公开(公告)号：WO2015117891A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/EP2015/051849

申请日：2015-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWAMB, Philipp ,  BAISL, Richard ,  SCHICKTANZ, Simon ,  POPP, Michael

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5246

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein organisches optoelektronisches Bauelement (10) bereitgestellt. Das organische optoelektronische Bauelement (10) weist auf eine erste Elektrode (20), eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20), eine zweite Elektrode (23) über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) und eine Isolierschicht (24), die zumindest über einem Teilbereich einer der beiden Elektroden (20, 23) ausgebildet ist. Eine Reaktionsschichtstruktur (52) ist über der Isolierschicht (24) ausgebildet und weist mindestens eine erste Reaktionsschicht (60) und mindestens eine zweite Reaktionsschicht (62) auf, die Stoffschlüssig miteinander verbunden sind. Eine Abdeckung (38) ist über der Reaktionsschichtstruktur (52) angeordnet. Eine erste Haftvermittlerschicht (50) ist zwischen der Isolierschicht (24) und der Reaktionsschichtstruktur (52) ausgebildet, weist ein erstes metallisches Material auf und ist zumindest teilweise mit der Reaktionsschichtstruktur (52) stoffschlüssig verbunden. Alternativ oder zusätzlich ist eine zweite Haftvermittlerschicht (54) zwischen der Reaktionsschichtstruktur (52) und der Abdeckung (38) ausgebildet, weist ein metallisches zweites Material auf und ist zumindest teilweise mit der Reaktionsschichtstruktur (52) stoffschlüssig verbunden.

Abstract translation: 在各种实施例中，一种有机光电子器件（10）设置。 有机光电子器件（10）具有第一电极（20），有机功能层结构（22）在所述第一电极（20），在所述有机功能层结构（22）和绝缘层上的第二电极（23）（24 ），其至少形成在所述两个电极（20，23）中的一个的部分区域。 的反应层结构（52）设置在绝缘层（24）上形成并具有至少一个第一反应层（60）和至少它们彼此结合的第二反应层（62）。 一个盖（38）被布置在所述反应层结构（52）。 第一粘合层（50）的绝缘层（24）和反应层结构（52）包括第一金属材料和至少部分地由反应层结构（52）覆盖的整体连接之间形成。 可替换地或附加地，反应层结构（52）和所述盖（38）之间的第二粘合剂层（54）形成，具有金属第二材料，并且至少部分地与一体连接的反应层结构（52）。

公开(公告)号：WO2014049043A2

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/070049

申请日：2013-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LANG, Erwin ,  SCHWAMB, Philipp

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H05K1/18 ,  G01N27/045 ,  H01L51/5203 ,  H01L2251/303 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/32 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/4913

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Bearbeiten einer Vorrichtung mit wenigstens einer elektrischen Schichtenstruktur (208, 308, 408) bereitgestellt, wobei die elektrische Schichtenstruktur (208, 308, 408) eine dielektrische Schicht (202, 304, 404) in einem körperlichen Kontakt mit einer elektrisch leitfähigen Schicht (110, 204, 302, 402) aufweist und die elektrische Schichtenstruktur (208, 308, 408) eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist, das Verfahren aufweisend: Ausbilden einer elektrischen Verbindung mit der dielektrischen Schicht (202, 304, 404) der elektrischen Schichtenstruktur (208, 308, 408); Ausbilden eines elektrischen Spannungsverlaufes an der elektrischen Verbindung derart, dass eine zweite elektrische Leitfähigkeit ausgebildet wird; wobei die zweite elektrische Leitfähigkeit größer ist als die erste elektrische Leitfähigkeit; und wobei die elektrische Schichtenstruktur (208, 308, 408) nach dem Abbau des elektrischen Spannungsverlaufes die zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist.

Abstract translation:

在各种示例性导航用途将指导实例中，用于处理具有至少一个电层结构（208，308，408）的装置的方法提供，其特征在于，所述电层结构（208，308，408）的介电层（202 ，304，404）在K＆ouml;具有ELIGIBLE层（110，204，302，402），并具有第一导电性BEAR电层结构（208，308，408）;用导电＆AUML能力rperlichen接触已，所述方法包括 ：形成与所述电层结构（208,308,408）的介电层（202,304,404）的电连接; 在电连接处形成电压波形，使得形成第二电导率; 其中所述第二电导率大于所述第一电导率; 并且其中在去除所述电压分布之后，所述电层结构（208,308,408）具有所述第二电导率

公开(公告)号：WO2014048956A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/069916

申请日：2013-09-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHICKTANZ, Simon ,  SCHWAMB, Philipp ,  TRUMMER-SAILER, Evelyn

IPC: H01L27/32 ,  H01R12/70 ,  H01L51/52 ,  H01L51/44

CPC classification number: H01L27/3288 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5203 ,  H05K1/189 ,  H05K2203/166 ,  H05K2203/168

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein organisches, optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 800) bereitgestellt, das organische, optoelektronische Bauelement aufweisend: wenigstens ein Kontaktpad (206, 208, 302, 304) mit einem ersten elektrischen Kontakt-Bereich (526) und einem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich (524); wobei der erste elektrische Kontakt-Bereich (526) und der zweite elektrische Kontakt-Bereich (524) elektrisch mit dem Kontaktpad (206, 208, 302, 304) verbunden sind; wobei der zweite elektrische Kontakt-Bereich (524) derart eingerichtet ist, dass er eine höhere Adhäsion hinsichtlich einer stoffschlüssigen elektrischen Verbindung des Kontaktpads (206, 208, 302, 304) aufweist als der erste elektrische Kontakt-Bereich (526).

Abstract translation: 在各种实施例中，（100，200，300，800）提供了一种有机光电子器件，所述有机光电子器件，包括：具有第一电接触区域（526）的至少一个接触焊盘（206，208，302，304），和 第二电接触区域（524）; 其中，所述第一电接触区域（526）和第二电接触区域（524）电连接到接触焊盘（206，208，302，304）连接; 其中，所述第二电接触区域（524）被布置成使得其具有相对于所述电接触焊盘（206，208，302，304）比第一电接触区域（526）的材料锁定连接更高的粘附性。

公开(公告)号：WO2013056875A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：PCT/EP2012/066222

申请日：2012-10-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHWAMB, Philipp ,  SETZ, Daniel Steffen

Inventor： SCHWAMB, Philipp ,  SETZ, Daniel Steffen

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0096 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/5278 ,  H01L51/5296 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/105 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/5369 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein lichtemittierendes Bauelement (200) bereitgestellt, aufweisend einen Träger (202) mit mindestens einer Vertiefung (204); eine Lichtauskopplungsschicht (208) in der Vertiefung (204); und ein elektrisch aktiver Bereich (216), der über oder unter der Lichtauskopplungsschicht (208) angeordnet ist, wobei der elektrisch aktive Bereich (216) aufweist: eine erste Elektrode (218); eine zweite Elektrode (220); eine organische funktionelle Schichtenstruktur (222) zwischen der ersten Elektrode (218) und der zweiten Elektrode (220).

Abstract translation: 在各种实施方案中，一种发光器件（200）被提供，其包括具有至少一个凹部（204）的载体（202）; 在凹槽中的光提取层（208）（204）; 和电有源区（216），其布置的上方或光提取层（208）的下方，其中，所述电有源区（216）包括：第一电极（218）; 第二电极（220）; 所述第一电极（218）和第二电极（220）之间的有机功能层结构（222）。

公开(公告)号：WO2014048898A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/069785

申请日：2013-09-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWAMB, Philipp

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5259 ,  H01L51/447 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/5284 ,  H01L51/56

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement(100) aufweisend: einen Träger (102); eineorganische funktionelle Schichtenstruktur (112), wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) auf oder über einem Träger (102) ausgebildet ist und zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist; eine im Strahlengang der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) angeordnete Antireflex-/Getter-Schichtstruktur, die aufweist: Gettermaterial, das einen niedrigeren mittleren Brechungsindex aufweist als die organische funktionelle Schichtenstruktur (112); und eine Antireflexschicht, wobei Material der Antireflexschicht im Strahlengang der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) zumindest teilweise zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) und dem Gettermaterial angeordnet ist, und wobei das Material der Antireflexschicht, das zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) und dem Gettermaterial angeordnet ist, einen mittleren Brechungsindex aufweist, der größer ist als der mittlere Brechungsindex des Gettermaterials und/oder mindestens ein streuendes Zusatzmaterial verteilt in einer Matrix aufweist.

Abstract translation: 在各种实施例中，一个光电部件（100）被提供，光电子器件（100），包括：支撑体（102）; 是有机功能层结构（112），其特征在于，上或上方形成的介质（102），和用于接收和/或提供布置电磁辐射的有机功能层结构（112）; 在有机功能层结构的光路中布置成一个（112）抗反射/吸气剂层结构，包括：吸气剂材料，具有比所述有机功能层结构（112）的下平均折射率; 和防反射层，其中，在所述有机功能层结构（112）（112）和所述吸气剂材料的光路中的防反射层的材料被至少部分设置在所述有机功能层结构之间，并且其中设置在所述有机功能层结构（112）之间的防反射层的材料和 被布置在吸气剂材料的平均折射率比分散在包含基体中的吸气剂材料和/或至少一个额外的散射物质的平均折射率。

公开(公告)号：WO2014023807A3

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/EP2013/066660

申请日：2013-08-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REUSCH, Thilo ,  SCHWAMB, Philipp

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/00

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Bauelement (100) bereitgestellt, das Bauelement aufweisend: einen Träger (102); eine erste Elektrode (110) auf oder über dem Träger (102); eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112) auf oder über der ersten Elektrode (110); eine zweite Elektrode (114) auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112), wobei die erste Elektrode (110) und die zweite Elektrode (114) derart ausgebildet sind, dass eine elektrische Verbindung der ersten Elektrode (110) mit der zweiten Elektrode (114) nur durch die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) eingerichtet ist; und eine Verkapselung (108); wobei die erste Elektrode (110) und/oder die zweite Elektrode (114) mit dem Träger (102) elektrisch gekoppelt ist; und wobei die Verkapselung (108) gemeinsam mit dem Träger (102) eine Struktur bildet, welche die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) sowie mindestens eine Elektrode der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff abdichtet.

公开(公告)号：WO2014001046A1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：PCT/EP2013/061613

申请日：2013-06-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWAMB, Philipp ,  SETZ, Daniel Steffen

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L51/504 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/5275

Abstract: Es wird ein lichtemittierendes organisches Bauteil angegeben, mit - einem organischen aktiven Bereich (3), in dem im Betrieb des Bauteils Licht erzeugt wird, und - einer unebenen Lichtaustrittsfläche (6), durch die zumindest ein Teil des im organischen aktiven Bereich (3) erzeugten Lichts aus dem Bauteil austritt, wobei - an der unebenen Lichtaustrittsfläche (6) eine Vielzahl von optischen Strukturen (7) angeordnet ist, welche das durchtretende und/oder auf sie treffende Licht optisch beeinflussen.

Abstract translation: 公开了一种发光有机组分，具有 - 有机活性区，在生成的在组分（3）的操作的光，以及 - 光不均匀的出射面（6），通过该至少有机活性区的一个部分（3） 离开从组件，其特征在于，产生的光 - 通过传递和/或光击打设置在不均匀的光发射表面（6）上的多个光学结构（7），对它们的光学影响。

公开(公告)号：WO2013139775A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/EP2013/055665

申请日：2013-03-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LANG, Erwin ,  SCHWAMB, Philipp ,  HARTMANN, David ,  SCHMID, Günter ,  EDER, Florian ,  SZYSZKOWSKI, Sabine ,  SARFERT, Wiebke

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/44 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/5234 ,  H01L51/102 ,  H01L51/441 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303 ,  Y02E10/549

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird eine elektronische Struktur (100) bereitgestellt, welche mindestens eine organische Schicht (112) und mindestens eine auf die organische Schicht (112) aufgewachsene Metall-Aufwachsschicht (114) und mindestens eine auf der Metall-Aufwachsschicht (114) aufgewachsene Metallschicht (116) aufweist, wobei die mindestens eine Metall-Aufwachsschicht (114) Germanium enthält.

Abstract translation: 在各种实施例中，电子结构（100）设置上生长至少一个有机层（112）和所述有机层中的至少一个（112）生长的金属生长层（114）和所述金属生长层上的至少一个（114）的金属层 （116），其中所述至少一个金属 - 生长层（114）包含锗。

公开(公告)号：WO2015128368A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/EP2015/053913

申请日：2015-02-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： POPP, Michael ,  REUSCH, Thilo ,  SCHWAMB, Philipp ,  VEHOFF, Thorsten

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L2251/5392

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispieien wird ein Optoelektronisches Bauelement (10) bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement weist einen Träger (12), eine erste Elektrode über dem Träger (12), eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20), und eine zweite Elektrode (23), die eine erste Härte hat, über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) auf. Eine Partikelfangschicht (50), die eine zweite Härte hat, ist über der zweiten Elektrode (23) ausgebildet. Eine Verkapselung (40), die eine dritte Härte hat, ist über der PartikeIfangschicht (50) ausgebildet. Die zweite Härte ist kleiner als die erste Härte und die zweite Härte ist kleiner als die dritte Härte.

Abstract translation: 在各种Ausführungsbeispieien的光电子器件（10）设置。 光电子器件包括一个载体（12），在所述载体上的第一电极（12），在第一电极（20）的有机功能层结构（22），以及具有第一硬度的第二电极（23），上 有机功能层结构（22）。 具有第二硬度的颗粒俘获层（50）形成在第二电极（23）形成。 具有第三硬度的封装（40）是在PartikeIfangschicht（50）形成。 所述第二硬度小于所述第一硬度和第二硬度小于所述第三硬度。

公开(公告)号：WO2014026823A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：PCT/EP2013/065220

申请日：2013-07-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LANG, Erwin ,  REUSCH, Thilo ,  SCHWAMB, Philipp

IPC: H01L51/52 ,  B81C3/00 ,  C23C16/455 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/5253 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  C23C16/45529 ,  H01L23/564 ,  H01L51/448 ,  H01L51/524 ,  H01L2924/0002 ,  H05K5/065 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/13 ,  H01L2924/00

Abstract: In verschiedenen Äusführungsbeispielen wird eine Vorrichtung bereitgestellt, die Vorrichtung aufweisend; einen ersten Träger (102), der mit mindestens einem ALD- Präkursor (302) und/oder mindestens einem MLD- Präkursor (302) belegt ist; einen zweiten Träger (104), der mit mindestens einem ALD- Präkursor (304) und/oder mindestens einem MLD-Präkursor (304) belegt ist, der/die zu dem ALD-Präkursor (302) und/oder MLD- Präkursor (302) des ersten Trägers (102) komplementär ist/sind; wobei der erste Träger (102) mit dem zweiten Träger ( 104 ) zumindest teilweise mittels einer atomaren Verbindung (118) zwischen dem ALD- Präkursor (302) des ersten Trägers (102) und dem ALD-Präkursor (304) des zweiten Trägers (104) bzw. zwischen dem MLD - Präkursor ( 302 ) des ersten Trägers (102) und dem MLD-Präkursor (304 ) des zweiten Trägers (104) verbunden ist derart, dass eine ALD-Schicht ( 118 ) oder eine MLD-Schicht (118) gebildet ist.

Abstract translation: 在各种Äusführungsbeispielen提供了一种装置，该装置包括; 是第一载体（102）与至少一种前体的ALD（302）和/或至少一个前驱体MLD-（302）是; 第二载体（104）与至少一种前体的ALD（304）和/或至少一个前驱体MLD（304）忙，则/向ALD前体（302）和/或前体MLD（302 ）第一载体（102）的互补/是; 其中，所述第一支撑件（102）与第二托架（104）至少部分地由所述第一载波（102）的ALD前体（302）之间的原子链路（118）的装置和第二载波的ALD前体（304）（104 ）或MLD之间 - 第一载波（102（前体302））和第二托架（104的MLD前体（304））是这样的，ALD层（118）或MLD-层（118 ）形成。