公开(公告)号：WO2021144110A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：PCT/EP2020/086738

申请日：2020-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  MEYER, Tobias ,  MÜLLER, Christian

IPC: H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, umfassend - eine Halbleiterschichtenfolge (2), die einen p-Typ Halbleiterbereich (3), einen n-Typ Halbleiterbereich (5) und eine zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (3) und dem n-Typ Halbleiterbereich (5) angeordnete aktive Schicht (4) aufweist, - eine dielektrische Passivierungsschicht (7), welche zumindest teilweise auf eine Seitenflanke (6) der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist und an der Seitenflanke (6) an die aktive Schicht (4) angrenzt, und - eine Stabilisierungsschicht (8), die an die dielektrische Passivierungsschicht (7) angrenzt und im Bereich des n-Typ Halbleiterbereichs (5) an die Seitenflanke (6) der Halbleiterschichtenfolge (2) angrenzt, wobei die Stabilisierungsschicht (8) ein Metall oder ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist.

公开(公告)号：WO2019215217A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：PCT/EP2019/061800

申请日：2019-05-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN, Roland Heinrich ,  MÜLLER, Christian ,  BARTHEL, Stefan ,  EICHINGER, Vanessa ,  NENSTIEL, Marc Christian ,  ZINI, Lorenzo

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip (11) umfasst eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromverteilungsschicht (180, 160), sowie eine Vielzahl elektrischer Kontaktelemente (20, 21, 22). Die erste Halbleiterschicht (140) ist über der zweiten Halbleiterschicht (150) angeordnet. Von dem optoelektronischen Halbleiterchip (11) emittierte elektromagnetische Strahlung (15) wird über eine erste Hauptoberfläche (110) der ersten Halbleiterschicht (140) ausgegeben. Die erste Stromverteilungsschicht (180) ist auf einer von der ersten Halbleiterschicht (140) abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht (150) angeordnet. Die Vielzahl elektrischer Kontaktelemente (20, 21, 22) ist geeignet, die erste Halbleiterschicht (140) mit der ersten Stromverteilungsschicht (180) elektrisch zu verbinden. Die zweite Stromverteilungsschicht (160) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (150) elektrisch verbunden. Die elektrischen Kontaktelemente (20, 21, 22) umfassen ein erstes elektrisches Kontaktelement (20) und ein zweites elektrisches Kontaktelement (21), wobei sich das erste von dem zweiten elektrischen Kontaktelement unterscheidet.

公开(公告)号：WO2018192857A1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/EP2018/059555

申请日：2018-04-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN, Roland Heinrich ,  WOJCIK, Andreas ,  HALBRITTER, Hubert ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  MARIC, Josip ,  JAMA, Mariel Grace ,  HAHN, Berthold ,  MÜLLER, Christian ,  OTTO, Isabel

IPC: H01S5/042

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). An einander gegenüberliegenden Hauptseiten der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden sich zwei elektrische Anschlussbereiche (21, 22). Ein Kontaktträger (3) umfasst elektrische Kontaktflächen (31, 32) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine elektrische Verbindungsleitung (23) reicht von der dem Kontaktträger (3) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2) hin zum Kontaktträger (3). Die Verbindungsleitung (23) befindet sich an oder in der Halbleiterschichtenfolge (2).

公开(公告)号：WO2018215306A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：PCT/EP2018/062973

申请日：2018-05-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  MÜLLER, Christian ,  OTTO, Isabel

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L25/075 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben umfassend *einen Halbleiterkörper (2) mit -einer ersten Hauptfläche (2A) und einer der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (2B), -mindestens einer Seitenfläche (2C, 2D), welche die erste Hauptfläche (2A) mit der zweiten Hauptfläche (2B) verbindet, *eine elektrisch leitende Trägerschicht (8), die die zweite Hauptfläche (2B) zumindest bereichsweise überdeckt, und *eine elektrisch schwach leitende Isolierung (6), die -zwischen der Trägerschicht (8) und dem Halbleiterkörper (2) angeordnet ist, -die zweite Hauptfläche (2B) zumindest bereichsweise überdeckt und sich bis auf mindestens eine Seitenfläche (2C, 2D) des Halbleiterkörpers (2) erstreckt, und -eine erste Isolierschicht (61) und eine zweite Isolierschicht (62) aufweist, wobei die zweite Isolierschicht (62) auf einer dem Halbleiterkörper (2) abgewandten Seite der ersten Isolierschicht (61) angeordnet ist und sich die erste und zweite Isolierschicht (61, 62) in ihrer Steifigkeit und/oder Elastizität voneinander unterscheiden. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2018162323A1

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：PCT/EP2018/055071

申请日：2018-03-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN, Roland Heinrich ,  ZINI, Lorenzo ,  MÜLLER, Christian

IPC: H01L25/16

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip miteinem Träger(1) mit einer ersten Hauptfläche (5) und einer zweiten Hauptfläche (6), die der ersten Hauptfläche (5) gegenüber liegtangegeben. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip umfasst zudem eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge(10) mit einer aktiven Zone(12), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt,wobei die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (10) auf die erste Hauptfläche (5) des Trägers (1) aufgebracht ist. Weiterhin umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip zwei elektrischen Kontakten(13, 14), die an einer Vorderseite des Halbleiterchips angeordnet sind. Der Träger(1)weist eine n-dotierte(2)und eine p-dotierte Schicht (3) auf, die einen pn-Übergang (4) ausbilden. Außerdem weist der Träger(1) einenvertikalen Bereich(7) auf, der ausgehend von der ersten Hauptfläche (5) des Trägers (1) parallel zu Seitenflächen des Trägers (1) verläuft und der n-dotiert, p-dotiert oder elektrisch isolierend ausgebildet ist.

公开(公告)号：WO2014117970A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：PCT/EP2014/050234

申请日：2014-01-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  MÜLLER, Christian

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0203 ,  G02B1/00 ,  G02B5/00 ,  G02B5/20 ,  H01L27/146

CPC classification number: G02B1/005 ,  G02B5/008 ,  G02B5/204 ,  H01L27/14618 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/02327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Detektion von Strahlung. Ferner beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) ein erstes Filterelement (31), das ein Bragg-Filter ist, und ein zweites Filterelement (32), das ein metallischer plasmonischer Filter ist. Das erste und das zweite Filterelement (31, 32) sind entlang eines Laufwegs (D) einer zu detektierenden Strahlung (R) aufeinander folgend angeordnet und weisen voneinander verschiedene Transmissionsspektren mit je zumindest einem spektralen Transmissionsfenster auf. Die spektralen Transmissionsfenster werden durch Absorptionsbereiche begrenzt, sodass die Filterelemente (31, 32) Bandpassfilter bilden. Die Absorptionsbereiche des ersten und des zweiten Filterelements (31, 32) überlappen sich und befinden sich je beiderseits des zumindest einen Transmissionsfensters des entsprechenden Filterelements. Durch diese Filteranordnung wird ein Filter mit einem hohen Kontrast zwischen einer zu detektierenden Strahlung und einer nicht zu detektierenden Strahlung realisiert.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，光电子半导体器件（1）包括用于检测辐射的光电子半导体芯片（2）。 此外，半导体组件（1）包括：第一过滤器元件（31），这是一个布拉格滤光器和第二过滤器元件（32）是金属等离激元的过滤器。 辐射的第一和沿的行进（D）的路径的第二过滤器元件（31，32）被检测（R）相继设置并具有相互不同的透射光谱，每一个具有至少一个光谱透射窗口。 光谱透射窗被吸收区的限制，从而使滤光器元件（31，32）形成的带通滤波器。 所述第一和第二过滤器元件（31，32）的重叠和所述的吸收部分位于每个相应的过滤器元件的至少一个传输窗中的任一侧上。 通过该过滤器组件，实现了具有要检测的辐射，也可以检测到非辐射之间的高对比度的滤波器。

公开(公告)号：WO2014029733A3

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/EP2013/067238

申请日：2013-08-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  MÜLLER, Christian

IPC: H01L31/0216 ,  G01J3/51 ,  H05B33/08

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Sensor (5) zur Detektion einer Änderung der Leistung und/oder der Wellenlänge einer Lichtquelle (10) in mindestens einem Wellenlängenbereich (λ 1,min, λ 1,max ) angegeben, umfassend einen ersten Fotodetektor (1) und einen zweiten Fotodetektor (2), wobei der erste Fotodetektor (1) eine spektrale Empfindlichkeit S 1 (λ) und der zweite Fotodetektor (2) eine spektrale Empfindlichkeit S 2 (λ) aufweist. Die spektralen Empfindlichkeiten sind voneinander verschieden, wobei ein Quotient S 1 (λ)/S 2 (λ) der spektralen Empfindlichkeiten in dem mindestens einem Wellenlängenbereich (λ 1,min, λ 1,max ) monoton ansteigt oder monoton abnimmt. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (12) mit dem optoelektronischen Sensor (5) und ein Verfahren zum Betrieb des optoelektronischen Sensors (5) angegeben.

公开(公告)号：WO2013113695A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：PCT/EP2013/051680

申请日：2013-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SOSSENHEIMER, Dirk ,  MÜLLER, Christian

IPC: G01S17/02 ,  G01S7/484

CPC classification number: G01S17/02 ,  G01S7/484 ,  G01S17/026 ,  G06F1/3231 ,  G06F3/0304 ,  G06F3/0412 ,  Y02D10/173

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Annäherungssensors (1) angegeben, wobei der Annäherungssensor (1) ein strahlungsemittierendes Bauelement (2), ein strahlungsdetektierendes Bauelement(3) und eine Steuereinheit(4) aufweist. Das strahlungsemittierende Bauelement(2) wird mit einem gepulsten Strom (I e ) betrieben, wobei der gepulste Stromwährend einer Messperiode (T m ) eine Einzeit (t on ) und eine Auszeit (t off ) aufweist, und die Steuereinheit (4) ein Detektorsignal (I d ) des strahlungsdetektierenden Bauelements (3) während der Einzeit (t on ) auswertet und die Einzeit (t on ) beendet, wenn das Detektorsignal (I d ) einen Schwellwert (I th ) überschreitet. Weiterhin wird ein optoelektronischer Annäherungssensor (1) angegeben, der mit dem Verfahren betrieben werden kann.

Abstract translation: 提供了一种操作光电子接近传感器（1），其中，所述接近传感器（1）包括一个发射辐射的部件的方法（2），一个辐射检测装置（3）和控制单元（4）。 发射辐射的元件（2）用脉冲电流（Ie），其中在测量期间内的脉冲电流（Tm）的一个操作的导通时间包含（吨）和断裂（TOFF），并且所述控制单元（4）的检测信号（Id）的的 检测辐射的导通时间（TON）期间设备（3）的计算结果，并且当检测信号（Id）的超过阈值（Ith时）导通时间（TON）结束。 此外，光电接近传感器（1）被提供，其可以与所述方法进行操作。

公开(公告)号：WO2010103047A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：PCT/EP2010/053046

申请日：2010-03-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MÜLLER, Christian ,  KUHLMANN, Werner

Inventor： MÜLLER, Christian ,  KUHLMANN, Werner

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/02165 ,  G02B5/22 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/103

Abstract: Es wird ein Strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement angegeben, mit einem Halbleiterkörper (1), der mit Silizium gebildet ist und eine Strahlungseintrittsfläche (1a) sowie eine Absorptionszone (2) aufweist, in der durch die Strahlungseintrittsfläche (1a) in den Halbeiterkörper (1) tretende elektromagnetische Strahlung (10) absorbiert wird, wobei die Absorptionszone (2) eine Dicke (d) von höchstens 10 μm aufweist; einer Filterschicht (3), die mit einem dielektrischen Material gebildet ist, wobei die Filterschicht (3) die Strahlungseintrittsfläche (1a) des Halbleiterkörpers (1) bedeckt; und einem Vergusskörper (4), der den Halbleiterkörper (1) zumindest an seiner Strahlungseintrittsfläche (1a) überdeckt, wobei der Vergusskörper (4) ein Strahlungsabsorbierendes Material (5) enthält.

Abstract translation: 它是一个辐射接收端指示半导体器件的半导体主体（1），其与硅和放射线入射面（1a）的形成，并且（2），在通过放射线入射面（1a）的进入半导体主体（1）使电磁辐射的吸收区 （10）被吸收，吸收区（2）具有至多10微米的厚度（d）; 用（1）覆盖所述半导体主体的介电材料，其特征在于，所述过滤器层（3）的放射线入射面（1a）中形成的过滤器层（3）; 和铸体（4），其至少覆盖所述半导体主体（1）在它的辐射入射面（1a）中，其中，所述铸体（4）包括一辐射吸收材料（5）。

公开(公告)号：WO2019180192A1

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：PCT/EP2019/057203

申请日：2019-03-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER, Christian ,  SCHOLZ, Dominik ,  HERTKORN, Joachim

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/44 ,  H01L33/22

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper umfassend einen ersten Bereich eines n- Leitungstyps, einen zweiten Bereich eines p-Leitungstyps, einen aktiven Bereich, der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, eine Markierungsschicht, einer Mehrzahl von Emissionsbereichen und einer Mehrzahl von Aussparungen angegeben. Der aktive Bereich ist zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereichin einer Ebene parallel zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers angeordnet. Die Emissionsbereiche sind getrennt voneinander ansteuerbare Bereiche des aktiven Bereichs und lateral beabstandet zueinander angeordnet. Die Aussparungen begrenzen die Emissionsbereiche in lateraler Richtung. Die Markierungsschicht ist parallel zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers ausgerichtet. Die Aussparungen erstrecken sich ausgehend von der dem aktiven Bereich abgewandten Seite des ersten Bereichs quer zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers in Richtung des zweiten Bereichs und grenzen an die Markierungsschicht an oder durchdringen die Markierungsschicht vollständig. Die Aussparungen sind nur im ersten Bereich ausgebildet oder die Aussparungen erstrecken sich bis in den zweiten Bereich und durchdringen den aktiven Bereich vollständig. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.