公开(公告)号：WO03036734A2

公开(公告)日：2003-05-01

申请号：PCT/JP0210609

申请日：2002-10-11

Applicant: SONY CORP ,  OHBA KAZUHIRO ,  HAYASHI KAZUHIKO ,  KANO HIROSHI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  MIZUGUCHI TETSUYA ,  HIGO YUTAKA ,  HOSOMI MASANORI ,  YAMAMOTO TETSUYA ,  NARISAWA HIROAKI ,  SONE TAKEYUKI ,  ENDO KEITARO ,  KUBO SHINYA

Inventor： OHBA KAZUHIRO ,  HAYASHI KAZUHIKO ,  KANO HIROSHI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  MIZUGUCHI TETSUYA ,  HIGO YUTAKA ,  HOSOMI MASANORI ,  YAMAMOTO TETSUYA ,  NARISAWA HIROAKI ,  SONE TAKEYUKI ,  ENDO KEITARO ,  KUBO SHINYA

IPC: G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01F41/30 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/22 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  C23C14/14 ,  H01F10/16 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C2029/5002 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/18 ,  H01F41/302 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: A magnetoresistance effect element comprising a ferromagnetic tunnel coupling with a tunnel barrier layer sandwiched by at least a pair of ferromagnetic layers wherein a magnetization free layer constituted of one of the ferromagnetic layers is made of a single layer of a material having an amorphous or crystallite structure, or a material layer the main part of which has an amorphous or crystallite structure. This magnetoresistance effect element provides excellent magnetic-resistance characteristics. A magnetic memory element and a magnetic memory device comprising it as the memory element improve both characteristics of write and read.

Abstract translation: 磁阻效应元件包括与由至少一对铁磁层夹持的隧道势垒层耦合的铁磁隧道，其中由一个铁磁层构成的磁化自由层由具有无定形或微晶结构的材料的单层制成 ，或其主要部分具有无定形或微晶结构的材料层。 该磁阻效应元件提供优异的磁阻特性。 磁存储器元件和包括其作为存储元件的磁存储器件改善了写入和读取的特性。

公开(公告)号：DE112017001776T5

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE112017001776

申请日：2017-02-21

Applicant: SONY CORP

Inventor： UCHIDA HIROYUKI ,  HOSOMI MASANORI ,  OHMORI HIROYUKI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  HIGO YUTAKA

IPC: H01L21/8246 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

Abstract: [Problem] Es möglich zu machen, die Magnetowiderstandsänderungsrate weiter zu verbessern, ohne die Zuverlässigkeit als ein Element zu verschlechtern.[Lösung] Bereitgestellt ist ein magnetoresistives Element, das mit Folgendem ausgestattet ist: einer Speicherungsschicht, wobei sich die Magnetisierungsrichtung entsprechend Informationen ändert; einer ersten Schicht mit fester Magnetisierung, die unter der Speicherungsschicht bereitgestellt ist und die Magnetisierungsrichtung senkrecht zu einer Filmoberfläche aufweist, d. h. eine Referenz zu den in der Speicherungsschicht gespeicherten Informationen; einer zweiten Schicht mit fester Magnetisierung, die über der Speicherungsschicht bereitgestellt ist und die Magnetisierungsrichtung senkrecht zur Filmoberfläche aufweist, d. h. die Referenz zu den in der Speicherungsschicht gespeicherten Informationen, wobei die Magnetisierungsrichtung entgegengesetzt zu der der ersten Schicht mit fester Magnetisierung ist; einer ersten Zwischenschicht, die zwischen der ersten Schicht mit fester Magnetisierung und der Speicherungsschicht bereitgestellt ist; und einer zweiten Zwischenschicht, die zwischen der zweiten Schicht mit fester Magnetisierung und der Speicherungsschicht bereitgestellt ist. Die Speicherungsschicht wird durch Laminieren einer ersten Schicht aus einem magnetischen Material, einer Schicht aus einem nicht magnetischen Material und einer zweiten Schicht aus einem magnetischen Material in dieser Reihenfolge konfiguriert und die erste Schicht aus einem magnetischen Material oder die zweite Schicht aus einem magnetischen Material weist die Magnetisierungsrichtung parallel zur Filmoberfläche auf.

公开(公告)号：DE602008001518D1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：DE602008001518

申请日：2008-03-03

Applicant: SONY CORP

Inventor： YAMANE KAZUTAKA ,  HOSOMI MASANORI ,  OHMORI HIROYUKI ,  YAMAMOTO TETSUYA ,  HIGO YUTAKA ,  OISHI YUKI ,  KANO HIROSHI

IPC: G11C11/16

公开(公告)号：DE10302375A1

公开(公告)日：2003-07-24

申请号：DE10302375

申请日：2003-01-22

Applicant: SONY CORP

Inventor： HIGO YUTAKA ,  BESSHO KAZUHIRO ,  MIZUGUCHI TETSUYA ,  YAMAMOTO TETSUYA ,  HOSOMI MASANORI ,  OHBA KAZUHIRO ,  KANO HIROSHI

IPC: G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01F41/30 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  H01L21/82 ,  G11C11/15

Abstract: Magneto-resistive tunnel effect element comprises a film structure having two ferromagnetic material layers (11, 12) with an embedded tunnel barrier layer (13) produced by oxidizing a conducting metal layer. The metal layer contains a metal as the main component and a further element as additional material. An Independent claim is also included for a process for the production of the element. Preferred Features: The metal component is aluminum. The further element is B, Li, Mg, Si, Ca, K, Sc, Be, Ti, Sr, C, P or S in an amount of less than 1 atom %. The conducting layer is produced by a vapor phase method.

公开(公告)号：EP1494295A4

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：EP03745971

申请日：2003-04-08

Applicant: SONY CORP

Inventor： HOSOMI MASANORI ,  MIZUGUCHI TETSUYA ,  OHBA KAZUHIRO ,  BESSHO KAZUHIRO ,  YAMAMOTO TETSUYA ,  KANO HIROSHI

IPC: B60S5/00 ,  B21D1/12 ,  G01R33/09 ,  G11C11/15 ,  H01F10/16 ,  H01F10/187 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11B5/39

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3277 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10

Abstract: Reading characteristics, as well as writing characteristics, are improved by applying a more-novel-than-ever material to a ferromagnetic layer. A magnetoresistance effect element comprising a pair of ferromagnetic layers facing each other via an intermediate layer and being able to change reluctance by running current vertically to a film surface, wherein at least one of the ferromagnetic layers includes a ferromagnetic material containing Fe, Co and B. The ferromagnetic material preferably contain FeaCobNicBd (in the formula, a, b, c and d denote atomic %. 5≤a≤45, 35≤b≤85, 0

公开(公告)号：EP2787528A4

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：EP12853396

申请日：2012-10-31

Applicant: SONY CORP

Inventor： HIGO YUTAKA ,  HOSOMI MASANORI ,  OHMORI HIROYUKI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  ASAYAMA TETSUYA ,  YAMANE KAZUTAKA ,  UCHIDA HIROYUKI

IPC: H01L21/8246 ,  G11B5/39 ,  G11C11/16 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

公开(公告)号：EP1526588A4

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：EP03766709

申请日：2003-08-01

Applicant: SONY CORP

Inventor： OBA KAZUHIRO ,  KANO HIROSHI ,  HOSOMI MASANORI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  YAMAMOTO TETSUYA ,  MIZUGUCHI TETSUYA

IPC: G01R33/09 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/13 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11B5/39

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3277 ,  H01L43/10

公开(公告)号：EP2851943A4

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：EP13790278

申请日：2013-03-06

Applicant: SONY CORP

Inventor： HIGO YUTAKA ,  HOSOMI MASANORI ,  OHMORI HIROYUKI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  ASAYAMA TETSUYA ,  YAMANE KAZUTAKA ,  UCHIDA HIROYUKI

IPC: H01L21/8246 ,  G11C5/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/105 ,  H01L27/22 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H04W72/048 ,  G11C5/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1697 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H04W72/085 ,  H04W72/121

Abstract: [Object] To provide a memory apparatus capable of operating at high speed with less current and inhibiting a decrease in an amplitude of a readout signal. [Solving Means] A memory apparatus includes a memory device having a layer structure at least including a memory layer where a direction of magnetization is changed corresponding to information, a magnetic fixed layer where the direction of the magnetization is fixed, and an intermediate layer made of a non-magnetic body disposed between the memory layer and the magnetic fixed layer; current being capable of flowing in a lamination direction of the layer structure; a wiring for supplying the memory device with current flowing to the lamination direction; and a memory control unit for storing information by flowing standby current at a predetermined level to the memory device via the wiring to incline the magnetization direction of the memory layer from the direction perpendicular to a film surface and flowing recording current that is higher than the standby current via the wiring to change the magnetization direction of the memory layer.

Abstract translation: 提供一种能够以较低电流高速运行并且抑制读出信号的幅度的降低的存储装置。 一种存储装置，包括具有至少包括磁化方向相应于信息而改变的存储层的层结构的存储装置，固定磁化方向的磁性固定层和制成的中间层 设置在所述存储层和所述磁性固定层之间的非磁性体; 电流能够沿着层结构的层叠方向流动; 用于向存储器件提供流向层叠方向的电流的布线; 存储器控制单元，用于通过经由布线将预定电平的待机电流从存储器层的磁化方向从垂直于膜表面的方向倾斜并且流过超过备用电流的记录电流来存储信息 电流通过布线改变存储层的磁化方向。

公开(公告)号：EP1580821A4

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：EP02802009

申请日：2002-10-11

Applicant: SONY CORP

Inventor： OHBA KAZUHIRO ,  HAYASHI KAZUHIKO ,  KANO HIROSHI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  MIZUGUCHI TETSUYA ,  HIGO YUTAKA ,  HOSOMI MASANORI ,  YAMAMOTO TETSUYA ,  NARISAWA HIROAKI ,  SONE TAKEYUKI ,  ENDO KEITARO ,  KUBO SHINYA

IPC: G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01F41/30 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/22 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  C23C14/14 ,  H01F10/16 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C2029/5002 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/18 ,  H01F41/302 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

公开(公告)号：EP2903020A4

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：EP13842040

申请日：2013-08-22

Applicant: SONY CORP

Inventor： UCHIDA HIROYUKI ,  HOSOMI MASANORI ,  OHMORI HIROYUKI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  HIGO YUTAKA ,  ASAYAMA TETSUYA ,  YAMANE KAZUTAKA

IPC: G11B5/39 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11B5/3909 ,  G11C2213/35 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10