle Schichtenstapel (9) zumindest eine Licht emittierende Schicht (4, 41, 42) und unmittelbar angrenzend an zumindest eine der Elektroden (2, 6, 10) eine ladungserzeugende Schicht (30, 50, 90) aufweist, die durch einen Tunnelübergang gebildet wird.

Abstract translation: 具有：基板（1），其上的两个电极（2,6，10）之间的有机功能层堆（9）被布置，其中至少一个电极（2,6，10）的半透明的有机发光器件 形成，其中，所述有机功能层堆（9）的至少一个发光层（4，41，42）和紧邻所述电极中的至少一个（2,6，10）的电荷产生层（30，50，90）， 由隧道结形成。

公开(公告)号：WO2013053517A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：PCT/EP2012/066203

申请日：2012-08-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LANG, Erwin ,  SETZ, Daniel Steffen

Inventor： LANG, Erwin ,  SETZ, Daniel Steffen

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5275 ,  H01L51/0031 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5278 ,  H01L51/5281 ,  H01L51/5296 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/5369 ,  H01L2251/55

Abstract: Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein lichtemittierendes Bauelement (100) bereitgestellt, aufweisend: einen elektrisch aktiven Bereich (106), aufweisend: eine erste Elektrode (108), eine zweite Elektrode (112), und eine organische funktionelle Schichtenstruktur (110) zwischen der ersten Elektrode (108) und der zweiten Elektrode (112); eine Abdeckung (126), die über dem elektrisch aktiven Bereich (106) angeordnet ist; und eine zwischen der Abdeckung (126) und dem elektrisch aktiven Bereich (106) angeordnete Zwischenschichtstruktur (122) mit mindestens einer Schicht, wobei die mindestens eine Schicht einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung (126).

Abstract translation: 用于制造发光器件在各个实施例的发光器件和方法的光，提供了一种发光器件（100），包括：电活性区（106），包括：第一电极（108），第二电极（112），和有机 所述第一电极（108）和第二电极（112）之间的功能层结构（110）; 一个盖（126）设置在所述电有源区（106）; 和所述盖（126）和所述电有源区（106）之间设置在具有至少一层的中间层结构（122），所述至少一个层的折射率比所述盖（126）的折射率小。

公开(公告)号：WO2013007485A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：PCT/EP2012/061794

申请日：2012-06-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  DOBBERTIN, Thomas ,  LANG, Erwin ,  REUSCH, Thilo ,  SETZ, Daniel, Steffen

Inventor： DOBBERTIN, Thomas ,  LANG, Erwin ,  REUSCH, Thilo ,  SETZ, Daniel, Steffen

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5268 ,  H01L51/5265 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/53 ,  H01L2251/56

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein organisches lichtemittierendes Bauelement (200) bereitgestellt. Das organische lichtemittierende Bauelement (200) kann aufweisen eine erste transluzente Elektrode (204); eine organische lichterzeugende Schichtenstruktur (206) auf oder über der ersten Elektrode (204); eine zweite transluzente Elektrode (212) auf oder über der organischen lichterzeugenden Schichtenstruktur (206); eine optisch transluzente Schichtenstruktur (214) auf oder über der zweiten Elektrode (212) und eine Spiegel-Schichtenstruktur (216) auf oder über der optisch transluzenten Schicht (214), wobei die Spiegel-Schichtenstruktur (216) eine lichtstreuende Struktur (218) auf der zu der optisch transluzenten Schichtenstruktur (214) liegenden Seite der Spiegel-Schichtenstruktur (216) aufweist.

Abstract translation: 在各种实施例中，有机发光装置（200）被提供。 的有机发光装置（200）可以包括第一透光性电极（204）; 上或所述第一电极（204）上方的有机光产生层结构（206）; 上或在有机发光层结构（206）上方的第二透光性电极（212）; 上或所述第二电极（212）和上或光学半透明层（214）上方的反射镜层结构（216），上述的光学半透明的层结构（214），其中，所述反射镜层结构（216）的光扩散结构（218），以 要躺在镜层结构（216）的侧上的光学半透明的层结构（214）。

公开(公告)号：WO2013000797A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：PCT/EP2012/061892

申请日：2012-06-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BAISL, Richard ,  BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  FISCHER, Doreen ,  KRUMMACHER, Benjamin ,  LANG, Erwin ,  SCHLENKER, Tilmann ,  SCHMID, Christian

Inventor： BAISL, Richard ,  BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  FISCHER, Doreen ,  KRUMMACHER, Benjamin ,  LANG, Erwin ,  SCHLENKER, Tilmann ,  SCHMID, Christian

IPC: H01L51/52 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5256

Abstract: Eine Verkapselungsstruktur (300) für ein optoelektronisches Bauelement (400) weist auf: eine Dünnschichtverkapselung (301) zum Schutz des optoelektronischen Bauelements vor chemischen Verunreinigungen, eine auf der Dünnschichtverkapselung ausgebildete Klebeschicht (302) und eine auf der Klebeschicht ausgebildete Deckschicht (303) zum Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischer Beschädigung.

Abstract translation: 用于光电装置（400）的包装结构（300）包括：用于光电子器件的化学杂质的保护薄膜封装（301），形成在薄膜封装粘合剂层（302）和形成在粘合剂层覆盖层（303）上的凹部，以保护上的电极 薄膜封装和/或免受机械损伤的光电子器件。

公开(公告)号：WO2012034765A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：PCT/EP2011/062969

申请日：2011-07-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BECKER, Dirk ,  LANG, Erwin ,  REUSCH, Thilo

Inventor： BECKER, Dirk ,  LANG, Erwin ,  REUSCH, Thilo

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/56 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5234

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Herstellen eines elektronischen Bauelements (240) kann aufweisen ein Aufbringen (102) einer Elektroden-Aufwachsschicht (226) auf oder über einer Schichtenstruktur mittels eines Atomlagendeposition- Verfahrens; und ein Aufbringen (104) einer Elektrode (232) auf der Elektroden-Aufwachsschicht (226).

Abstract translation: 一种用于制造电子设备（240）可以包括施加方法（100）（102）上或通过一个方法Atomlagendeposition-的层结构上方的电极生长层（226）; 以及沉积（104）中的电极生长层（226）上的电极（232）。

公开(公告)号：WO2011012461A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：PCT/EP2010/060250

申请日：2010-07-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  REUSCH, Thilo ,  LANG, Erwin

Inventor： BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  REUSCH, Thilo ,  LANG, Erwin

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L2251/558

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement (100), das ein Substrat (1), wenigstens eine auf dem Substrat (1) angeordnete, erste Elektrode (3) und auf der dem Substrat (1) zugewandten Seite der Elektrode (3) eine Aufwachsschicht (7), aufweist, wobei die auf der Aufwachsschicht (7) angeordnete Elektrode (3) eine Metallschicht (9) mit einer Dicke von kleiner oder gleich 30nm aufweist und die Aufwachsschicht (7) eine Dicke besitzt, die kleiner oder gleich 10 nm ist. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner einen elektrischen Kontakt.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括一个基片（1），基板上的至少一个（1）排列的第一电极（3）的电子部件（100）和所述衬底（1）的面向电极侧（3）是一种生长层 （7），所述（7），其布置电极在生长层上操作（3）的金属层（9），其厚度小于或等于30nm，并且所述生长层（7）具有一个厚度，该厚度小于或等于10nm ， 本发明还涉及一种电接触。

公开(公告)号：WO2009106067A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：PCT/DE2009/000279

申请日：2009-02-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LANG, Erwin ,  KLEIN, Markus ,  wittmann, Martin ,  BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  JAEGER, Arndt ,  DIEKMANN, Karsten

Inventor： LANG, Erwin ,  KLEIN, Markus ,  wittmann, Martin ,  BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  JAEGER, Arndt ,  DIEKMANN, Karsten

IPC: G09F9/33

CPC classification number: H01L51/0096 ,  H01L51/5262 ,  Y02E10/549

Abstract: Eine strahlungsemittierende Anordnung umfasst insbesondere - ein Trägerelement (1) mit einer zumindest teilweise nichttransparenten Hauptoberfläche (10) und - auf dem Trägerelement (1) angeordnet ein organisches strahlungsemittierendes Bauelement (2) mit einer organischen Schichtenfolge (23) mit einem aktiven Bereich zwischen einer zumindest teilweise transparenten ersten Elektrode (21) und einer zumindest teilweise transparenten zweiten Elektrode (22), wobei - der aktive Bereich (29) geeignet ist, in einem eingeschalteten Betriebszustand elektromagnetische Strahlung (91, 93) zu erzeugen, - die strahlungsemittierende Anordnung auf der vom Trägerelement (1) abgewandten Seite des organischen strahlungsemittierenden Bauelements (2) eine Strahlungsaustrittsfläche (3) zur Abstrahlung der elektromagnetischen Strahlung (92, 93) aufweist und - die zumindest teilweise nicht-transparente Hauptoberfläche (10) des Trägerelements (1) in einem ausgeschalteten Betriebszustand des organischen strahlungsemittierenden Bauelements (2) von einem externen Beobachter durch die Strahlungsaustrittsfläche (3) hindurch wahrnehmbar ist.

Abstract translation: 发射辐射的装置包括特别是： - （1），其具有至少部分不透明的主表面（10）和支撑构件 - （1）与有机层序列（23）与活性区域布置在至少之间的有机发射辐射的器件（2）在支撑元件上 有源区（29），其适于在电磁辐射的接通操作状态（91，93），以生成 - - 部分透明的第一电极（21）和至少部分透明的第二电极（22），其中，所述辐射发射在装配 其中有机发射辐射的器件的侧（2）（1）的面向从辐射出射表面（3），用于发射电磁辐射（92，93）的距离在承载元件和 - 载体元件（1）的在关断的操作状态的至少部分不透明的主表面（10）， 所述有机硫 通过辐射出射表面trahlungsemittierenden组分（2）由外部观察者（3）穿过其中是可察觉的。

公开(公告)号：WO2014154759A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/EP2014/056078

申请日：2014-03-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIEZ, Carola ,  RAUSCH, Andreas ,  LANG, Erwin

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/005 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5293 ,  H01L51/56

Abstract: Es wird eine strahlungsemittierende organisch-elektronische Vorrichtung angegeben. Die strahlungsemittierende organischelektronische Vorrichtung umfasst -ein Substrat, -eine erste Elektrode angeordnet über dem Substrat, -eine lichtemittierende Schicht angeordnet über der ersten Elektrode, -eine zweite Elektrode angeordnet über der lichtemittierenden Schicht. Die lichtemittierende Schicht umfasst eine fluoreszierende Verbindung folgender Formel A: Formel A wobei R für einen elektronenziehenden Substituent und R' für einen elektronenschiebenden Substituent stehen. Der Spacer umfasst eine lineare Molekülkette an die die beiden Substituenten R und R' endständig angebunden sind und zumindest eine an die lineare Molekülkette gebundene Gruppe E, wobei E für Wasserstoff und/oder einen organischen Rest steht. Die lineare Molekülkette der Moleküle der fluoreszierenden Verbindung ist parallel zur Erstreckungsebene des Substrats ausgerichtet.

Abstract translation: 有规定的辐射发射有机电子器件。 包括-a基板发射辐射的有机电子器件，设置在衬底上方-a第一电极，设置在第一电极-a发光层，设置在所述发光层-a第二电极。 发光层包含下式A的荧光化合物：式A其中R代表一个吸电子取代基，R“代表供电子取代基。 所述隔离物包括一个直链分子末端连接两个取代基R和R”和至少一个结合到直链分子链基团E，其中E为氢和/或有机基团。 荧光化合物的分子的线性分子链平行于衬底的平面。