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    STORAGE DEVICE, STORAGE ELEMENT
    15.
    发明公开
    STORAGE DEVICE, STORAGE ELEMENT 审中-公开
    SPEICHERVORRICHTUNG UND SPEICHERELEMENT

    公开(公告)号：EP2851943A4

    公开(公告)日：2016-02-17

    申请号：EP13790278

    申请日：2013-03-06

    Applicant: SONY CORP

    Inventor： HIGO YUTAKA ,  HOSOMI MASANORI ,  OHMORI HIROYUKI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  ASAYAMA TETSUYA ,  YAMANE KAZUTAKA ,  UCHIDA HIROYUKI

    IPC: H01L21/8246 ,  G11C5/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/105 ,  H01L27/22 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

    CPC classification number: H04W72/048 ,  G11C5/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1697 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H04W72/085 ,  H04W72/121

    Abstract: [Object] To provide a memory apparatus capable of operating at high speed with less current and inhibiting a decrease in an amplitude of a readout signal. [Solving Means] A memory apparatus includes a memory device having a layer structure at least including a memory layer where a direction of magnetization is changed corresponding to information, a magnetic fixed layer where the direction of the magnetization is fixed, and an intermediate layer made of a non-magnetic body disposed between the memory layer and the magnetic fixed layer; current being capable of flowing in a lamination direction of the layer structure; a wiring for supplying the memory device with current flowing to the lamination direction; and a memory control unit for storing information by flowing standby current at a predetermined level to the memory device via the wiring to incline the magnetization direction of the memory layer from the direction perpendicular to a film surface and flowing recording current that is higher than the standby current via the wiring to change the magnetization direction of the memory layer.

    Abstract translation: 提供一种能够以较低电流高速运行并且抑制读出信号的幅度的降低的存储装置。 一种存储装置，包括具有至少包括磁化方向相应于信息而改变的存储层的层结构的存储装置，固定磁化方向的磁性固定层和制成的中间层 设置在所述存储层和所述磁性固定层之间的非磁性体; 电流能够沿着层结构的层叠方向流动; 用于向存储器件提供流向层叠方向的电流的布线; 存储器控制单元，用于通过经由布线将预定电平的待机电流从存储器层的磁化方向从垂直于膜表面的方向倾斜并且流过超过备用电流的记录电流来存储信息 电流通过布线改变存储层的磁化方向。

    記憶素子、記憶装置、記憶素子の製造方法、磁気ヘッド
    17.
    发明专利
    記憶素子、記憶装置、記憶素子の製造方法、磁気ヘッド 有权
    存储元件，存储器件，存储元件和磁头的制造方法

    公开(公告)号：JP2015002281A

    公开(公告)日：2015-01-05

    申请号：JP2013126388

    申请日：2013-06-17

    Applicant: ソニー株式会社 ,  Sony Corp

    Inventor： OMORI HIROYUKI ,  HOSOMI MASAKATSU ,  BESSHO KAZUHIRO ,  HIGO YUTAKA ,  YAMANE KAZUAKI ,  UCHIDA HIROYUKI

    IPC: H01L21/8246 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    Abstract: 【課題】トンネルバリア層とスピンバリア層の二つの酸化物膜を有する記憶素子において、保持特性の低下や記録電流の上昇を抑えながら、素子抵抗を下げ、低い書き込み電圧、および大きな磁気抵抗変化が得られるようにする。【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる酸化物によるトンネルバリア層と、記憶層のトンネルバリア層に接する面とは反対側の面に接して設けられる酸化物によるスピンバリア層とを有する。そして所定の設定膜厚値で形成されるスピンバリア層内には、その一部に低抵抗領域が形成されているようにする。【選択図】図3

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有隧道势垒层和自旋阻挡层的两个氧化物膜的存储元件，其在抑制保持特性的劣化和记录电流的增加的同时降低元件电阻，由此实现低写入 电压和大的磁阻变化。解决方案：存储元件包括：具有垂直于膜表面的磁化和对应于信息变化的磁化方向的记录层; 具有垂直于膜表面的磁化的磁化固定层作为存储在记录层中的信息的参考; 隧道势垒层，设置在记录层和磁化固定层之间，由氧化物形成; 以及与所述记录层的表面接触设置的自旋阻挡层，所述自旋势垒层位于与所述隧道势垒层接触的表面的相反侧，并且由氧化物形成。 在以预定的设定膜厚度值形成的自旋阻挡层的一部分处形成低电阻区域。

    Storage element, storage device, magnetic head
    18.
    发明专利
    Storage element, storage device, magnetic head 有权
    存储元件，存储设备，磁头

    公开(公告)号：JP2014072392A

    公开(公告)日：2014-04-21

    申请号：JP2012217702

    申请日：2012-09-28

    Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

    Inventor： YAMANE KAZUAKI ,  HOSOMI MASAKATSU ,  OMORI HIROYUKI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  HIGO YUTAKA ,  ASAYAMA TETSUYA ,  UCHIDA HIROYUKI

    IPC: H01L27/105 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    CPC classification number: G11B5/3146 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L23/528 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To promote large storage capacity of a storage device while enhancing the operation stability thereof, by enhancing thermal stability of STT-MRAM storage elements furthermore, and allowing further miniaturization of the storage elements.SOLUTION: In an STT-MRAM storage element having a multi-layered ferri-pin structure where a magnetization fixed layer consists of a ferromagnetic layer and a non-ferromagnetic layer of at least two layers, the magnetic material in contact with an insulating layer in the magnetization fixed layer is composed of a CoFeB magnetic layer, the magnetic material not in contact with an insulating layer in the magnetization fixed layer is an alloy or a lamination structure using at least one kind of Pt group metal elements and ferromagnetic 3d transition metal elements out of 3d transition metal elements, respectively. Atomic concentration of the Pt group metal element is lower than that of the ferromagnetic 3d transition metal element. Consequently, multi-layered ferri-bonding strength is enhanced, and thermal stability of the storage element can be enhanced.

    Abstract translation: 要解决的问题：通过进一步提高STT-MRAM存储元件的热稳定性，并提高存储元件的进一步小型化，提高存储装置的大容量化，同时提高其运行稳定性。解决方案：在STT-MRAM存储 具有多层铁引脚结构的元件，其中磁化固定层由至少两层的铁磁层和非铁磁层组成，与磁化固定层中的绝缘层接触的磁性材料由 CoFeB磁性层，不与磁化固定层中的绝缘层接触的磁性材料是分别使用3d过渡金属元素中的至少一种Pt族金属元素和铁磁性3d过渡金属元素的合金或层压结构 。 Pt族金属元素的原子浓度低于铁磁性3d过渡金属元素的原子浓度。 因此，提高了多层铁结合强度，并且可以提高存储元件的热稳定性。

    Multi-level memory, multi-level memory writing method, and multi-level memory reading method
    19.
    发明专利
    Multi-level memory, multi-level memory writing method, and multi-level memory reading method 审中-公开
    多层存储器，多级存储器写入方法和多级存储器读取方法

    公开(公告)号：JP2013175258A

    公开(公告)日：2013-09-05

    申请号：JP2012039947

    申请日：2012-02-27

    Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

    Inventor： HIGO YUTAKA ,  HOSOMI MASAKATSU ,  OMORI HIROYUKI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  ASAYAMA TETSUYA ,  YAMANE KAZUAKI ,  UCHIDA HIROYUKI

    IPC: G11C16/02

    CPC classification number: G06F3/0661 ,  G06F3/0614 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/0246 ,  G06F2003/0695 ,  G06F2212/7208 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C2211/5647

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the number of times data with large write energy is written, which is unfavorable for the number of times a multi-level memory can be rewritten.SOLUTION: A multi-level memory includes a memory array unit including a plurality of memory cells each of which can store data values of two or more bits. The multi-level memory further includes a memory controller configured to perform: conversion in accordance with write data in the memory array unit by use of a conversion rule for converting a specific data value among the data values written in one memory cell into a data value other than the specific data value; and processing of writing the converted write data and a conversion rule identifier, which indicates the conversion rule of the conversion, into the memory array.

    Abstract translation: 要解决的问题：为了减少写入大量写入能量的数据，这对于可以重写多级存储器的次数是不利的。解决方案：多级存储器包括存储器阵列单元，其包括 多个存储单元，每个存储单元可以存储两个或多个位的数据值。 多级存储器还包括存储器控制器，其被配置为执行：根据用于将写入一个存储器单元的数据值中的特定数据值转换成数据值的转换规则，根据存储器阵列单元中的写入数据进行转换 除特定数据值外; 以及将转换的写入数据写入的处理和将转换的转换规则指示到存储器阵列中的转换规则标识符。

    Memory element and memory device
    20.
    发明专利
    Memory element and memory device 有权
    存储元件和存储器件

    公开(公告)号：JP2013115301A

    公开(公告)日：2013-06-10

    申请号：JP2011261522

    申请日：2011-11-30

    Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

    Inventor： HIGO YUTAKA ,  HOSOMI MASAKATSU ,  OMORI HIROYUKI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  ASAYAMA TETSUYA ,  YAMANE KAZUAKI ,  UCHIDA HIROYUKI

    IPC: H01L21/8246 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

    CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory element and a memory device which can be operated by less current and in a high speed.SOLUTION: A memory element at least includes: a memory layer 14; a magnetization fixed layer 12; an intermediate layer 13 made of nonmagnetic material which is disposed between the memory layer 14 and the magnetization fixed layer 12; and a cap layer 15. In the memory layer, a first ferromagnetic layer 14i and a second ferromagnetic layer 14p are magnetically coupled to each other via a coupling layer 14c. The first ferromagnetic layer is in contact with the intermediate layer, the second ferromagnetic layer is in contact with the cap layer, one of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer is an in-plane magnetization layer in which in-plane magnetization is dominant, and the other one is a perpendicular magnetization layer in which perpendicular magnetization is dominant, and each magnetization direction in the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer is inclined from a direction perpendicular to a film surface. Since the magnetization direction in the memory layer is inclined, amplitude increase in precession of the magnetization in the ferromagnetic layers begins promptly when a current in a direction perpendicular to the film surface is flowed into the memory element, thereby enabling inversion operation in a short time.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供可以通过较少电流和高速度操作的存储元件和存储器件。 存储元件至少包括：存储层14; 磁化固定层12; 设置在存储层14和磁化固定层12之间的由非磁性材料制成的中间层13; 和盖层15.在存储层中，第一铁磁层14i和第二铁磁层14p经由耦合层14c彼此磁耦合。 第一铁磁层与中间层接触，第二铁磁层与盖层接触，第一铁磁层和第二铁磁层中的一个是面内磁化层，其中面内磁化是主要的 另一个是垂直磁化层，其中垂直磁化是主导的，并且第一铁磁层和第二铁磁层中的每个磁化方向从垂直于膜表面的方向倾斜。 由于存储层中的磁化方向倾斜，当垂直于膜表面的方向上的电流流入存储元件时，铁磁层中的磁化强度的振幅增加迅速地开始，从而使得能够在短时间内进行反转操作 。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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