公开(公告)号：WO2019043003A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：PCT/EP2018/073132

申请日：2018-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  MÜLLER, Christian

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips mit angegeben: - Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1), - Epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, auf das Wachstumssubstrat (1), wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) ein Nitridverbindungshalbleitermaterial umfasst, - Aufbringen einer strukturierten Fotolackschicht (4) mit sechseckigen oder dreieckigen Strukturelementen (5) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), wobei Bereiche der Halbleiterschichtenfolge (2) zwischen den Strukturelementen (5) frei zugänglich sind, und - Ätzen der Halbleiterschichtenfolge (2) in den frei zugänglichen Bereichen, sodass sechseckige oder dreickige Halbleiterschichtenstapel (2) mit Seitenflächen (11) entstehen, von denen zumindest eine Seitenfläche (11) parallel zu einer m-Fläche (7) oder parallel zu einer a-Fläche (6) des Nitridverbindungshalbleitermaterials verläuft, wobei die Halbleiterschichtenstapel als sechsseitige oder dreiseitige Prismen ausgebildet sind, und die aktive Zone senkrecht auf den Seitenflächen des Halbleiterschichtenstapels steht.

公开(公告)号：WO2012130280A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2011/054791

申请日：2011-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MÜLLER, Christian

Inventor： MÜLLER, Christian

IPC: H01L31/02 ,  G01J1/16 ,  G01J1/42 ,  G01J3/36 ,  G01J3/427 ,  G01J3/50

CPC classification number: G01J1/4228 ,  G01J3/0264 ,  G01J3/36 ,  G01J3/427

Abstract: Es handelt sich um eine Einheit (1) zur Bestimmung der Art der dominierenden Lichtquelle in einer auf die Einheit (1) einfallenden elektromagnetischen Strahlung (2), die aus einer Vielzahl von Lichtquellen verschiedener Art erzeugt wird. Die Einheit weist mindestens eine erste Fotodiode (10) auf, ausgebildet, um elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Spektralbereich zu detektieren und ein erstes Ausgangssignal (11) zu erzeugen. Die Einheit weist mindestens eine zweite Fotodiode (20) auf, ausgebildet, um elektromagnetische Stralung im infraroten Spektralbereich zu detektieren und ein zweites Ausgangssignal (21) zu erzeugen. Die Einheit weist mindestens eine Berechnungseinheit (30) auf, ausgebildet, um ein Quotientenergebnis (23) und ein Frequenzergebnis (13) aus dem ersten (11) und dem zweiten (21) Ausgangssignal abzuleiten. Das Frequenzergebnis (13) gibt Informationen über das Vorhandensein oder das Nichtvorhandensein von in der elektro- magnetischen Strahlung enthaltenen Signalanteilen in einem vorgegebenen Frequenzbereich an. Die Einheit weist mindestens einer Auswerteeinheit (40) auf, ausgebildet, um aus dem Quotientenergebnis (23) und dem Frequenzergebnis (13) die Art der dominierenden Lichtquelle abzuleiten.

Abstract translation: 这是一个单元（1），用于确定所述单元上以占主导地位的光源的类型（1）入射的电磁辐射（2），其由多个不同种类的光源产生的。 该单元包括至少一个第一光电二极管（10），用于检测电磁辐射在可见光谱范围，并产生一个第一输出信号（11）。 所述单元具有至少一个第二光电二极管（20），适合于检测电磁Stralung在红外光谱中，并产生一个第二输出信号（21）。 该单元包括至少一个计算单元（30），配置成产生商数结果（23）和从所述第一（11）的频率的结果（13）和第二（21）输出信号。 频率的结果（13）提供有关包含在预定的频率范围内的电磁辐射的信号分量的数据的存在或不存在的信息。 所述单元具有至少一个评估单元（40），布置成从所述商数结果（23）和频率的结果（13）的主要光源的性质来推导。

公开(公告)号：EP2406828B1

公开(公告)日：2019-07-10

申请号：EP10707060.9

申请日：2010-03-10

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： MÜLLER, Christian ,  KUHLMANN, Werner

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0352

公开(公告)号：EP2406828A1

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：EP10707060.9

申请日：2010-03-10

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： MÜLLER, Christian ,  KUHLMANN, Werner

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/02165 ,  G02B5/22 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/103

Abstract: A radiation-receiving semiconductor component is specified, comprising a semiconductor body (1), which is formed with silicon and has a radiation entrance surface (1a) and also an absorption zone (2)in which electromagnetic radiation (10) passing into the semiconductor body (1) through the radiation entrance surface (1a) is absorbed, wherein the absorption zone (2) has a thickness (d) of at most 10 μm; a filter layer (3), which is formed with a dielectric material, wherein the filter layer (3) covers the radiation entrance surface (1a) of the semiconductor body (1); and a potting body (4) which covers the semiconductor body (1) at least at the radiation entrance surface (1a) thereof, wherein the potting body (4) contains a radiation-absorbing material (5).